Электротехническое и конструкционное материаловедение. Полупроводниковые материалы и их применение (190,00 руб.)

Стр.5

Стр.6

УДК 621.34(07) М 896 Рецензенты: Г.А. Воробьёв – доцент кафедры прикладной математики Липецкого государственного педагогического университета; С.М. Колесников - директор Липецкого филиала НОУ ВПО «Международный институт компьютерных технологий» Музылева, И.В. М 896 Полупроводниковые материалы и их применение [Текст]: учебное пособие / И.В.Музылева Электротехническое и конструкционное материаловедение. - Липецк: Изд-во Липецкого государственного технического университета, 2014. - 81 с. ISBN В учебном пособии рассматриваются свойства классических полупроводниковых материалов и их применение в производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Предназначено для студентов направлений «Электроэнергетика и электротехника» профиля «Электропривод и автоматика» и «Мехатроника и робототехника», а также для студентов смежных специальностей. Ил. 53 Библиогр.: 4 назв ISBN © ФГБОУ ВПО «Липецкий государственный технический университет», 2014 г. © Музылева И.В, 2014. 7

Стр.5

ОГЛАВЛЕНИЕ Введение 8 Основы зонной теории12 Кремний и его свойства 23 Контактные явления в полупроводниках 31 Пробой pn-переходов 39 Полупроводниковые диоды 41 Полупроводниковые транзисторы 46 Биполярные транзисторы 46 Биполярный транзистор как отдельно взятый прибор и как часть ИС 49 МДП – транзисторы (МОП - транзисторы) 51 Диоды в интегральном исполнении53 Диффузионные резисторы 56 Технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИС 56 Сплавная технология ........................................................................................56 Диффузионная технология ...............................................................................59 Изготовление транзисторов по диффузионной технологии .............................63 Изготовление транзисторов по планарной технологии ....................................64 Метод ионного внедрения (ионная имплантация) ...........................................68 Эпитаксия. Эпитаксиально-диффузионная технология ...................................70 Изготовление биполярного транзистора разделительной диффузией ............73 Изготовление биполярного транзистора с применением поликристаллического кремния .......................................................................77 Изготовление МОП-структуры ........................................................................78 Пленочные технологии производства ИС ........................................................82 Заключительные этапы производства полупроводниковых приборов и ИС 85 Контактная металлизация.................................................................................85 Сборка и герметизация .....................................................................................85 Заключение 86 Библиографический список 86 ВВЕДЕНИЕ Производство и применение полупроводниковых материалов неотделимо от истории развития электроники как науки и электронной техники как важнейшей части жизни современного человека. 8

Стр.6