Известия высших учебных
заведений
ЭЛЕКТРОНИКА
Том 21 № 5
Учредители:
Министерство
образования и науки
Российской Федерации
Национальный
исследовательский
университет «МИЭТ»
Главный редактор
Чаплыгин Ю.А., чл.-корр. РАН,
д.т.н., проф.
Зам. главного редактора
Гаврилов С.А., д.т.н., проф.
Редакционная коллегия:
Бархоткин В.А., д.т.н., проф.
Бахтин А.А., канд. т. н., доц.
Быков Д.В., д.т.н., проф.
Горбацевич А.А., чл.-корр. РАН,
д.ф.-м.н., проф.
Грибов Б.Г., чл.-корр. РАН,
д.х.н., проф.
Казённов Г.Г., д.т.н., проф.
Коноплёв Б.Г., д.т.н., проф.
Коркишко Ю.Н., д.ф.-м.н., проф.
Королёв М.А., д.т.н., проф.
Красников Г.Я., акад. РАН,
д.т.н., проф.
Кубарев Ю.В., д.ф.-м.н., проф.
Лабунов В.А., акад. НАН
Беларуси, д.т.н., проф.
Максимов И.А., PhD, проф.
Лундского университета
(Швеция)
Меликян В.Ш., чл.-корр. НАН Армении,
д.т.н., проф.
Неволин В.К., д.ф.-м.н., проф.
Неволин В.Н., д.ф.-м.н., проф.
Петросянц К.О., д.т.н., проф.
Сазонов А.Ю., PhD, проф.
Университета Ватерлоо
(Канада)
Сауров А.Н., чл.-корр. РАН, д.т.н., проф.
Селищев С.В., д.ф.-м.н., проф.
Сигов А.С., акад. РАН,
д.ф.-м.н., проф.
Таиров Ю.М., д.т.н., проф.
Телец В.А., д.т.н., проф.
Тимошенков С.П., д.т.н., проф.
Тихонов А.Н., д.т.н., проф.
Усанов Д.А., д.ф.-м.н., проф.
© “Известия вузов.
Электроника”, 2016
© МИЭТ, 2016
СОДЕРЖАНИЕ
Материалы электронной техники
Вигдорович Е.Н., Ермошин И.Г. Рентгенодифрактометрические
исследования структурных свойств слоев
твердых растворов на основе нитрида галлия .................... 399
Гаджимагомедов С.Х., Алиханов Н.М.-Р., Эмиров Р.М.,
Палчаев Д.К., Мурлиева Ж.Х., Рабаданов М.Х.,
Садыков С.А., Хамидов М.М., Хашафа А. Д. Х. Структура
и свойства наноструктурированных материалов:
YBa2Cu3O7–, BiFeO3, Fe3O4 .................................................. 405
Микроэлектронные приборы и системы
Храпов М.О., Гридчин В.А., Калинин С.В. Анализ и
моделирование кремниевых вертикальных комплементарных
биполярных транзисторов ....................................... 413
Сурин Ю.В., Спиридонов А.Б., Лицоев С.В.,
Мартынова В.П., Межов А.В., Карповская А.А. Расчет
и исследование параметров МДП-варикапа с переносом
заряда для СВЧ-устройств L-диапазона .............................. 421
Светухин В.В., Новиков С.Г., Беринцев А.В.,
Черторийский А.А., Алексеев А.С. Двойное преобразование
энергии в радиоизотопном источнике питания ....... 429
Арутюнян С.С., Кагирина К.А., Лаврухин Д.В.,
Гамкрелидзе С.А., Иванова Н.Е. Устойчивость нитридных
СВЧ монолитных интегральных схем преобразователя
сигнала к облучению потоком нейтронов и гаммаизлучению
.............................................................................. 435
2016 сентябрь–октябрь
Научно-технический журнал
Издается с 1996 г.
Выходит 6 раз в год
Стр.1
Заведующая редакцией
С.Г. Зверева
Редактор
А.В. Тихонова
Научный редактор
С.Г. Зверева
Корректор
И.В. Проскурякова
Верстка
А.Ю. Рыжков
С.Ю. Рыжков
Адрес редакции: 124498,
г. Москва, г. Зеленоград,
пл. Шокина, д. 1, МИЭТ
Тел.: 8-499-734-6205
Е-mail: magazine@miee.ru
http://www.miet.ru
Подписано в печать 13.10.2016.
Формат бумаги 6084 1/8.
Цифровая печать.
Объем 11,16 усл.печ.л.,
10,032 уч.-изд.л.
Заказ 90.
Отпечатано
в типографии ИПК МИЭТ
124498, г. Москва, г. Зеленоград,
пл. Шокина, д. 1, МИЭТ
Свидетельство о регистрации
№ 014134
выдано Комитетом РФ по печати
12.10.95.
Включен в Перечень рецензируемых
научных изданий, в которых
должны быть опубликованы основные
научные результаты диссертаций
на соискание ученой степени кандидата
наук, на соискание ученой степени
доктора наук.
Включен в Российский индекс
научного цитирования и в Рейтинг
Science Index.
Включен в Russian Science Citation
Index на базе Web of Science.
Нанотехнология
Амиров И.И., Гременок В.Ф., Иванов В.А. Особенности
роста наноструктур по механизму пар–жидкость–
кристалл на поверхности пленок SnS при плазменной
обработке ............................................................................. 442
.............................................................................................
Зимин С.П., Горлачев Е.С., Мокров Д.А.,
Микро- и наносистемная техника
Уваров И.В., Морозов О.В., Аминов М.К.,
Изюмов М.О., Лемехов С.C., Куприянов А.Н.,
Козлов А.Н., Амиров И.И. Анализ изготовления чувствительного
элемента микроакселерометра ........................ 448
Андрианова М.С., Губанова О.В., Кузнецов А.Е.
Вольтамперометрический микросенсор на основе золотых
микроэлектродов, модифицированных высокоспецифическим
аптамером, для определения тромбина ........ 456
Абанин И.Е. Сравнительный анализ источников питания,
возбуждаемых различными β-изотопами................... 462
Микропроцессорная техника
Кочетков М.П. Совершенствование систем управления
мобильными роботизированными комплексами ....... 467
Краткие сообщения
Лемешко С.В., Сагунова И.В., Шевяков В.И. Особенности
процесса формирования диэлектрической модулированной
по толщине маски на основе локального
зондового окисления ........................................................... 475
Карташёв С.С., Лосев В.В., Крупкина Т.Ю. Исследование
и разработка схемы последовательного доступа к
flash-памяти .......................................................................... 478
Амеличев В.В., Поломошнов С.А., Николаева Н.Н.,
Тихонов Р.Д., Куприянова М.А. Электрохимический
процесс осаждения пленок пермаллоя для магнитополупроводниковых
микросистем .............................................. 482
Юбилеи
Неустроеву Степану Архиповичу – 90 лет ................... 485
Кубареву Юрию Васильевичу – 80 лет ......................... 486
К сведению авторов ............................................................ 487
394
Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 21 № 5 2016
Стр.2
Proceedings of Universities.
ELECTRONICS
Volume 21 N 5
Founders:
The Ministry
of Education and Science
of the Russian Federation
The National
Research University
of Electronic Technology
Editor-in-Chief
Chaplygin Yu.A., Dr. Sci. (Tech.),
Prof., Cor. Mem. RAS
Deputy Editor-in-Chief
Gavrilov S.A., Dr. Sci. (Tech.),
Prof.
Editorial Board:
Barkhotkin V.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Bahtin A.A., Cand. Sci. (Tech.)
Bykov D.V., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Gorbatsevich A.A., Dr. Sci. (Phys.-Math.),
Prof., Cor. Mem. RAS
Gribov B. G., Dr. Sci. (Chem.), Prof.
Kazennov G.G., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Konoplev B.G., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Korkishko Yu.N., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof.
Korolev M.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Krasnikov G.Ya., Dr. Sci. (Tech.), Prof.,
Acad. RAS
Kubarev Yu.V., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof.
Labunov V.A. (Belorussia),
Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Maksimov I.A. (Sweden), PhD, Prof.
of Lund University
Melikyan V.Sh. (Armenia), Dr. Sci. (Tech.),
Prof., Cor. Mem. NAS
Nevolin V.K., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof.
Nevolin V.N., Dr. Sci. (Phys.-Math.),Prof.
Petrosyantz K.O., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Sazonov A.Yu. (Canada), PhD,
Prof. of University of Waterloo
Saurov A.N., Dr. Sci. (Tech.), Prof.,
Cor. Mem. RAS
Selishchev S.V., Dr. Sci. (Phys.-Math.),Prof.
Sigov A.S., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof.,
Acad. RAS
Tairov Yu.M., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Telets V.A., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Timoshenkov S.P., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Tikhonov A.N., Dr. Sci. (Tech.), Prof.
Usanov D.A., Dr. Sci. (Phys.-Math.), Prof.
2016 September–October
The scientific-technical journal
Published since 1996
Published 6 times per year
CONTENTS
Electronic engineering materials
Vigdorovich E.N., Ermoshin I.G. X-Ray Diffractometric
Studies on Structural Properties of Solid Solution Layers
Based on Gallium Nitride ....................................................... 399
Gadzhimagomedov
S.H.,
Alikhanov N.M-R.,
Emirov R.M., Palchaev D.K., Murlieva Zh.Kh.,
Rabadanov M.Kh., Sadykov S.A., Khamidov M.M.,
Hashafa A.D.H. Structure and Properties of Nanostructured
Materials: YBCO, BiFeO3, Fe3O4 ........................................... 405
Microelectronic devices and systems
Hrapov M.O., Gridchin V.A., Kalinin S.V. Analysis and
Simulation of Silicon Vertical Complementary Bipolar
Transistors ............................................................................... 413
Surin Yu.V., Spiridonov A.B., Litsoev S.V.,
Martinova V.P., Mezhov A.V., Karpovskaya A.A. Calculation
and Investigation of Parameters of MIS Varicap with
Charge Transfer for Microwave Devices of L-Range ............. 421
Svetukhin V.V., Novikov S.G., Berintsev A.V.,
Chertoriysky A.A., Alekseev A.S. Double Step Energy Conversion
in Radioisotope Power Source ................................... 429
Arutyunyan S.S., Kagirina K.A., Lavrukhin D.V.,
© “Proceedings of Universities.
Electronics”, 2016
© MIET, 2016
Gamkrelidze S.A., Ivanova N.E. Stability of Nitride Microwave
Signal Converter ICs Irradiated by Neutrons and
Gamma Radiation ................................................................... 435
Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 21 № 5 2016
395
Стр.3
Head of editorial staff
Zvereva S.G.
Chief editors
Tikhonova A.V.,
Proskuryakova I.V.
Make-up
Ryzhkov S.Yu.
Ryzhkov A.Yu.
Address: 124498, Moscow, Zelenograd,
Bld. 1, Shokin Square, MIET, editorial
office of the Journal «Proceedings
of universities. Electronics»
Tel.: +7-499-734-62-05
E-mail: magazine@miee.ru
http://www.miet.ru
The journal is printed at the printing
workshop of the MIET
124498, Moscow, Zelenograd,
Bld. 1, Shokin Square, MIET
The registration certificate No.014134
was given by RF Press Committee
on 12.10.95.
The journal is included into the List
of reviewed scientific publications,
in which the main scientific results
of thesis for candidate of science and
doctor degrees must be published.
The journal is included into the Russian
index of scientific citing and into the
Rating Science Index.
The journal is included into the Russian
Science Citation Index on the Web
of Science basis.
Nanotechnology
Zimin S.P., Gorlachev E.S., Mokrov D.A., Amirov I.I.,
Gremenok V.F., Ivanov V.A. Features of Nanostructures
Growth via Vapor–Liquid–Solid Mechanism on Surface of
SnS Films during Plasma Treatment ..................................... 442
Micro- and nanosystem technology
Uvarov I.V., Morozov O.V., Aminov M.K., Izyumov M.O.,
Lemechov S.S., Kupriyanov A.N., Kozlov A.N., Amirov I.I.
Analysis of Process for Manufacturing Microaccelerometer
Sensitive Element .................................................................. 448
Andrianova M.S., Gubanova O.V., Kuznetsov A.E.
Voltammetric Microsensor Based on Gold Microelectrodes
Modified With Highly Specific Aptamer for Thrombin Determination
............................................................................. 456
Abanin I.E. Comparative Analysis of Power Sources Excited
by Various Я Isotopes .................................................... 462
Microprocessor systems
Kochetkov M.P. Improvement of Control Systems by Mobile
Robotic Complexes ........................................................ 467
Brief reports
Lemeshko S.V., Sagunova I.V., Shevyakov V.I. Peculiarities
of Process of Forming Dielectric Mask Modulated by
Thickness Based on Local Anodic Oxidation ....................... 475
Kartashev S.S., Losev V.V., Krupkina T.U. Research and
Development Circuit of Serial Access to Flash-Memory ...... 478
Amelichev V.V., Polomoshnov S.A., Nikolaeva N.N.,
Tikhonov R.D., Kupriyanova M.A. Electrochemical Deposition
Process for Permalloy Films on MagnetoSemiconductor
Microsystems ............................................... 482
396
Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА Том 21 № 5 2016
Стр.4