Силовая электроника, № 6’2015 Силовая элементная база Транзисторы на карбиде кремния: перспективы развития и снижение себестоимости готового изделия Антон Гореев goreev@promelec.ru изические параметры материала SiC значительно превосходят параметры кремния (Si) и арсенида галлия (GaAs). <...> Так, электрическая прочность SiC в 10 раз выше, удельное сопротивление достаточно низкое, радиационная стойкость высокая, крайне малые обратные токи благодаря относительно большой ширине запрещенной зоны, высокая теплопроводность компонентов на SiC, высокое быстродействие, высокие допустимые рабочие температуры (до +200 °С). <...> Ф Но ни для кого не секрет, что производство таких транзисторов обходится недешево, что отражается на стоимости конечного компонента. <...> Кристаллы SiC выращивают из газовой фазы или из растворов в расплаве. <...> Получению высококачественного материала препятствуют микропоры, которые образуются во время роста эпитаксиального слоя (рис. <...> Микропора в карбиде кремния 14 Данный процесс образования микропор имеет прямую связь с величиной вектора Бюргерса и привязан к теории Франка, а именно: вакантные места группируются внутри кристалла, главным образом, около дислокаций или других нарушений решетки, создающих концентрацию напряжений. <...> При известных условиях вакансии скапливаются и самопроизвольно образуют ничтожных размеров полости или поры; например, группирование вакансий в одном слое может породить так называемую сидячую (то есть мало проводимую) дислокацию, которая сама по себе уже представляет устойчивый зародыш микропоры. <...> Эти микропоры и являются существенной проблемой массового применения SiC, к тому же они могут являться причиной выхода компонента из строя. <...> Данный метод был разработан компанией TDI (Technologies and Devices International, Inc.) <...> . Суть его заключается в следующем: каналы микропор в стандартных SiC-подложках заполняются карбидом кремния, а затем поверх него выращивается новый SiC эпитаксиальный слой. <...> Существует <...>