Силовая Электроника, № 3’2015 Силовая элементная база Преимущества использования нитрид-галлиевых транзисторов в силовой электронике Имеющиеся на сегодня источники питания (ИП), выполненные по технологии с использованием высокопроизводительных кремниевых полевых транзисторов и диодов Шоттки на основе карбида кремния, уже не являются достаточно эффективными, по крайней мере, в течение двух последних лет. <...> Не так давно несколько производителей объявили о доступности транзисторов на основе нитрида галлия на кремнии, которые рассчитаны на рабочее напряжение 600–650 В. <...> Эрик Перссон (Eric Persson) Перевод: Владимир Рентюк Д ля начала рассмотрим ограничения существующих технологий кремниевых полевых транзисторов и то, какой «идеальный» переключающий элемент хотели бы иметь в своем распоряжении разработчики блоков питания. <...> В части управления потерями проводимости все достаточно просто. <...> Чтобы снизить эффективное значение RDS(on) до незначительного уровня, необходима или большая площадь полевого транзистора, или параллельное соединение нескольких полевых транзисторов. <...> Большее количество полевых транзисторов также означает большую емкость и, следовательно, больший заряд, вследствие чего увеличиваются частотно-зависимые потери на переключение. <...> Таким образом, для данного диапазона частот разработчики блоков питания для достижения общего низкого уровня потерь должны сбалансировать проводимость и потери на переключение. <...> Кроме того, в некоторых топологиях изготовления таких приборов динамические характеристики встроенного в полевой транзистор диода оказывают значительное влияние на общие частотно-зависимые потери. <...> Вот это и есть та область, в которой новые технологии, такие как использование нитрида галлия (GaN), могут привести к положительному эффекту. <...> Для данного значения RDS(on) переключающие приборы на основе нитрида галлия обладают меньшим выходным зарядом Qoss, более низким зарядом затвора <...>