КОДИРОВАНИЕ И ПЕРЕДАЧА ИНФОРМАЦИИ УДК 621.391 doi:10.15217/issn1684-8853.2016.2.56 ТЕОРЕТИКО-ИНФОРМАЦИОННЫЙ АНАЛИЗ МНОГОУРОВНЕВОЙ FLASH-ПАМЯТИ Часть 1: Модель канала и границы случайного кодирования А. Н. Трофимова, канд. техн. наук, доцент Ф. А. Таубина, доктор техн. наук, профессор аСанкт-Петербургский государственный университет аэрокосмического приборостроения, Санкт-Петербург, РФ функций от параметров гауссовых аппроксимаций. <...> Практическая значимость: благодаря полученным результатам можно достаточно точно оценить степень снижения предельно достижимой плотности записи в многоуровневой NAND flash-памяти, связанную с ростом числа циклов перезаписи и увеличением длительности хранения данных. <...> Это дает возможность, в частности, указать такие граничные значения числа циклов перезаписи и длительности хранения данных, при которых обеспечивается требуемая предельно достижимая плотность записи. <...> 0 в явном виде как Ключевые слова — многоуровневая NAND flash-память, канал записи, теорема кодирования, пропускная способность, граница случайного кодирования. <...> Благодаря неуклонно возрастающей плотности записи, высокой скорости записи/считывания, низкому энергопотреблению и продолжительному сроку службы, flash-память используется для хранения данных в весьма обширной сфере приложений — от потребительской электроники до корпоративных информационных систем [1, 2]. <...> Основным элементом хранения данных во flash-памяти является ячейка, представляющая собой транзистор с плавающим затвором. <...> Ячейка может находиться в одном из q ранжированных по уровню состояний: 0, 1, ., q – 1, — определяемых величиной заряда плавающего затвора и представляющих фактически некоторые порого56 ИНФОРМАЦИОННОУПРАВЛЯЮЩИЕ СИСТЕМЫ вые уровни напряжения, которые могут быть измерены. <...> Перевод ячейки из нулевого состояния в заданное ненулевое состояние (или из некоторого ненулевого состояния в более высокое состояние) осуществляется вводом в плавающий затвор <...>