Тепловой профиль при полной нагрузке C2M0080120D на частоте 100 кГц в режиме выключения. <...> IGBT обладают большими потерями выключения из-за «хвостового тока», присущего даже высокоскоростным Si IGBT. <...> 13 и 14 представлено сравнение тепловых профилей устройств на основе SiC MOSFET C2M0080120D и кремниевых IGBT IGW40N120H3. <...> Результаты испытаний получены при входном напряжение 450 В DC, выходном напряжении 650 В DC и полной нагрузке 2Ч5 кВт. <...> Температура окружающей среды +25 °C, испытания проводились без охлаждения радиатора, печатная плата тестировалась без корпуса. <...> В обоих случаях использовались выходные диоды Cree SiC Шоттки C4D20120D, что обеспечивает корректное сравнение для двух типов приборов. <...> Транзисторы SiC MOSFET имеют более низкие потери и, соответственно, на 40 °C меньшую рабочую температуру корпуса, что более чем на 40% превышает показатели Si IGBT. <...> Это означает, что для работы SiC MOSFET можно применять более легкий, тонкий и дешевый теплоотвод. <...> Кроме того, для решения с Si IGBT на частоте 20 кГц приходится использовать бόльшую индуктивность с низкой плотностью мощности по сравнению с SiC MOSFET на частоте 100 кГц. <...> Тепловой профиль при полной нагрузке IGW40N120H3 на частоте 20 кГц Заключение Испытания повышающего преобразователя мощностью 10 кВт, работающего в режиме жесткого переключения с чередованием фаз, описанного в этой статье, четко демонстрируют достоинства SiC MOSFET и диодов в системах высокой мощности. <...> Преимущества от использования присущей SiC высокой динамической эффективности подчеркиваются снижением энергии потерь, уменьшением размеров и веса системы, сокращением количества и стоимости комплектующих и впечатляющим снижением рабочей температуры устройства. <...> Описанный преобразователь на основе SiC-приборов может открыть двери для новых силовых приложений, которые, в свою очередь, приведут к выходу на коммерческий рынок новых SiC-устройств в различных корпусах. <...> С увеличением доступности SiC-транзисторов и вариантов их исполнения будут сняты многие <...>