УДК 519.63 Способ выращивания кристаллов в условиях управляемого градиента температуры в расплаве © В. <...> А.В. Шубникова РАН НИЦ «Космическое материаловедение», Калуга, 248640, Россия 2 КФ МГТУ им. <...> Н.Э. Баумана, Калуга, 248000, Россия Разработан способ выращивания кристаллов для метода направленной кристаллизации с помощью перемещения осевого температурного поля без перемещения образца или нагревателя. <...> Управление осевым тепловым потоком, обеспечивающим поддержание постоянной скорости кристаллизации, осуществляется с помощью двух нагревателей по данным расположенных на оси термопар над и под кристаллом. <...> Управление всеми параметрами процесса кристаллизации в режиме реального времени осуществляется с помощью разработанного универсального компьютерного интерфейса. <...> Интерфейс отображает температуру на нагревателях и образце, скорость ее изменения на всех этапах процесса роста, управляющие коэффициенты, амплитуду, частоту и спектр дискретного преобразования Фурье подводимых механических возмущений (ускорений), угол отклонения оси роста кристалла от направления вектора гравитации. <...> Установка позволяет проводить эксперименты по физическому моделированию процессов тепломассопереноса при выращивании полупроводниковых кристаллов. <...> В работе [1] показана принципиальная возможность выращивания в космических условиях кристаллов с высокой однородностью свойств. <...> Однако реализовать особенности космических условий в наземных экспериментах можно только для тщательно выверенной физической модели, позволяющей выявить и изучить особенности тепломассопереноса (ТМП) в исследуемой системе, а также найти способы управляющего воздействия на ТМП в условиях пониженной интенсивности термогравитационной конвекции [2–4]. <...> Проведенные нами исследования на физической модели, разработанной для условий реальных экспериментов, в которой были рассчитаны скорости конвективного течения (интенсивности термогравитационной <...>