С. В. Булярский, М. С. Ермаков
ВЛИЯНИЕ ОБЛУЧЕНИЯ ГАММА-КВАНТАМИ
НА СВОЙСТВА p-n-ПЕРЕХОДОВ НА ОСНОВЕ GaAs
Аннотация. <...> При облучении образцов на основе GaAs гамма-квантами с энергией 1,25 МэВ было выявлено, что в образцах с дозой 0,3 Мрад, происходит
уменьшение количества дефектов. <...> Для анализа экспериментальных данных
применялась такая физическая величина, как приведенная скорость рекомбинации, которая обратна к времени жизни носителей заряда. <...> Irradiation of samples on the basis of GaAs scale in quanta with energy
1,25 MeV, were considered. <...> It has been revealed reduction of quantity of defects in
samples with an irradiation dose 0,3 Mrad. <...> Для прогнозирования работы полупроводниковых приборов в условиях
повышенной радиации необходимо исследовать изменение их свойств под
действием излучений [1, 2]. <...> Наиболее важным представляется определение
электрически активных дефектов, образовавшихся под действием ионизирующих излучений, а также выяснение их роли в изменении электрических
свойств приборов. <...> Излучение приводит к модификации свойств полупроводниковых материалов, открывая новые возможности для их применения в
электронике [3]. <...> Настоящая работа посвящена исследованию процессов, происходящих
в диодах на основе арсенида галлия, до и после облучения их гаммаизлучением c энергией 1,25 МэВ. <...> Для исследования использовались светодиоды, излучающие свет в инфракрасном диапазоне, с длиной волны 940 нм. <...> До и после облучения измерялись вольт-амперные, вольт-емкостные характеристики приборов, а также проводилось исследование их термостимулированной емкости. <...> Методики измерения и обработки результатов подробно
описаны в работах [1, 2]. <...> Для проведения анализа вольт-амперных характеристик (ВАХ) использовалась новая физическая величина – приведенная скорость рекомбинации
Rпр , которая является обратной времени жизни, определяется как
qU
m exp <...> Поволжский регион
уровня; ni – концентрация собственных носителей заряда; n1m – концентрация носителей заряда для m-го уровня; Ntm – концентрация глубокого
уровня <...>