УСПЕХИ ПРИКЛАДНОЙ ФИЗИКИ
НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ЖУРНАЛ
2013, том 1, № 2
Основан в 2013 г.
СОДЕРЖАНИЕ
ОБЩАЯ ФИЗИКА
Микаэлян М. А. Алгебра кватернионов и уравнение
Паули ..................................................................................... 127
Голятина Р.И., Майоров С.А. Расчеты зависимости характеристик
дрейфа иона в собственном газе от напряженности
электрического поля для инертных газов ......... 135
Охрем В.Г. Поперечная термоэдс и вихревые термоэлектрические
токи в анизотропном термоэлектрике ............. 141
Мусаев А.М. Особенности изменения электрических
параметров кремниевых p+
–n–n+
-структур, облученных
электронами .......................................................................... 147
Акаткин О.А., Кулиш О.А., Петрова О.В. Прогноз распределений
поглощенных доз по данным измерений в
низкоатомной среде при облучении нейтронами высоких
энергий .................................................................................. 151
ФИЗИКА ПЛАЗМЫ И ПЛАЗМЕННЫЕ МЕТОДЫ
Алферов Д.А., Ахметгареев М.Р., Сидоров В.А. Сильноточные
управляемые разрядники для различных применений
..................................................................................... 154
Корсунов К.А., Божко Р.Н. Повышение эффективности
работы электродуговых плазмотронов для обработки материалов
................................................................................ 161
Зибров М.С., Писарев А.А., Ходаченко Г.В., Мозгрин Д.В.
Создание тонких защитных углеродных покрытий на
алюминии .............................................................................. 167
Казиев А.В., Хромов П.А., Щелканов И.А., Ходаченко Г.В.,
Степанова Т.В., Тумаркин А.В. Экспериментальное исследование
сильноточного импульсного магнетронного
разряда с управляемой конфигурацией внешнего магнитного
поля ............................................................................... 173
Горшунов Н.М., Потанин Е.П. Влияние холловских эффектов
на устойчивость вращающейся плазмы ................ 178
Бакшт Ф.Г., Лапшин В.Ф. Перенос энергии излучением
в аксиально-симметричной ЛТР-плазме в условиях импульсного
разряда высокого давления в цезии ................. 183
Чихачев А.С. Ионно-электронный ансамбль в электрическом
поле ............................................................................... 189
ФОТОЭЛЕКТРОНИКА
Кеслер В.Г., Гузев А.А., Ковчавацев А.П., Курышев Г.Л.,
Царенко А.В., Панова З.В. Фоточувствительные МДПструктуры
со сверхтонким окислом на InAs ..................... 193
Пермикина Е.В., Кашуба А.С. Исследование особенностей
ростовых дефектов в слоях гетероструктур
Cdx
Hg1-x
Te, ухудшающих фотоэлектрические характеристики
матричных фотоприемных структур ....................... 200
Чилясов А.В., Моисеев А.Н., Степанов Б.С., Савлинов
К.Е., Котков А.П., Гришнова Н.Д. Выращивание эпитаксиальных
слоев Cdx
Hg1-x
Te на подложках GaAs большого
диаметра химическим осаждением из паров MOC и
ртути ...................................................................................... 209
Еремчук А.И., Полесский А.В., Самвелов А.В., Сысоев
Д.А., Хамидуллин К.А. Бесконтактный способ контроля
углового перемещения охладителя микрокриогенной системы
Стирлинга при охлаждении матричных фоточувствительных
устройств ........................................................ 216
Самвелов А.В., Теймурлы С.Н., Широков Д.А. Исследование
зависимостей технических характеристик микрокриогенных
систем с целью оптимизации .............................. 220
Еремчук А.И., Самвелов А.В., Широков Д.А., Сысоев Д.А.,
Оганесян Н.Н. Оптимизация давления рабочего газа при
промывке перед заполнением микрокриогенных систем
охлаждения МФПУ .............................................................. 224
ФИЗИЧЕСКАЯ АППАРАТУРА
Горелик Л.И., Полесский А.В. Двухдиапазонный инфракрасный
объектив ................................................................. 227
Бочков В.Д., Бычковский Я.С., Дражников Б.Н., Кондюшин
И.С., Козлов К.В. Информационно-измерительная
установка для контроля фотоэлектрических параметров
фотоприемных устройств .................................................... 231
Лопаткин С.В., Власов В.В., Данилов А.Г., Данилов Б.Г.,
Кручинин М.А. Влияние фракционного состава оксида
цинка (II) на некоторые электрофизические свойства оксидноцинковых
варисторов ................................................. 236
ИНФОРМАЦИЯ
Памяти Виталия Ивановича Стафеева ............................... 241
11-й Всероссийский семинар по проблемам электронной
и ионной оптики .................................................................. 243
Трехтомник по твердотельной фотоэлектронике .............. 245
Правила для авторов .......................................................... 247
Москва
Стр.1
Учредитель журнала:
Государственный Научный Центр Российской Федерации
ОАО «НПО «Орион»
Журнал зарегистрирован в Роскомнадзоре под номером
ПИ № ФС 77-53027
Международный стандартный серийный номер
ISSN 2307-4469
Выходит 6 раз в год
Главный редактор
А.М. Филачёв
Редакционная коллегия
А.Ф. Александров, С.Н. Андреев, В.И. Баринов (зам. главного редактора),
А.С. Бугаев, И.С. Гайдукова, В.А. Иванов, В.И. Конов, Ю.А. Лебедев,
М.Л. Лямшев, Г.Э. Норман, В.П. Пономаренко, А.А. Рухадзе, М.А. Тришенков,
Г.М. Фрайман, В.Ю. Хомич, В.А. Ямщиков, Yu.K. Pоjela, P.K. Shukla
Адрес редакции журнала "Успехи прикладной физики":
111123, Москва, шоссе Энтузиастов, д. 46/2,
ОАО «НПО «Орион»
Контактный телефон: 8 (499) 374-81-51
E-mail: advance@orion-ir.ru
Internet: advance.orion-ir.ru
Подписано в печать 25.04.2013.
Формат А4. Бумага офсетная.
Печать цифровая. Усл. печ. л. 17,0. Уч.-изд. л. 18,0
Тираж 140 экз. Цена договорная.
Отпечатано в типографии ЦНО «Угреша».
140090, г. Дзержинский МО,
ул. Академика Жукова, 24.
© Редколлегия журнала "Успехи прикладной физики",
составление, 2013
© ОАО «НПО «Орион», научное редактирование,
оформление, 2013
Стр.2
ADVANCES IN APPLIED PHYSICS
THE SCIENTIFIC AND TECHNICAL JOURNAL
2013, Vol. 1, No. 2
Founded in 2013
C O N T E N T S
Moscow
GENERAL PHYSICS
Mikaelyan M.A. Quaternion algebra and Pauli equation ........ 127
Golyatina R.I. and Mayorov S.A. Calculations of ion drift
dependence on electric fi eld strength in the proper gas .......... 135
Okhrem V.G Transverse thermopower and eddy thermoelectric
currents in anisotropic thermoelectrics ................................... 141
Musaev A.M. Peculiarities of changes in electrical properties
of silicon p+
-n-n+structures
irradiated with electrons ............. 147
Akatkin O.A., Culish O.A., and Petrova O.V. Forecasting
the absorption dosage distribution in low-atomic number
materials during a high energy neutron irradiations beam ...... 151
PLASMA PHYSICS AND PLASMA METHODS
Alferov D.F., Akhmetgareev M.R., and Sidorov V.V. Triggering
vacuum switch with axial magnetic fi eld ................................ 154
Korsunov K.A. and Brozhko R. N. Improving the effi ciency of
electric arc plasmatrons for materials processing ................... 161
Zibrov M.S., Pisarev A.A, Khodachenko G.V., and Mozgrin
D.V. Development of thin protective carbon-based coatings
on aluminum ........................................................................... 167
Kaziev A.V., Khromov P.A., Shchelkanov I.A., Khodachenko
G.V., Stepanova T.V., and Tumarkin A.V. Experimental study
of the high-current impulse magnetron discharge with contro
llable magnetic fi eld confi guration .......................................... 173
Gorshunov N.M. and Potanin E.P. Infl uence of the Hall
effects on stability of rotating plasma ..................................... 178
Baksht F.G. and Lapshin V.F. Radiative energy transfer in
axial-symmetric LTE plasma in conditions of pulse high
pressure cesium discharge ....................................................... 183
Chikhachev A.S. Ensemble of ions and electrons in the
electric fi eld ............................................................................. 189
PHOTOELECTRONICS
Kesler V.G., Guzev A.A., Kovchavtsev A.P., Kuryshev G.L.,
Tsarenko A.V., and Panova Z.V. photosensitive MIS sructures
based on ultrathin plasmic InAs oxide .................................... 193
Permikina E.V. and Kashuba A.S. Investigation of growing
defects infl uencing on photoelectric parameters of arrays
detector fabricated of Cdх
Hg1-х
Chilyasov
Hg1-x
A.V., Moiseev
A.N., Stepanov B.S., Savlinov
K.E., Kotkov A.P., and Grishnova N.D. Epitaxial growth of
Cdx
Te layers on the large diameter GaAs substrates by
MOCVD method ......................................................................... 209
Eremchuk A.I., Polessky A.V., Samvelov A.V., Sysojev D.A.,
and Hamidullin K.A. Contactless control method of angular
displacement of the cooling part of the microcryogenic
system of Stirling during cooling focal plane arrays .............. 246
Samvelov A.V., Shirokov D.A., and Teymurly S.N. .. Research
of technical characteristic dependences of microcryogenic
systems for its optimization .................................................... 220
Eremchuk A.I., Samvelov A.V., Shirokov D.A., Sysojev D.A.,
and Oganesyan N.N. Enhancement of working operations for
fi lling microcryogenic systems with cryoagent ...................... 224
PHYSICAL EQUIPMENT
Gorelik L.I., Polesskiy A.V., Semenchenko N.A., Khamidullin
K.A., and Yudovskaya A.D. . Dual-band infrared lens ............ 227
Bochkov V.D., Bychkovski Y.S., Drazhnikov B.N., Kondyushin
I.S., and Kozlov K.V. Information-measuring system for
monitoring parameters of photovoltaic photodetectors based
on lead chalcogenides ............................................................. 231
Lopatkin S.V., Vlasov V.V., Danilov A.G., Danilov B.G., and
Kruchinin M.A. Infl uence of fractional composition of zinc
oxide on electrophysical properties of zinc oxide varistors .... 236
INFORMATION
Memory about Vitaly I. Stafeev .............................................. 241
XI All-Russian seminar on electron and ion optics ................ 243
Three-volume edition on the solid-state photoelectronics ...... 245
Rules for authors .................................................................... 247
Te multilayered structures ...... 200
Стр.3