Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 588054)
Консорциум Контекстум Информационная технология сбора цифрового контента
Уважаемые СТУДЕНТЫ и СОТРУДНИКИ ВУЗов, использующие нашу ЭБС. Рекомендуем использовать новую версию сайта.
Известия высших учебных заведений. Электроника  / №3 2016

Исследование интегрального МОП-транзистора для микромощных интегральных схем (154,00 руб.)

0   0
Первый авторРусанов
АвторыОсыкин А.А., Балашов Ю.С.
Страниц6
ID376647
АннотацияПредставлены результаты измерения параметров интегрального МОП-транзистора для низковольтных применений. Проверены предварительные расчеты прибора в приборно-технологическом САПР ISE TCad. Показаны состоятельность и эффективность предлагаемого МОПтранзистора для низковольтных применений.
УДК621.37.39
Русанов, А.В. Исследование интегрального МОП-транзистора для микромощных интегральных схем / А.В. Русанов, А.А. Осыкин, Ю.С. Балашов // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2016 .— №3 .— С. 28-33 .— URL: https://rucont.ru/efd/376647 (дата обращения: 03.07.2022)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ И СИСТЕМЫ MICROELECTRONIC DEVICES AND SYSTEMS УДК 621.37.39 Исследование интегрального МОП-транзистора для микромощных интегральных схем А. <...> Балашов2 1ОАО «Научный исследовательский институт электронной техники» (г. Воронеж) 2Воронежский государственный технический университет Investigation of Integrated Transistor for Low-Voltage ICs A.V. <...> Balashov2 1Scientific Research Institute of Electronic Technology, Voronezh 2Voronezh State University Представлены результаты измерения параметров интегрального МОП-транзистора для низковольтных применений. <...> Проверены предварительные расчеты прибора в приборно-технологическом САПР ISE TCad. <...> Показаны состоятельность и эффективность предлагаемого МОПтранзистора для низковольтных применений. <...> Ключевые слова: низкое напряжение питания; МОП-транзистор с электрически соединенными затвором и карманом; МОП-транзистор с динамическим пороговым напряжением (DTMOS). <...> The description and the results of measuring the parameters of the integrated MOSFET for low-voltage applications have been presented. <...> The preliminary calculation of the device has been verified in CAD ISE TCad. <...> Based on the performed studies the conclusion about consistency and effectiveness of the proposed MOS transistor for low-voltage applications has been made. <...> Keywords: low-voltage power; MOSFET with a gate connected with bulk; MOS transistor with a dynamic threshold voltage (DTMOS). <...> Одним из основных технических требований к современным интегральным схемам является энергоэффективность. <...> Наиболее простой способ снижения мощности потребления – снижение напряжения питания. <...> Это вызывает необходимость уменьшения порогового напряжения Vt, чтобы по возможности сохранить эффективное напряжение на затворе и тем самым обеспечить требуемый уровень тока и скорости переключения КМОП-схем. <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 21 № 3 2016 Исследование интегрального МОП-транзистора для микромощных интегральных схем скольку при этом увеличивается подпороговый ток, который определяет потребление мощности цифровых СБИС в неактивном состоянии. <...> Однако для аналоговых схем идеально нулевое пороговое напряжение, что увеличивает динамический диапазон аналоговой схемы, определяемый разностью между напряжением на затворе <...>