Силовая электроника, № 5’2015 Силовая элементная база Применение новых транзисторов в импульсных преобразователях различных топологий позволяет повысить эффективность систем первичного и вторичного питания до 95–97% при нагрузках 10–100%. <...> 19 показаны зависимости dV/dt сопоставимых по группам Rds on приборов 600/650 C7, CP от сопротивления затворов Rg при токе стока 7,95 А. <...> www.infineon.com/cms/en/about-infineon/press/press-releases/2015/ INFPMM201505-057.html Семинар «Новейшие 4,5; 3,3 и 1,7кВ IGBTмодули Hitachi по технологии nHPD2 и IHM» Компания «MT-CИCTEM» совместно с Hitachi Power Device (Япония) приглашает на семинар «Новейшие 4,5-; 3,3- и 1,7-кВ IGBT-модули Hitachi по технологии nHPD2 и IHM». <...> Семинар проводится в рамках выставки «Силовая электроника», которая пройдет 27–29.10.2015 в Москве в МВЦ «Крокус Экспо», павильон 1, зал 1. <...> Компания Hitachi PSD — известный японский производитель высоковольтных IGBT-модулей и серьезнейший конкурент Mitsubishi и Semikron по этой линейке продукции. <...> Вместе со специалистами компании «MT-CИCTEM» семинар проводит Mr. <...> Katsuaki Saito, старший технический советник компании Hitachi PSD. <...> Компания «MT-CИCTEM» совместно с Hitachi Power Device (Япония) приглашает на семинар «Новейшие 4,5-; 3,3- и 1,7-кВ IGBT-модули Hitachi по технологии nHPD2 и IHM». <...>