Силовая Электроника, № 1’2015 • Модульный принцип построения мощных преобразователей позволяет получить высокую точность заряда, оптимизировать параметры согласующего трансформатора, унифицировать конструкцию преобразователя и сократить время новых разработок. ляемых коэффициентом формы тока зарядной цепи, следует выбирать в диапазоне f* = 2π√LC f = 0,3… <...> Полупроводниковые преобразователи в системах заряда накопительных конденсаторов. <...> Основы теории зарядных цепей емкостных накопителей энергии. <...> Полупроводниковые зарядные устройства емкостных накопителей энергии / О. Г. Булатов, В. С. Иванов, Д. И. Панфилов. <...> High Voltage Resonant Modular Capacitor Charger Systems with Energy Dosage. <...> Highly Efficient Switch-Mode 100 kV, 100 kW Power Supply for ESP Applications. Нigh voltage reference manual. <...> Akimov A., Bak P., Kazarezov I., Pachkov А. Мodulator power supply for 200 kv electron gun of the vepp-5 injection complex // PROBLEMS OF ATOMIC SIENCE AND TECHNOLOGY. <...> Высоковольтные транзисторно-конденсаторные источники питания для мощных электрофизических установок // Труды Нижегородского государственного технического университета им. <...> Analysis of the transistor converter of power together with energy dosage for the inductive heating and welding of steel tubes // EUROPEAN TRANSACTIONS ON ELECTRICAL POWER. <...> Transistor IGBT converters for inductive heating with energy dosage. <...> Квазирезонансные преобразователи с дозированной передачей энергии // Силовая электроника. <...> Квазирезонансный последовательный инвертор с комбинированным управлением для светодиодных приложений // Полупроводниковая светотехника. <...> Источники питания Дискретные IGBT транзисторы в новом корпусе TO247PLUS Транзисторы с рабочими токами 100 и 120 А в корпусе TO-247PLUS могут быть использованы: • для увеличения выходной мощности существующих разработок: увеличение до 20% выходного тока Iout при замене транзистора 75 A в корпусе TO-247 на 120 A TO-247PLUS; • для улучшения тепловых характеристик и, следовательно, для повышения надежности срока службы системы — снижение температуры корпуса Tcase на 25% при замене транзистора 75 A в корпусе TO-247 на 100 A — в TO-247PLUS; • как дешевая альтернатива IGBT-модулям <...>