Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 582912)
Консорциум Контекстум Информационная технология сбора цифрового контента
Уважаемые СТУДЕНТЫ и СОТРУДНИКИ ВУЗов, использующие нашу ЭБС. Рекомендуем использовать новую версию сайта.
Информационно-управляющие системы  / №2 2016

ТЕОРЕТИКО-ИНФОРМАЦИОННЫЙ АНАЛИЗ МНОГОУРОВНЕВОЙ FLASH-ПАМЯТИ Часть 1: Модель канала и границы случайного кодирования (140,00 руб.)

0   0
Первый авторТрофимов
АвторыТаубин Ф.А.
Страниц12
ID364660
АннотацияВведение: flash-память представляет собой один из наиболее быстро растущих сегментов глобальной полупроводниковой индустрии. Благодаря неуклонно возрастающей плотности записи, высокой скорости записи/считывания, низкому энергопотреблению и продолжительному сроку службы, flash-память используется для хранения данных в весьма обширной сфере приложений. Повышение плотности записи, достигаемое за счет уменьшающегося физического размера ячейки наряду с возрастающим количеством используемых состояний, приводит к снижению надежности хранения данных, что требует использования помехоустойчивого кодирования. Цель: исследование теоретически достижимых значений основных параметров помехоустойчивого кодирования для модели многоуровневой NAND flashпамяти в зависимости от условий записи и хранения данных. Результаты: получены теоретически допустимые пределы скорости кодирования, для которых возможно построение надежных систем хранения данных для одной из возможных моделей flash-памяти, которая описывает страницу чипа памяти как систему с независимыми многоуровневыми ячейками. Для этой модели находятся границы случайного кодирования в форме, допускающей получение численных результатов. С использованием полученных границ устанавливаются обменные соотношения между предельно возможной скоростью кодирования и такими ключевыми параметрами, как число циклов перезаписи и время хранения данных. Рассмотрена возможность гауссовой аппроксимации канала записи/считывания. Эта аппроксим*ация оказывается в ряде случаев достаточно точной, что позволило получить точные оценки вычислительной скорости R0 в явном виде как функций от параметров гауссовых аппроксимаций. Показано, что во многих случаях величины пропускной способности и вычислительной скорости оказываются близкими — разница между ними составляет величину от долей процента до нескольких процентов. Практическая значимость: благодаря полученным результатам можно достаточно точно оценить степень снижения предельно достижимой плотности записи в многоуровневой NAND flash-памяти, связанную с ростом числа циклов перезаписи и увеличением длительности хранения данных. Это дает возможность, в частности, указать такие граничные значения числа циклов перезаписи и длительности хранения данных, при которых обеспечивается требуемая предельно достижимая плотность записи.
УДК621.391
Трофимов, А.Н. ТЕОРЕТИКО-ИНФОРМАЦИОННЫЙ АНАЛИЗ МНОГОУРОВНЕВОЙ FLASH-ПАМЯТИ Часть 1: Модель канала и границы случайного кодирования / А.Н. Трофимов, Ф.А. Таубин // Информационно-управляющие системы .— 2016 .— №2 .— С. 94-105 .— URL: https://rucont.ru/efd/364660 (дата обращения: 28.05.2022)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

КОДИРОВАНИЕ И ПЕРЕДАЧА ИНФОРМАЦИИ УДК 621.391 doi:10.15217/issn1684-8853.2016.2.56 ТЕОРЕТИКО-ИНФОРМАЦИОННЫЙ АНАЛИЗ МНОГОУРОВНЕВОЙ FLASH-ПАМЯТИ Часть 1: Модель канала и границы случайного кодирования А. Н. Трофимова, канд. техн. наук, доцент Ф. А. Таубина, доктор техн. наук, профессор аСанкт-Петербургский государственный университет аэрокосмического приборостроения, Санкт-Петербург, РФ функций от параметров гауссовых аппроксимаций. <...> Практическая значимость: благодаря полученным результатам можно достаточно точно оценить степень снижения предельно достижимой плотности записи в многоуровневой NAND flash-памяти, связанную с ростом числа циклов перезаписи и увеличением длительности хранения данных. <...> Это дает возможность, в частности, указать такие граничные значения числа циклов перезаписи и длительности хранения данных, при которых обеспечивается требуемая предельно достижимая плотность записи. <...> 0 в явном виде как Ключевые слова — многоуровневая NAND flash-память, канал записи, теорема кодирования, пропускная способность, граница случайного кодирования. <...> Благодаря неуклонно возрастающей плотности записи, высокой скорости записи/считывания, низкому энергопотреблению и продолжительному сроку службы, flash-память используется для хранения данных в весьма обширной сфере приложений — от потребительской электроники до корпоративных информационных систем [1, 2]. <...> Основным элементом хранения данных во flash-памяти является ячейка, представляющая собой транзистор с плавающим затвором. <...> Ячейка может находиться в одном из q ранжированных по уровню состояний: 0, 1, ., q – 1, — определяемых величиной заряда плавающего затвора и представляющих фактически некоторые порого56 ИНФОРМАЦИОННОУПРАВЛЯЮЩИЕ СИСТЕМЫ вые уровни напряжения, которые могут быть измерены. <...> Перевод ячейки из нулевого состояния в заданное ненулевое состояние (или из некоторого ненулевого состояния в более высокое состояние) осуществляется вводом в плавающий затвор <...>