УДК 539.1.07
Установка измерения поглощенной дозы радиационного
излучения на основе транзисторных сенсоров
со структурой металл — диэлектрик — полупроводник
© В.В. Андреев, А.А. Столяров, И.В. Соловьев
Калужский филиал МГТУ им. <...> Н. Э. Баумана, Калуга, 248000, Россия
Представлено описание установки измерения поглощенной дозы радиационного излучения. <...> Показана возможность использования полевых транзисторов со структурой металл — диэлектрик — полупроводник в качестве компактных сенсоров радиации. <...> Приведено описание метода определения поглощенной дозы с использованием
сдвига порогового напряжения в результате облучения. <...> Рассмотрены методы повышения температурной стабильности измеряемых характеристик. <...> В современной микроэлектронике в качестве ключевых, усилительных элементов широкое применение нашли полевые транзисторы со
структурой металл — диэлектрик — полупроводник (МДП-транзисторы). <...> Кроме того, полевые транзисторы могут применяться в качестве
полупроводниковых накопительных датчиков радиационного облучения. <...> МДП-транзисторы обладают достаточно сильной чувствительностью к облучению и могут использоваться как накопительные дозиметры ионизирующего излучения [1–4]. <...> Под действием радиации в
объеме диэлектрика и на границе раздела диэлектрик — полупроводник проходят процессы ионизации. <...> Радиоактивная частица генерирует электронно-дырочные пары в объеме диэлектрика. <...> В связи с
большей подвижностью, чем у дырок, электроны покидают диэлектрик через контакты. <...> Под действием внешнего электрического поля происходит процесс дрейфа дырок к затвору
или подложке (в зависимости от полярности приложенного напряжения). <...> Ловушки образуются из-за внутренних
структурных нарушений диэлектрика и границы раздела с полупроводником. <...> При этом изменяется зарядовое состояние диэлектрика,
приводящее к сдвигу порогового напряжения транзистора. <...> При положительной полярности затвора в процессе облучения <...>