Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 582163)
Консорциум Контекстум Информационная технология сбора цифрового контента
Уважаемые СТУДЕНТЫ и СОТРУДНИКИ ВУЗов, использующие нашу ЭБС. Рекомендуем использовать новую версию сайта.
Компоненты и технологии  / №4 (165) 2015

Электромагнитная совместимость РЭА. (50,00 руб.)

0   0
Первый авторИвко Александр
Страниц4
ID381008
АннотацияС уменьшением размеров микросхем, увеличением скоростей передачи данных и сокращением потребляемой мощности растет чувствительность изделий микроэлектроники к электромагнитным воздействиям. На сегодня для особо чувствительных элементов фатальными могут оказаться всплески напряжения уже от 50 В. При воздействии электростатических разрядов на изделие такие и более высокие перенапряжения возникают на выводах микросхем и без должных мер защиты способны привести к деградации кристаллов микросхем или полному выходу их из строя. По некоторым оценкам, ежегодные потери промышленности от влияния электростатических разрядов (ЭСР) доходят до нескольких миллиардов долларов. Таким образом, очень важным представляется освещение вопросов возникновения ЭСР, воздействующих факторов, методов испытаний и, самое главное, методов защиты от ЭСР, в том числе для законченных изделий.
Ивко, А. Электромагнитная совместимость РЭА. / А. Ивко // Компоненты и технологии .— 2015 .— №4 (165) .— С. 183-186 .— URL: https://rucont.ru/efd/381008 (дата обращения: 18.05.2022)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

Электростатические разряды Александр ИВКО tp@test-expert.ru С уменьшением размеров микросхем, увеличением скоростей передачи данных и сокращением потребляемой мощности растет чувствительность изделий микроэлектроники к электромагнитным воздействиям. <...> На сегодня для особо чувствительных элементов фатальными могут оказаться всплески напряжения уже от 50 В. <...> При воздействии электростатических разрядов на изделие такие и более высокие перенапряжения возникают на выводах микросхем и без должных мер защиты способны привести к деградации кристаллов микросхем или полному выходу их из строя. <...> По некоторым оценкам, ежегодные потери промышленности от влияния электростатических разрядов (ЭСР) доходят до нескольких миллиардов долларов. <...> Таким образом, очень важным представляется освещение вопросов возникновения ЭСР, воздействующих факторов, методов испытаний и, самое главное, методов защиты от ЭСР, в том числе для законченных изделий. <...> Возникновение зарядов Различают три пути накопления электростатических зарядов: трибоэлектрический, индуктивный, емкостный. <...> Величина заряда и параметры последующего разряда зависят от ряда факторов: диэлектрической проницаемости и размеров материала, характеристик поверхности и параметров среды, в которой происходит разряд. <...> Трибоэлектрический заряд возникает при трении двух материалов друг о друга, один из которых или оба являются диэлектриками. <...> Индуктивный путь появления электростатического заряда — передача или перераспределение зарядов при сближении тел (предметов), одно из которых уже имеет электростатический потенциал. <...> Величина электростатического потенциала при различных условиях его накопления Некоторые типичные ситуации, при которых накапливается электростатический потенциал и его величина, % Хождение по ковру, кВ Хождение по линолеуму, кВ Подъем пластикового пакета, кВ Сдвигание пластиковой коробки по поверхности, кВ Использование незаземленного <...>