УДК 517.977, 519.626 Моделирование и оптимизация технологического процесса ионно-лучевого травления © А. <...> К. Э. Циолковского, Москва, 121552, Россия Рассмотрена задача оптимального управления процессом ионно-лучевого травления (ИЛТ) с помощью изменения угла падения ионного луча относительно мишени. <...> Показано, что изготовление микросхем с элементами субмикронных размеров обусловливает необходимость применения прогрессивных методов создания рельефного рисунка функциональных слоев, в том числе различных способов так называемого сухого травления. <...> Одним из таких способов является ИЛТ, основанное на действии моноэлектрических пучков ионов и позволяющее менять угол наклона мишени относительно ионного пучка, т. е. управлять углом наклона вытравливаемых элементов. <...> В рассматриваемой задаче эволюция поверхности произвольной формы в процессе ИЛТ описана нелинейным гиперболическим уравнением первого порядка. <...> Приведена функция, которая определяет угол, образованный лучом падения ионов и нормалью к распыляемой поверхности, для двух- и трехмерного случаев. <...> Для характеристики степени ухода геометрических размеров введен функционал и поставлена задача оптимального управления с нефиксированным временем. <...> Благодаря особенностям процесса ИЛТ задача с нефиксированным временем сведена к задаче с фиксированным временем. <...> Для этой задачи с использованием техники сингулярных вариаций установлен принцип максимума Понтрягина, на основе которого разработан программный комплекс для поиска оптимальных режимов для различных начальных профилей. <...> Рассмотрен процесс ИЛТ для полукруглой начальной маски. <...> Изготовление интегральных схем с элементами субмикронных размеров обусловливает необходимость применения прогрессивных методов создания рисунка функциональных слоев, таких как рентгено- и электронолитография, фотолитография в дальнем ультрафиолете для защитной маски, различных способов так называемого <...>