Электростатические разряды Александр ИВКО tp@test-expert.ru С уменьшением размеров микросхем, увеличением скоростей передачи данных и сокращением потребляемой мощности растет чувствительность изделий микроэлектроники к электромагнитным воздействиям. <...> На сегодня для особо чувствительных элементов фатальными могут оказаться всплески напряжения уже от 50 В. <...> При воздействии электростатических разрядов на изделие такие и более высокие перенапряжения возникают на выводах микросхем и без должных мер защиты способны привести к деградации кристаллов микросхем или полному выходу их из строя. <...> По некоторым оценкам, ежегодные потери промышленности от влияния электростатических разрядов (ЭСР) доходят до нескольких миллиардов долларов. <...> Таким образом, очень важным представляется освещение вопросов возникновения ЭСР, воздействующих факторов, методов испытаний и, самое главное, методов защиты от ЭСР, в том числе для законченных изделий. <...> Возникновение зарядов Различают три пути накопления электростатических зарядов: трибоэлектрический, индуктивный, емкостный. <...> Величина заряда и параметры последующего разряда зависят от ряда факторов: диэлектрической проницаемости и размеров материала, характеристик поверхности и параметров среды, в которой происходит разряд. <...> Трибоэлектрический заряд возникает при трении двух материалов друг о друга, один из которых или оба являются диэлектриками. <...> Индуктивный путь появления электростатического заряда — передача или перераспределение зарядов при сближении тел (предметов), одно из которых уже имеет электростатический потенциал. <...> Величина электростатического потенциала при различных условиях его накопления Некоторые типичные ситуации, при которых накапливается электростатический потенциал и его величина, % Хождение по ковру, кВ Хождение по линолеуму, кВ Подъем пластикового пакета, кВ Сдвигание пластиковой коробки по поверхности, кВ Использование незаземленного <...>