УДК 538.915
Свойства проводящего канала в тонких пленках
субоксида кремния
© П.С. Захаров, В.С. Зайончковский, Е.Б. Баскаков
КФ МГТУ им. <...> Н.Э. Баумана, г. Калуга, 248600, Россия
Проведен анализ вольт-амперных характеристик МДП-структур для различных
температур. <...> Основное внимание уделено проводящему каналу в матрице нестехиометрического оксида кремния. <...> С помощью построения графиков в различных координатах установлено, что лимитирующим механизмом проводимости является
эффект Шоттки. <...> Температурная зависимость тока для заданного напряжения
позволила определить величину энергетического барьера 0,12 эВ. <...> Показано, что
увеличение температуры образца на 200K приводит к значительному снижению
эффективной диэлектрической проницаемости материала проводящего канала, что
позволяет говорить о дипольной поляризации вещества. <...> Такое поведение может
быть обусловлено высоким содержанием заряженных дефектов в матрице нестехиометрического оксида, которые представляют собой трехкоординированные
атомы кремния, обладающие большей способностью к ориентации в электрическом
поле, чем четырехкоординированные. <...> Ключевые слова: МДП-структура, нестехиометрический оксид кремния, эффект
Шоттки, относительная диэлектрическая проницаемость. <...> Принцип ее работы основан на хранении электрического заряда в «плавающем» затворе МДП-транзистора. <...> Однако такой метод неизбежно
приводит к деградации подзатворного диэлектрика, его износу вследствие инжекции «горячих» носителей в «плавающий» затвор [1]. <...> В работах [2, 3] показано, что эффект обратимого переключения
проводимости в тонких (< 100 нм) пленках оксида кремния может лежать в основе альтернативного способа хранения информации. <...> Однако
существующие представления о механизмах изменения сопротивления
диэлектрических пленок довольно скудны: высказываются предположения об образовании проводящих каналов нанокристаллического
кремния [4], фазового распада вследствие миграции <...>