Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 588427)
Консорциум Контекстум Информационная технология сбора цифрового контента
Уважаемые СТУДЕНТЫ и СОТРУДНИКИ ВУЗов, использующие нашу ЭБС. Рекомендуем использовать новую версию сайта.
Известия высших учебных заведений. Электроника  / №3 2016

Исследование влияния электронного облучения на импульсную электрическую прочность диодов (154,00 руб.)

0   0
Первый авторАлександрова
АвторыХаритонов И.А.
Страниц3
ID376655
АннотацияИсследовано влияние электронного облучения на параметры полупроводниковых диодов при прохождении одиночного импульса тока. Приведены результаты расчетов и экспериментальных исследований влияния электронного облучения на импульсную электрическую прочность. Показано, что при увеличении длительности импульса уменьшение амплитуды импульса тока, необходимого для достижения критической температуры, происходит за счет увеличения теплового сопротивления.
УДК621.382.2
Александрова, А.Б. Исследование влияния электронного облучения на импульсную электрическую прочность диодов / А.Б. Александрова, И.А. Харитонов // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2016 .— №3 .— С. 90-92 .— URL: https://rucont.ru/efd/376655 (дата обращения: 05.07.2022)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

КРАТКИЕ СООБЩЕНИЯ BRIEF REPORTS УДК 621.382.2 Исследование влияния электронного облучения на импульсную электрическую прочность диодов А.Б. Александрова, И.А. Харитонов Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» Study of Electron Irradiation Effect on Electrical Impulse A.V. <...> Kharitonov National Research University Higher School of Economics Исследовано влияние электронного облучения на параметры полупроводниковых диодов при прохождении одиночного импульса тока. <...> Показано, что при увеличении длительности импульса уменьшение амплитуды импульса тока, необходимого для достижения критической температуры, происходит за счет увеличения теплового сопротивления. <...> Ключевые слова: диод; импульс тока; импульсная электрическая прочность; критическая температура; электронное облучение; тепловое сопротивление. <...> При эксплуатации электронного оборудования в электрических сетях могут возникать электрические перегрузки, вызванные грозовыми разрядами или коммутационными процессами. <...> При прохождении одиночного импульса тока Tимп (ОИТ) через p–n-переход выделяется импульсная мощность в его локализованной области, которая приводит к перегреву p–n-перехода. <...> В результате температура в p–n-переходе достигает критической Tкр и может произойти плавление кремния и, как следствие, разрушение структуры диода. <...> Значение импульсной мощности Pимп при этих процессах определяется напряжением пробоя Uпроб, ОИТ и сопротивлением базыдиода. <...> Экспериментальное определение температуры p–n-перехода в момент прохождения ОИТ является сложным и дорогостоящим. <...> Поэтому для оценки перегрева используются методы моделирования тепловых процессов. <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 21 № 3 2016 Краткие сообщения водстве полупроводниковых приборов для уменьшения времени жизни носителей. <...> После воздействия ЭО изменяется напряжение пробоя и сопротивление базы. <...> Поэтому исследование изменения импульсной электрической прочности после ЭО представляет научный и практический интерес. <...> Согласно работам <...>