Силовая электроника, № 3’2016 Силовая элементная база Преимущества 1200-В карбид-кремниевых диодов Шоттки с совмещенными p-n-переходами (MPS) Современные однофазные и трехфазные инверторы солнечных батарей, источники бесперебойного питания или приложения для накопления энергии отличаются повышенными требованиями в части высокой эффективности, компактности их конструкций и длительной надежности. <...> Однако возможности реализации инверторов для таких приложений ограничены высокими динамическими потерями кремниевых полупроводниковых приборов при их использовании для напряжения 1200 В. <...> Альтернативные конструкции, с использованием полупроводниковых приборов с рабочим напряжением 600/650 В, могут лишь частично повысить эффективность работы инвертора. <...> Тем не менее необходимо учитывать, что это повышение осуществляется за счет применения более сложных топологий со специальными схемами управления и увеличением входящих в них компонентов. <...> Омар Хармон (Omar Harmon) Томас Баслер (Thomas Basler) Фанни Бьёрк (Fanny Bjцrk) Перевод: Владимир Рентюк арбид-кремниевый (SiC) диод с барьером Шоттки не имеет реального заряда обратного восстановления. <...> Таким образом, гибридный набор, состоящий из 1200-В SiC-диода и 1200-В кремниевого (Si) IGBT, позволяет упростить топологию второго уровня за счет снижения потерь на запирание диода, а также резко снизить потери на выключение Si IGBT. <...> Однако в таком сочетании статические потери диода на основе карбида кремния часто ограничивают потенциал оптимизации решений в виде 1200-В SiC-диода и 1200-В кремниевого (Si) IGBT. <...> Чтобы преодолеть это ограничение и уменьшить статические потери, новое, пятое поколение диодов компании Infineon имеет уменьшенное прямое падение напряжения и меньшую его температурную зависимость. <...> В данной статье описывается, как инновации в конструкции и в технологии изготовления привели к улучшению общих характеристик диода, повышению его надежности и уменьшению стоимости, что в результате <...>