Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 634620)
Контекстум
.
Известия высших учебных заведений. Электроника  / №3 2015

Методика определения дефектности подзатворного диэлектрика с использованием ускоренных испытаний тестовых структур (154,00 руб.)

0   0
Первый авторСивченко
Страниц9
ID376577
АннотацияРазработаны методика и автоматизированная программа, позволяющие с помощью ускоренных измерений тестовых структур в составе пластин определять дефектность диэлектрика и оценивать его время наработки до отказа. Приведены результаты расчета дефектности диэлектрика с учетом влияния границы изоляции и диффузии. Данная методика может применяться для мониторинга параметров технологических процессов создания подзатворного диэлектрика и прогнозирования долгосрочной надежности МОП-транзисторов.
УДК621.3.049.77
Сивченко, А.С. Методика определения дефектности подзатворного диэлектрика с использованием ускоренных испытаний тестовых структур / А.С. Сивченко // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2015 .— №3 .— С. 84-92 .— URL: https://rucont.ru/efd/376577 (дата обращения: 19.04.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

МЕТОДЫ И ТЕХНИКА ИЗМЕРЕНИЙ MEASUREMENT METHODS AND TECHNOLOGY УДК 621.3.049.77 Методика определения дефектности подзатворного диэлектрика с использованием ускоренных испытаний тестовых структур А.С. Сивченко Национальный исследовательский университет «МИЭТ» НПК «Технологический центр» (г. Москва) Methods of Determination of Defects of Gate Dielectric Using Accelerated Tecting of Test Structures A.S. <...> Sivchenko National Research University of Electronic Technology, Moscow SMS «Technology Center», Moscow Разработаны методика и автоматизированная программа, позволяющие с помощью ускоренных измерений тестовых структур в составе пластин определять дефектность диэлектрика и оценивать его время наработки до отказа. <...> Данная методика может применяться для мониторинга параметров технологических процессов создания подзатворного диэлектрика и прогнозирования долгосрочной надежности МОП-транзисторов. <...> Ключевые слова: дефектность подзатворного диэлектрика; МОП-транзистор; надежность; контроль параметров технологического процесса. <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 20 № 3 2015 Методика определения дефектности подзатворного диэлектрика. <...> Одним из способов повышения функциональности ИС является увеличение степени интеграции ИС за счет перехода к меньшим проектным нормам. <...> Поэтому надежность ИС становится все более актуальной, особенно для микросхем специального назначения и космического применения, где, с одной стороны, необходим переход к более производительным ИС за счет уменьшения проектных норм, а с другой стороны, необходимо обеспечивать высокую степень их надежности в условиях космического пространства–среды с агрессивным радиационным воздействием, способствующей ускоренному проявлению отказов в ИС. <...> Ключевым элементом, определяющим стабильность характеристик МОПтранзистора, является подзатворный диэлектрик. <...> При масштабировании транзистора толщина подзатворного диэлектрика снижается, а совокупный объем факторов, определяющих его дефектность и диэлектрические свойства, увеличивается. <...> Поэтому введение <...>