Методы подавления оптической связи между ячейками матрицы кремниевых фотоумножителей (154,00 руб.)

УДК 621.383.523 Методы подавления оптической связи между ячейками матрицы кремниевых фотоумножителей А. <...> Герасименко3,4 1НПК «Технологический центр» (г. Москва) 2Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ» 3Национальный исследовательский университет «МИЭТ» 4Национальный исследовательский Томский государственный университет Methods for Optical Cross-Talk Suppression between Cells in a Matrix of Silicon Photomultipliers A.A. <...> Gerasimenko3,4 1SMC «Technological Centre», Moscow 2National Research Nuclear University MEPhI, Moscow 3National Research University Electronic Technology «MIET» 4National Research Tomsk State University Экспериментально исследованы способы подавления оптической связи между ячейками в кремниевых фотоэлектронных умножителях. <...> Рассмотрены механизмы подавления оптической связи и показана степень влияния каждого из них. <...> Исследован способ разделения светочувствительных ячеек на основе вытравливания V-образных канавок. <...> Показана принципиальная возможность снижения оптической связи между ячейками с 2040 % до 0,10,7 % в диапазоне перенапряжения 25 В соответственно. <...> Ключевые слова: кремниевые фотоэлектронные умножители; подавление оптической связи; V-образные канавки. <...> The principal possibility of optical cross-talk decreasing between the cells from 2040% to 0.1-0.7% in the range of over bias 2-5 V, respectively, has been shown. <...> Для различных областей применения используются фотоумножители, которые показывают оптимальные результаты. <...> Сравнительные характеристики лавинных фотодиодов (ЛФД), PIN-фотодиодов (PIN), вакуумных фотоэлектронных умножителей (ФЭУ) и гейгеровских кремниевых фотоумножителей (SiФЭУ) приведены в таблице. <...> Параметр Эффективность регистрации света (420 нм), % Величина усиления сигнала, раз Шум-фактор, ENF Пороговая чувствительность фотоэлектронов Разброс времени срабатывания/10 фотоэлектронов, пс Напряжение смещения, В Работа в магнитном поле Сравнительные характеристики фотодетекторов Тип фотоумножителя ФЭУ ЛФД 6070 100200 ≥2 ~10 ~1000 1001000 PIN 6070 1 1 ~1000  10100 Возможна Возможна 30 106107 1,154,0 1 ~100 10002000 Сложно или невозможно SiФЭУ  быстро развивающийся тип <...>