Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 588054)
Консорциум Контекстум Информационная технология сбора цифрового контента
Уважаемые СТУДЕНТЫ и СОТРУДНИКИ ВУЗов, использующие нашу ЭБС. Рекомендуем использовать новую версию сайта.
Известия высших учебных заведений. Электроника  / №3 2016

Моделирование теплового поражения СВЧ-диода мощным импульсом электромагнитного излучения (154,00 руб.)

0   0
Первый авторСергеев
АвторыХодаков А.М., Молгачев А.А.
Страниц4
ID376643
АннотацияПредставлена модель теплового поражения полупроводникового СВЧ-диода мощным СВЧ-импульсом с температурозависимой плотностью мощности. Найдено распределение максимальной температуры по полупроводниковой структуре в зависимости от длительности импульса излучения.
УДК621.382.088
Сергеев, В.А. Моделирование теплового поражения СВЧ-диода мощным импульсом электромагнитного излучения / В.А. Сергеев, А.М. Ходаков, А.А. Молгачев // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2016 .— №3 .— С. 93-96 .— URL: https://rucont.ru/efd/376643 (дата обращения: 03.07.2022)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

УДК 621.382.088 Моделирование теплового поражения СВЧ-диода мощным импульсом электромагнитного излучения В. <...> Молгачев2 1Ульяновский филиал Института радиотехники и электроники им. <...> В.А. Котельникова Российской академии наук 2Ульяновский государственный технический университет Modeling of Thermal Defeat of Microwave Frequency Diode by Electromagnetic Radiation High-Power Impulse V.A. <...> Molgachev2 1Kotel’nikov Institute of Radio Engineering and Electronics (Ulyanovsk branch), Russian Academy of Sciences 2Ulyanovsk State Technical University Представлена модель теплового поражения полупроводникового СВЧ-диода мощным СВЧ-импульсом с температурозависимой плотностью мощности. <...> Найдено распределение максимальной температуры по полупроводниковой структуре в зависимости от длительности импульса излучения. <...> Воздействие на радиоэлектронную аппаратуру импульсов мощного электромагнитного излучения (ЭМИ) вызывает быстрый (за несколько десятков наносекунд) разогрев структуры полупроводниковых приборов (ППП). <...> Это приводит к появлению канала высокой проводимости в приборной структуре и, как следствие, к тепловому пробою p−n-переходов. <...> Для эффективной защиты ППП от поражения мощными импульсами ЭМИ необходимы адекватные модели изменения температуры перехода со временем [1]. <...> Известные модели [2–4] теплового поражения ППП мощными ЭМИ являются одномерными и линейными. <...> В этих моделях, в частности, не учитывались температурные зависимости плотности мощности источников тепла и теплофизических характеристик материалов приборных структур. <...> Возникающая в результате этих механизмов положительная тепловая обратная связь (ПТОС) должна приводить к увеличению неоднородности распределения температуры по активной области полупроводниковой структуры и росту ее максимальной температуры [5] по сравнению с линейным приближением. <...> В настоящей работе рассматривается двухмерная осесимметричная тепловая модель полупроводниковой структуры СВЧ кремниевого диода с учетом ПТОС. <...> Предполагается, что рассеиваемая в структуре тепловая энергия <...>