Распределение неосновных носителей заряда после их диффузии… <...> УДК 517.926; 51-73; 537.533.9 Распределение неосновных носителей заряда после их диффузии от тонкого планарного источника в полубесконечном полупроводниковом материале с дефектами на поверхности © В. <...> К.Э. Циолковского, Калуга, 248023, Россия Методами математического моделирования рассмотрена задача диффузии неосновных носителей заряда (ННЗ), генерированных в полупроводнике широким электронным пучком. <...> Изучено влияние дефектов на поверхности полупроводника на распределение ННЗ после их диффузии от тонкого планарного источника в полубесконечном полупроводнике [1]. <...> Расчеты проведены для различных материалов полупроводниковой электроники. <...> Ключевые слова: распределение неосновных носителей заряда, дефект, полупроводниковые материалы, электронный пучок. <...> Согласно так называемой модели независимых источников, на диффузию генерированных электронным пучком неравновесных ННЗ из любого микрообъема проводника не оказывают влияния другие электроны или дырки (из других микрообластей материала). <...> В этом случае для одномерной диффузии в полубесконечный полупроводник распределение избыточных ННЗ по глубине задается выражением z ; z — координата, отсчитываемая от 0 pzpz z, ) , () ( 00 0 dz где функция p(, 0)zz описывает распределение по глубине ННЗ, ге0, плоской поверхности в глубь проводника. <...> Распределение p(, 0)zz находится как решение дифференциального уравнения 2 00 Ddp z z p z z( , ) (, ) dz с граничными условиями 1 2 zz z 0 0 ()( ) нерированных плоским бесконечно тонким источником, находящимся на глубине 0z , В.В. Калманович, М.А. Степович, Е.В. Серегина, А.К. Горбунов Ddp z z(, ) 0 dz z0 где ρ(z) — число ННЗ, генерируемых вследствие внешнего воздействия в единицу времени в тонком слое мишени на глубине z (значения ρ(z) могут быть определены из соотношения для плотности энергии ρ*(z), выделяемой в этом слое мишени в единицу времени (делением ρ*(z) на энергию <...>