Силовая электроника, № 6’2015 Силовая элементная база Карбид кремния: панацея или не будем спешить? <...> Улучшение свойств силовых кристаллов, поиск новых конструктивных решений и совершенствование существующих технологий обеспечивают непрерывное эволюционное улучшение характеристик электронных ключей. <...> Применение передовых методов изготовления и прецизионных методов контроля, а также уменьшение размеров полупроводниковых структур привели к тому, что свойства современных силовых приборов подошли к пределам, обусловленным физическими свойствами кремния. <...> Революционные инновации в силовой электронике связаны в первую очередь с внедрением новых широкозонных материалов, применение которых позволяет не только повысить эффективность преобразования, но и создавать силовые ключи с принципиально новыми свойствами. <...> Использование карбида кремния (SiC) дает возможность существенно снизить уровень потерь на высоких частотах и расширить температурный диапазон. <...> Традиционные кремниевые диоды с мягкой характеристикой выключения также с успехом могут быть вытеснены SiCдиодами с барьером Шоттки. <...> Андрей Колпаков Andrey.Kolpakov@semikron.com нимание производителей силовых полупроводниковых модулей в первую очередь сосредоточено на двух материалах с расширенной запрещенной зоной — карбиде кремния (SiC) и нитриде галлия (GaN). <...> По сравнению с кремнием они имеют гораздо больший «энергетический зазор» между валентностью и зоной проводимости, что позволяет снизить потери переключения, расширить температурный диапазон и улучшить теплоотдачу. <...> Таблица 1 содержит количественные характеристики базовых материалов для производства силовых чипов. <...> В Преимущества SiC позволяют рассматривать его в качестве наиболее перспективного материала для разработки новых поколений устройств силовой электроники. <...> Сравнение свойств материалов полупроводниковых кристаллов Параметр Si Энергия запрещенной зоны Eg, эВ Плотность структуры <...>