В. А. Горюнов, В. Я. Гришаев, Е. В. Никишин
ОБ ИЗМЕНЕНИИ ВРЕМЕН ЖИЗНИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА
ПРИ ИМПУЛЬСНОМ ФОТОВОЗБУЖДЕНИИ В КРЕМНИИ
С ГЛУБОКИМИ ПРИМЕСНЫМИ ЦЕНТРАМИ
Аннотация. <...> Приведены результаты численных исследований кинетики фотопроводимости в кремнии с двумя рекомбинационными центрами. <...> Времена жизни при снятии фотовозбуждения за счет эмиссии
электронов с донорных центров увеличиваются на несколько порядков. <...> Это
приводит к наличию на релаксационных кривых концентраций электронов и
дырок участков «быстрого» и «медленного спада». <...> Ключевые слова: кремний, кинетика фотопроводимости, рекомбинационные
центры, эмиссия электронов, времена жизни электронов и дырок. <...> Введение
Кинетика фотопроводимости в кремнии определяется различными механизмами рекомбинации: рекомбинацией Шокли – Рида, межзонной рекомбинацией, безызлучательной экситонной рекомбинацией, межзонной Ожерекомбинацей [1–6]. <...> Необходимость учета того или иного механизма связана
в первую очередь с наличием уровней захвата и рекомбинации в полупроводнике и уровнями возбуждения. <...> При лазерных возбуждениях проявляется нелинейная рекомбинация, обусловленная межзонной излучательной и межзонной безызлучательной Оже-рекомбинацией [5–6]. <...> В рамках такого рода представлений обычно не учитывается перезарядка рекомбинационных центров,
которая при определенных темпах генерации может приводить к существенному изменению времен жизни свободных носителей заряда. <...> Это связано
с тем, что изменяется функция распределения электронов на донорных уровнях и дырок на акцепторных, что приводит к изменению темпа рекомбинации
избыточных носителей заряда. <...> Следует ожидать, что при освещении полупроводника и при снятии возбуждения светом времена жизни электронов и
дырок будут изменяться при переходе к стационарному и равновесному
состояниям соответственно [7]. <...> Физическая модель фотопроводимости
в кремнии при средних уровнях инжекции
Исследована <...>