Методами теории функционала электронной плотности (DFT) получены результаты по электронной структуре, параметрам химической связи, энергиям формирования фаз и образования собственных дефектов по подрешеткам металлов и неметаллов для дихаль-когенидов MX2 (M = Nb, Mo, W; X = Se, Te). <...> Для соединений с Te в ряду Nb—Mo—W с увеличением атомного номера происходит монотонное уменьшение зарядов на атомах металла и неметалла, но для соединений с Se данный порядок нарушается. <...> Так же с увеличением порядкового номера металла для соединений с Se и Те уменьшается стабиль-ность фаз. <...> Для систем MX2 (M = Mo,W; X = Se, Te) образование вакансий по подрешетке халькогена приводит к переходу диэлектрик—металл, а вакан-сии по металлической подрешетке уменьшают величину запрещенной щели.! <...>