158 технологии Методика восстановления трехпортовой бесструктурной модели полевого транзистора с затвором Шоттки Алексей КОНДРАТЕНКО alkon@micran.ru Геннадий ГЛАЗОВ, к. т. н. <...> gng@micran.ru В статье представлена разработанная авторами методика восстановления трехпортовой бесструктурной модели полевого транзистора с затвором Шоттки по результатам измерений параметров рассеяния тестовых элементов на пластине. <...> Сегодня есть довольно много публикаций, посвященных методикам восстановления линейной модели полевого транзистора с затвором Шоттки на основе экспериментальных результатов измерений S-параметров тестовых элементов [2, 3]. <...> И в каждом случае справедливым будет утверждение, что предварительная процедура формирования тестовых элементов и алгоритм обработки экспериментальных данных в совокупности определяют как применимость той или иной методики восстановления модели транзистора в принципе, так и степень соответствия данной модели реальной структуре. <...> Выбор метода выделения параметров модельного элемента При формировании тестовых элементов на пластине неизбежно добавление контактных площадок для подключения зондов СВЧ, а также подводящих линий, обеспечивающих расстояние между зондами не менее того, при котором была выполнена калибровка измерительного прибора, чтобы паразитная электромагнитная связь между зондами не повлияла на результаты измерений. <...> 1 приведена фотография тестового элемента — транзистора с высокой подвижностью электронов (pHEMT) с суммарной шириной затвора 400 мкм, выполненного на основе технологического GaAs-процесса ЗАО «НПФ «Микран» (г. Томск). <...> Таким образом, возникает задача выделить параметры модельного элемента с заданными отсчетными плоскостями из экспериментального результата измерения параметров тестового элемента. <...> Существует ряд методов выделения параметров модельного элемента, в частности транзистора, из экспериментального результата измерения параметров <...>