МИКРОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ И СИСТЕМЫ MICROELECTRONIC DEVICES AND SYSTEMS УДК 621.3.049.77 Конструктивно-технологический базис на основе полностью самосовмещенных структур для терагерцовых БИС В.Д. <...> Вернер, Н.М. Луканов, А.Н. Сауров НПК «Технологический центр» (г. Москва) Constructive and Technological Schemes on the Basis of Completely Self-Combined Structures for Terahertz ULIC V.D. <...> Saurov SMC «Technological center», Moscow Приведены конструктивно-технологические схемы самоформирования полностью самосовмещенных вертикально интегрированных транзисторных структур с обращенными и прямыми эмиттерами для терагерцовых БИС. <...> Точное позиционирование элементов с нанометровыми размерами на поверхности и на определенной глубине пластины кремния достигнуто за счет применения самосопряженных и составных псевдолитографических масок. <...> Рассмотрены критичные узлы в конструкции и технологии изготовления структур с узкими и плоскими эмиттерными областями и c обращенным профилем легирования мышьяком на поверхности. <...> Ключевые слова: терагерцовые БИС; конструктивно-технологические схемы; вертикально интегрированные транзисторные структуры; обращенные ультратонкие и плоские эмиттерные области; обращенные профили легирования As; самосопряженные псевдолитографические и составные маски. <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 20 № 1 2015 23 В.Д. Вернер, Н.М. Луканов, А.Н. Сауров Исследования свойств полупроводниковых трехмерных самосовмещенных структур, самоформируемых на основе диффузионных или эпитаксиальных слоев с нанометровыми размерами (СНР), являются актуальными для создания ИС и специализированных устройств различного применения при освоении терагерцового диапазона частот (0,3–30 ТГц). <...> Одно из направлений исследования – создание биполярных СВЧ самосовмещенных транзисторных структур (БССТС) на кремнии (Si) с максимальной частотой генерации fmax= 0,5 – 1,5 ТГц [1, 2]. <...> В работе [2] детально рассмотрены результаты математического моделирования конструкции БССТС с селективно выращенными областями базы на основе сплава <...>