РАДИОЭЛЕКТРОНИКА 61 УДК 621.315.592 Влияние конструкции ячеек памяти на фазовых переходах на характеристики переключения C. <...> *, А. И. Попов, А. А. Дудин, Ю. В. Ануфриев, П. А. Арсеньев Созданы три типа ячеек памяти на фазовых переходах, отличающиеся устройством и размерами активной области. <...> Рассмотрено влияние различных конструкций на характеристики ячеек и их работоспособность в целом. <...> Показано, что наиболее критичным с точки зрения структуры является переключение ячейки из низкоомного в высокоомное состояние, проанализированы причины и определены пути совершенствования ячеек памяти на фазовых переходах. <...> Ключевые слова: память на фазовых переходах, обратные переключения, конструкция ячеек памяти, минимизация активной области. <...> В последние десятилетия одно из ведущих мест среди электронных носителей занимает память на фазовых переходах (phase-change memory — PCM), использующая эффекты аморфизации и кристаллизации локальной полупроводниковой области. <...> При этом реверсивность процессов кристаллизации — аморфизации позволяет создавать перезаписываемую память. <...> Наибольшее распространение PCM-память получила в перезаписываемых оптических дисках, где при* Smsalnikov@gmail.com меняется различие в оптических свойствах кристаллической и аморфной фаз. <...> Два поколения электронной PCM-памяти Эффект электрического переключения с PCMпамятью в халькогенидных стеклообразных полупроводниках был открыт в 1968 году С. <...> Активная ячейка в них представляла собой сэндвич-структуру из двух металлических электродов и пленки халькогенидного стеклообразного полупроводника толщиной до 1 мкм между ними (рис. <...> Изображение ячеек памяти первого (а) и второго (б) поколений: ХСП — халькогенидный стеклообразный полупроводник переключался в низкоомное состояние с образованием токового канала диаметром около 1 мкм, соединяющего электроды. <...> Высокая плотность тока (2 — 4·104 А/см2) вызывала разогрев и кристаллизацию материала в канале [5]. <...> В результате электроды <...>