Н.Э. Баумана, Москва, 105005, Россия
Для радиотехнических устройств на основе наноразмерных многослойных полупроводниковых гетероструктур актуальна проблема обеспечения надежности вследствие чувствительности параметров гетероструктуры к процессам деградации
ввиду малости толщин слоев. <...> В данной работе проведены исследования термической деградации AlAs/GaAs наногетероструктуры и партии резонансно-туннельных
диодов с использованием методов ИК-спектральной эллипсометрии и ускоренного
старения полупроводниковых устройств. <...> В результате определены активационные
параметры диффузии (энергия активации и предэкспоненциальный множитель)
Al и Si в резонансно-туннельной структуре и приконтактных областях и зависимость контактного сопротивления AuGeNi омических контактов от времени
и температуры. <...> Полученные в настоящей работе числовые характеристики основных деградационных процессов могут быть использованы для прогнозирования
надежности резонансно-туннельных диодов и нелинейных преобразователей радиосигналов на их основе. <...> Ключевые слова: AlAs/GaAs гетероструктура, приконтактные области, AuGeNi
омические контакты, резонансно-туннельный диод, нелинейные преобразователи
радиосигналов, деградационные явления, термическое воздействие, коэффициент
диффузии, контактное сопротивление, ИК-спектральная эллипсометрия. <...> К таким
приборам относятся резонансно-туннельные диоды (РТД) на базе многослойных полупроводниковых AlAs/GaAs гетероструктур с поперечным токопереносом [1 — 3]. <...> Изменяя параметры слоев гетероструктуры (толщину, химический
состав), можно управлять формой вольт-амперной характеристики
(ВАХ). <...> Такое свойство РТД позволяет создавать на его базе различные
нелинейные преобразователи радиосигналов: смесители, выпрямители,
умножители и генераторы, функциональные характеристики которых
1 <...> Если
исследованиям свойств самих РТД [6–9] и проблемам их радиотехнических применений [10–13] посвящена обширная <...>