Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 582725)
Консорциум Контекстум Информационная технология сбора цифрового контента
Уважаемые СТУДЕНТЫ и СОТРУДНИКИ ВУЗов, использующие нашу ЭБС. Рекомендуем использовать новую версию сайта.
Известия высших учебных заведений. Электроника

Известия высших учебных заведений. Электроника №6 2013 (915,20 руб.)

0   0
Страниц107
ID227190
Аннотация На страницах журнала освещаются результаты научно-исследовательских работ, выполненных в вузах и НИИ, методические аспекты преподавания с учетом современных требований и форм обучения, дается информация о научных конференциях. Формируются специальные выпуски по тематическому признаку.
Известия высших учебных заведений. Электроника .— Москва : Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" .— 2013 .— №6 .— 107 с. : ил. — URL: https://rucont.ru/efd/227190 (дата обращения: 26.05.2022)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

Известия высших учебных заведений ЭЛЕКТРОНИКА 6(104)’2013 Учредители: Министерство образования и науки Российской Федерации Национальный исследовательский университет «МИЭТ» Научно-технический журнал Издается с 1996 г. Выходит 6 раз в год Главный редактор Вернер В.Д., д.ф.-м.н., проф. <...> Численное моделирование влияния нестационарных условий на образование концентрационных полос роста при выращивании кристаллов методом Бриджмена ......................................... Технология микро- и наноэлектроники Новак А.В. <...> Формирование пленок поликристаллического кремния с полусферическими зернами для конденсаторных структур с повышенной емкостью ..................... Микроэлектронные приборы и системы 3 10 Быстрицкий С.А., Клюкин В.И., Бормонтов Е.Н. <...> Схемотехнические способы реализации метода импульсной подкачки мощности в многофазных адиабатических драйверах резонансного типа............................................... 24 Нанотехнология Герасименко Н.Н., Смирнов Д.И., Медетов Н.А., Запорожан О.А. <...> Влияние размерных эффектов на радиационную стойкость нанокристаллических материалов ........ 31 Громов Д.Г., Галперин В.А., Миронов А.Е., Кицюк Е.П., Дубков С.В., Лебедев Е.А., Смирнов В.В. <...> Отпечатано в типографии ИПК МИЭТ 124498, Москва, Зеленоград, проезд 4806, д. <...> Алгоритмы компенсации сосредоточенных по спектру помех для сигналов с ортогональным частотным мультиплексированием ................ Куденко И.В., Скляров С.В., Шишкевич А.А. <...> Синтез структурной схемы территориально-распределенной информационно-управляющей вычислительной системы реального времени на базе ЛВС Ethernet и EtherCAT ..... <...> Методы и алгоритмы оптимизации оперативного и календарного планирования производственного процесса сборки и испытаний микросхем .......... Интегральные радиоэлектронные устройства Горохов С.В., Пименов А.В., Шарамок А.В. <...> Выбор параметров синхронизации системы связи с псевдослучайной перестройкой рабочей частоты ............................. Балабанов А.А., Кузнецов С.Н. <...> Анализ импульсных генераторов с одним <...>
Известия_высших_учебных_заведений._Электроника._№6_2013.pdf
Стр.1
Стр.2
Стр.95
Стр.96
Стр.97
Стр.98
Стр.99
Стр.100
Стр.101
Стр.102
Стр.103
Стр.104
Стр.105
Известия_высших_учебных_заведений._Электроника._№6_2013.pdf
Известия высших учебных заведений ЭЛЕКТРОНИКА 6(104)’2013 Учредители: Министерство образования и науки Российской Федерации Национальный исследовательский университет «МИЭТ» Главный редактор Вернер В.Д., д.ф.-м.н., проф. Зам. главного редактора Чаплыгин Ю.А., чл.-корр. РАН, д.т.н., проф. Редакционная коллегия: Амербаев В.М., акад. НАН Респ. Казахстан, д.т.н., проф. Бархоткин В.А., д.т.н., проф. Быков Д.В., д.т.н., проф. Гаврилов С.А., д.т.н., проф. Грибов Б.Г., чл.-корр. РАН, д.т.н., проф. Казённов Г.Г., д.т.н., проф. Коноплёв Б.Г., д.т.н., проф. Коркишко Ю.Н., д.ф.-м.н., проф. Королёв М.А., д.т.н., проф. Кубарев Ю.В., д.т.н., проф. Лабунов В.М., акад. НАН Беларуси, д.т.н., проф. Максимов И.А., PhD, проф. Лундского университета (Швеция) Неволин В.К., д.ф.-м.н., проф. Неволин В.Н., д.ф.-м.н., проф. Петросянц К.О., д.т.н., проф. Руденко А.А., канд.т.н., доц. Сазонов А.Ю., PhD, проф. Университета Ватерлоо (Канада) Таиров Ю.М., д.т.н., проф. Телец В.А., д.т.н., проф. Тихонов А.Н., д.т.н., проф. Усанов Д.А., д.ф.-м.н., проф. © “Известия вузов. Электроника”, 2013 © МИЭТ, 2013 СОДЕРЖАНИЕ Материалы электронной техники Гончаров В.А., Дормидонтов А.Н. Численное моделирование влияния нестационарных условий на образование концентрационных полос роста при выращивании кристаллов методом Бриджмена ......................................... 3 Технология микро- и наноэлектроники Новак А.В. Формирование пленок поликристаллического кремния с полусферическими зернами для конденсаторных структур с повышенной емкостью ..................... 10 Микроэлектронные приборы и системы Быстрицкий С.А., Клюкин В.И., Бормонтов Е.Н. Кольцевой генератор, управляемый напряжением, для высокоскоростных систем ФАПЧ ....................................... 17 Лосев В.В., Крупкина Т.Ю., Чаплыгин Ю.А. Схемотехнические способы реализации метода импульсной подкачки мощности в многофазных адиабатических драйверах резонансного типа............................................... 24 Нанотехнология Герасименко Н.Н., Смирнов Д.И., Медетов Н.А., Запорожан О.А. Влияние размерных эффектов на радиационную стойкость нанокристаллических материалов ........ 31 Громов Д.Г., Галперин В.А., Миронов А.Е., Кицюк Е.П., Дубков С.В., Лебедев Е.А., Смирнов В.В. Емкостные свойства конденсаторной структуры с двойным электрическим слоем на основе углеродных нанотрубок и ортофосфорной кислоты ...................................................... 39 Научно-технический журнал Издается с 1996 г. Выходит 6 раз в год
Стр.1
Заведующая редакцией С.Г. Зверева Редактор А.В. Тихонова Научный редактор С.Г. Зверева Корректор Л.Ф. Летунова Компьютерный дизайн, верстка А.Ю. Рыжков С.Ю. Рыжков Адрес редакции: 124498, Москва, Зеленоград, проезд 4806, д. 5, МИЭТ Тел.: 8-499-734-6205 Е-mail: magazine@miee.ru http://www.miet.ru Подписано в печать 6.12.2013. Формат бумаги 6084 1/8. Цифровая печать. Объем 12,09 усл.печ.л., 11,3 уч.-изд.л. Заказ № 88. Отпечатано в типографии ИПК МИЭТ 124498, Москва, Зеленоград, проезд 4806, д. 5, МИЭТ Свидетельство о регистрации № 014134 выдано Комитетом РФ по печати 12.10.95. Включен в Перечень российских рецензируемых научных журналов, в которых должны быть опубликованы основные научные результаты диссертаций на соискание ученых степеней доктора и кандидата наук. Включен в Российский индекс научного цитирования. Contents ................................................................................ 94 Abstracts ............................................................................... 95 Тематический указатель статей, опубликованных в 2013 году ................................................................................ 99 Информационные технологии Назаров Л.Е., Зудилин А.С. Алгоритмы компенсации сосредоточенных по спектру помех для сигналов с ортогональным частотным мультиплексированием ................ 45 Куденко И.В., Скляров С.В., Шишкевич А.А. Синтез структурной схемы территориально-распределенной информационно-управляющей вычислительной системы реального времени на базе ЛВС Ethernet и EtherCAT ..... 52 Матвеев В.А. Методы и алгоритмы оптимизации оперативного и календарного планирования производственного процесса сборки и испытаний микросхем .......... 62 Интегральные радиоэлектронные устройства Горохов С.В., Пименов А.В., Шарамок А.В. Выбор параметров синхронизации системы связи с псевдослучайной перестройкой рабочей частоты ............................. 70 Балабанов А.А., Кузнецов С.Н. Анализ импульсных генераторов с одним реактивным элементом ................... 76 Краткие сообщения Неустроев С.А. Определение межатомных расстояний в кристаллах кубического углерода ................................... 82 Петросянц К.О., Кожухов М.В., Смирнов Д.С. Влияние изохронного и изотермического отжига на процесс восстановления коэффициента усиления по току кремниевого биполярного транзистора, подвергнутого воздействию радиации .............................................................. 85 Щагин А.В., Йе Тун Тэйн. Оптимальное управление нагревом диффузионной установки ................................... 87 Тин Чжо, В.М. Трояновский, Ян Лин Аунг. Программа верификации данных компьютерного эксперимента .. 90 Гуляев А.В., Турканов Г.И., Сакилов С.Б., Балашов А.Г. Построение высоконагруженной информационной системы c облачным хранилищем данных.................................. 92 2 Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА № 6(104) 2013
Стр.2
CONTENTS Electronic engineering materials V.A. Goncharov, A.N. Dormidontov Numerical Simulation of Influence of Non-Stationary Conditions on Formation of Growth Striation in Bridgman Crystal Growth Method ....................................... Micro-and nanoelectronics technology A.V. Novak Formation of Hemispherical-Grain Polycrystalline Silicon Films for Capacitor Structures with Increased Capacitance .................................................................................................................... Microelectronic devices and systems S.A. Bystritsky, V.I. Klyukin, E.N. Bormontov Voltage Controlled Ring Oscillator for High Frequency PLL Systems .............................................................................................................................. V.V. Losev, T.Yu. Krupkina, Yu.A. Chaplygin Circuit Engineering Implementation of Pulse Power Pumping Methods in Multi-Phase Adiabatic Resonant Drivers ............................................................. Nanotechnology N.N. Gerasimenko, D.I.Smirnov, N.A.Medetov, O.A. Zaporozhan Influence of Dimensional Effects on Radiation Hardness of Nanocrystalline Materials ............................................................................. D.G. Gromov, V.A. Galperin, A.E. Mironov, E.P. Kitsyuk, S.V. Dubkov, Ye.A. Lebedev, V.V. Smirnov Capacitance Properties of Capacitor Structure with Double Electric Layer Based on Carbon Nanotubes .................................................................................................................................. Information technologies L.E. Nazarov, A.S. Zudilin Algorithms for Compensation of Spectrum Concentrated Noises for Signals with Orthogonal Frequency Multiplexing ....................................................................................... I.V. Kudenko, S.V. Sklyarov, A.A. Shishkevich Synthesis of Structural Scheme of Geographically Distributed Information and Control Real-Time Computer System Based on Ethernet Lan and Modification Ethercat ..................................................................................................................................... V.A. Matveev Methods and Algorithms for Operative and Scheduling Planning in Semiconductor Assembly and Test Manufacturing Process ................................................................................................ Integrated radioelectronic devices S.V. Gorokhov, A.V. Pimenov, A.V. Sharamok Parameter Determination of Time Synchronization in Communication System with Frequency Hopping Spread Spectrum .................................................. A.A. Balabanov, S.N. Kuznetsov Pulse Generators with One Reactive Element ................................... Brief reports S.A. Neustroev Determination of Interatom Distances in Cubic Carbon Crystals .................................. K.O. Petrosyants, M.V. Kozhukhov, D.S. Smirnov Influence of Isochronal and Isothermal Annealing on Current Gain of Gamma-Ray Irradiated Silicon Bipolar Transistors ................................................ A.V. Schagin, Ye. Tun Thein Optimal Control of Diffusion Furnace Temperature ............................... Htin Kyaw, V.M. Troyanovskyi, Yan Lin Aung Program of Data Verification of Computer Experiment ........................................................................................................................................................ A.V. Gulayev, G.I. Turkanov, S.B. Sakilov, A.G. Balashov Creation of High-Load Information System with Cloud Storage ........................................................................................................................... 94 Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА № 6(104) 2013 70 76 82 85 87 90 92 45 52 62 31 39 17 24 10 3
Стр.95
ABSTRACTS ELECTRONIC ENGINEERING MATERIALS Numerical Simulation of Influence of Non-Stationary Conditions on Formation of Growth Striation in Bridgman Crystal Growth Method V.A. Goncharov, A.N. Dormidontov National Research University of Electronic Technology, Moscow The influence of the non-stationary effects in furnace of formation of the microscopic nonuniformity of the impurity in crystal has been investigated. By means of the numerical simulation the microsegregation value has been determined at the temperature fluctuation on heaters within 0.05 – 1 K and unsteady moving of an ampoule with the step from 0.01 to 0.1 mm. The obtained results can be used for formation of the requirements for designing the semiconductors crystals growth equipment by the vertical Bridgman method. Keywords: semiconductor crystals growth, Bridgman method, growth striation, numerical simulation. MICRO-AND NANOELECTRONICS TECHNOLOGY Formation of Hemispherical-Grain Polycrystalline Silicon Films for Capacitor Structures with Increased Capacitance A.V. Novak National Research University of Electronic Technology, Moscow The effect of the formation conditions on the morphology of hemispherical-grain polycrystalline silicon (HSG-Si) films produced by the low-pressure chemical vapor deposition (LPCVD) has been studied using the atomic-force microscopy. The formation conditions of HSG-Si films with large surface area have been found. The obtained HSG-Si films have provided the fabrication of the capacitor structures with the capacitance two times higher than that one in capacitors with the «smooth» poly-Si film electrodes. Keywords: HSG-Si films, rugged surface polycrystalline silicon films, low pressure chemical vapor deposition (LPCVD), atomic-force microscopy (AFM). MICROELECTRONIC DEVICES AND SYSTEMS Voltage Controlled Ring Oscillator for High Frequency PLL Systems S.A. Bystritsky, V.I. Klyukin, E.N. Bormontov Voronezh State University The electric circuit of the voltage controlled oscillator (VCO), oriented to the FPGA-integrated high frequency phase-locked loop (PLL) applications, have been presented. The simulation has shown the maximum VCO working frequency of 2 GHz with implementation in 180 nm CMOS process. The measured phase noise is -99 dBc/Hz at 1 MHz offset. Keywords: voltage controlled oscillator, gain linearity, phase-locked loop, phase noise, power consumption, field-programmable gate array. Circuit Engineering Implementation of Pulse Power Pumping Methods in Multi-Phase Adiabatic Resonant Drivers V.V. Losev, T.Yu. Krupkina, Yu.A. Chaplygin National Research University of Electronic Technology, Moscow The methods of the circuit development for adiabatic pumping for the drivers of the resonance type have been considered. The possible circuit configurations of the auto pump supply and pulse timing have been Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА № 6(104) 2013 95
Стр.96
identified. The methods of implementing the circuit blocks of the pump power auto-regulation have been analyzed. The circuit engineering options for the main auto pump power supply units have been developed. By means of the computer simulation the efficiency of the 4-phase adiabatic driver has been verified. Keywords: resonant circuit, pulse power pumping, system of automatic regulation, adiabatic driver, comparator. NANOTECHNOLOGY Influence of Dimensional Effects on Radiation Hardness of Nanocrystalline Materials N.N. Gerasimenko1,2, D.I.Smirnov1,2, N.A.Medetov1,3, O.A. Zaporozhan1 1National Research University of Electronic Technology, Moscow 2The P.N.Lebedev Physical Institute of the RAS (Moscow) 3Kustanay Social-Technical University (Kazakhstan) Based on the analysis of the literature data the problems of the radiation hardness of nanostructures and materials have been listed, and the phenomenological model of the radiation hardness based on behavior of the close Frenkel pairs has been formulated. For verification of the proposed model the influence of the dimensional effect on a structural degradation of the nanoporous silicon samples upon the irradiation by phosphor ions has been investigated. The impact of elastic mechanical tension on the radiation hardness of the investigated structures has been determined. Keywords: radiation hardness, ion irradiation, nanostructures, nanoporous silicon. Capacitance Properties of Capacitor Structure with Double Electric Layer Based on Carbon Nanotubes D.G.Gromov1, V.A.Galperin2, A.E.Mironov1, E.P.Kitsyuk2, S.V.Dubkov1, Ye.A.Lebedev1, V.V.Smirnov1 1National Research University of Electronic Technology, Moscow 2LLC «Electronic Devices and Systems», Moscow Scientific-manufacturing complex «Technological Centre» The way of enhancing the capacitance of the double electric layer capacitor using an array of the carbon nanotubes formed by the PECVD method, stimulated by plasma, has been described. The morphology of electrodes has been investigated by the scanning electron microscopy. The capacitance of the capacitors has been measured with various electrolytes. It has been shown that the de-ionized water using as an electrolyte increases the capacitance of the capacitor with the electrodes based on the carbon nanotubes for 103 times compared to the flat electrodes, and the use of the ortho phosphoric acid solution allows the capacitance increase for 3104 times. The ways of the supercapacitor performance improvement have been considered. Keywords: supercapacitor, electrical double layer, PECVD, nanotubes. INFORMATION TECHNOLOGIES Algorithms for Compensation of Spectrum Concentrated Noises for Signals with Orthogonal Frequency Multiplexing L.E.Nazarov1, A.S.Zudilin2 1Kotel’nikov Institute of Radio-engineering and electronics of RAS, Fryazino 2JSC «Russian Space Company, Moscow» The descriptions and results of modeling the algorithms of compensation of the spectrum concentrated noises in connection with the signals with the orthogonal frequency multiplexing (OFDM-signals): the algorithm of the noise adaptive compensation in the time region and that one of the noise compensation in the frequency region – have been presented. Keywords: OFDM, noise reduction, narrow-band noise. 96 Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА № 6(104) 2013
Стр.97
Synthesis of Structural Scheme of Geographically Distributed Information and Control Real-Time Computer System Based on Ethernet Lan and Modification Ethercat I.V. Kudenko1, S.V. Sklyarov, A.A. Shishkevich2 1JSC «STC ELINS», Moscow 2National Research University of Electronic Technology, Moscow An engineering technique for synthesis of the structural scheme of the geographically distributed information and control real-time computer system based on the Ethernet LAN and its EtherCAT modification has been offered. Keywords: network EtherCAT, device type «slave», the algorithmic model, physical model, the task of inter-application sharing, graph of algorithmic model, network segment EtherCAT, synthesis algorithm, stickiness factor, the optimization criterion. Methods and Algorithms for Operative and Scheduling Planning in Semiconductor Assembly and Test Manufacturing Process V.A. Matveev Scientific-Manufacturing Company «Technology» LLC The problems of the operative and scheduling planning in production of microelectronic items have been considered. The review and analysis of the existing methods and algorithms have been performed. To solve these problems the computing procedures of the hybrid genetic algorithm with an additional search procedure have been offered. Keywords: the optimum schedule, semiconductor manufacturing, genetic algorithms, algorithms combination. INTEGRATED RADIOELECTRONIC DEVICES Parameter Determination of Time Synchronization in Communication System with Frequency Hopping Spread Spectrum S.V. Gorokhov1, A.V. Pimenov2, A.V. Sharamok2 1Ancud Ltd, Moscow 2National Research University of Electronic Technology, TCS department, Moscow The properties of the subsystem of synchronization for simplex communication devices, which uses pseudorandom frequency hopping have been investigated. Based on the results and with the account of the requirements for the device the synchronization parameters, allowing provision of the maximum operation time and high synchronization probability, have been chosen. Keywords: communication device synchronization, frequency hopping spread spectrum, communication system modeling. Pulse Generators with One Reactive Element A.A. Balabanov, S.N. Kuznetsov National Research University of Electronic Technology, Moscow An approach, permitting to design pulse generators with one reactive element based on construction of the active two-pole network volt-ampere characteristics, has been described. The approach enables to easily reveal the conditions of the generator excitation, and it is notable for its clearness and simplicity of obtaining the ratios for the parameters of the generated signals. Keywords: pulse generator, phase portrait, volt-ampere characteristics. Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА № 6(104) 2013 97
Стр.98
BRIEF REPORTS Determination of Interatom Distances in Cubic Carbon Crystals S.A. Neustroev National Research University of Electronic Technology, Moscow The distances between atoms in the crystal cell and tetrahedrons and between tetrahedrons in the cubic carbon crystal have been determined. Keywords: c-C, molecular links, tetrahedron, prism. Influence of Isochronal and Isothermal Annealing on Current Gain of Gamma-Ray Irradiated Silicon Bipolar Transistors K.O. Petrosyants1, M.V. Kozhukhov1, D.S. Smirnov2 1Moscow Institute of Electronics and Mathematics of National Research University «Higher Schools of Economics» 2JSC «NPP «Pulsar» The influence of the isochronal and isothermal annealing on the electric parameters of the gammairradiated silicon bipolar transistor has been investigated. The dependence of the restoration process of the current gain for two kinds of annealing has been obtained. Keywords: silicon bipolar transistor, ionizing radiation, isothermal annealing, isochronal annealing. Optimal Control of Diffusion Furnace Temperature A.V. Schagin, Ye Tun Thein National Research University of Electronic Technology, Moscow The problem of optimal control of heat diffusion furnace at the stage of the temperature bringing to the starting value of the diffusion process has been considered. The obtained control principle provides more stability in the process of diffusion, decreases the dispersion parameters of the semiconductor structures and increases the output percentage of suitable products. Keywords: optimal control system, the process of diffusion. Program of Data Verification of Computer Experiment Htin Kyaw, V.M. Troyanovskyi, Yan Lin Aung National Research University of Electronic Technology, Moscow The features of creating the efficient tool for the experimental data verification and the working program with a visual display of the results and their statistical reliability have been considered. Keywords: confidence intervals, computer experiment, verification. Creation of High-Load Information System with Cloud Storage A.V. Gulayev1, G.I. Turkanov1, S.B. Sakilov1, A.G. Balashov2 1Klastek Ltd 2National Research University of Electronic Technology, Moscow The architecture of the information storage designed for integration, storage, on-line request search of information in the distributed network of the data providers, offering the cloud storage, has been proposed. The key factors affecting the work of the high-load information system and the design concepts for such system have been described. Keywords: cloud calculations, high load, information system, distributed storage. 98 Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА № 6(104) 2013
Стр.99
Тематический указатель статей, опубликованных в 2013 году Материалы электронной техники Вигдорович Е.Н. Метастабильное состояние системы CdTe–HgTe. № 3(101), с. 3. Гончаров В.А., Дормидонтов А.Н. Численное моделирование влияния нестационарных условий на образование концентрационных полос роста при выращивании кристаллов методом Бриджмена. № 6(104), с. 3. Козюхин С.А., Шерченков А.А., Бабич А.В. Фазовое разделение в халькогенидных полупроводниках системы Ge–Te при термоциклировании. № 2(100), с. 3. Кореновский Н.Л., Петров В.С., Полунина А.А., Гайдар А.И., Столяров В.Л., Васильевский В.В., Монахов И.С., Клюева Н.Е. Композитный материал на основе пористого титана для селективного поглощения водорода из газовых смесей. № 2(100), с. 9. Яковлев В.Б., Бардушкин В.В., Лавров И.В., Яковлева Е.Н. Моделирование частотной дисперсии эффективных диэлектрических характеристик композиционных материалов. № 3(101), с. 7. Технология микро- и наноэлектроники Блинов Г.А., Борисов А.Г., Любимов А.В. Технология фольгированного полиимида для плоских электромагнитных компонентов. № 4(102), с. 13. Бобовников П.Г., Ермаков А.С., Матюшкин И.В., Орлов С.Н., Свечкарев К.П., Шелепин Н.А., Михайлов А.Н., Белов А.И. Автоэмиссия из наноструктур на основе карбида кремния и влияние на нее образующихся субоксидных SiOх-покрытий. I. Конструктивно-технологические особенности SiC-микрокатодов. Обзор. № 4(102), с. 3. Бобовников П.Г., Ермаков А.С., Матюшкин И.В., Орлов С.Н., Свечкарев К.П., Шелепин Н.А., Михайлов А.Н., Белов А.И. Автоэмиссия из наноструктур на основе карбида кремния и влияние на нее образующихся субоксидных SiOх-покрытий. II. Эмиссионные свойства SiCнанопротрузий. Обзор. № 5(103), с. 3. Долгий Л.Н., Ловшенко И.Ю., Нелаев В.В. Технология формирования и электрические характеристики полевого датчика Холла на основе КНИ-структуры. № 1(99), с. 3. Кислицин М.В., Королёв М.А., Красюков А.Ю. Исследование процесса формирования пленки оксида кремния из раствора тетраэтоксисилана золь-гель методом. № 2(100), с. 17. Короткий О.В. Особенности объемного планирования в задаче автоматизированного управления мелкосерийным производством микросхем. № 3(101), с. 16. Новак А.В. Формирование пленок поликристаллического кремния с полусферическими зернами для конденсаторных структур с повышенной емкостью. № 6(104), с. 10. Яремчук А.Ф., Старков А.В., Заикин А.В., Алексеев А.В., Соколов Е.М. Применение методики поверхностной фотоЭДС для контроля качества кремниевых эпитаксиальных слоев на сапфире. № 5(103), с. 14. Микроэлектронные приборы и системы Белоусов Е.О., Тимошенко А.Г. Метод расширения полосы пропускания усилителей с переменным коэффициентом усиления. № 4(102), с. 24. Быстрицкий С.А., Клюкин В.И., Бормонтов Е.Н. Кольцевой генератор, управляемый напряжением, для высокоскоростных систем ФАПЧ. № 6(104), с. 17. Вернер В.Д., Луканов Н.М., Сауров А.Н. СВЧ-самосовмещенные структуры с прямыми и обращенными ультратонкими эмиттерными областями. № 3(101), с. 21. Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА № 6(104) 2013 99
Стр.100
Тематический указатель… Кузнецов Е.В., Рязанцев Д.В. Моделирование вторичного пробоя латерального ДМОПтранзистора при облучении. № 4(102), с. 18. Литвиненко Р.С., Гусев Д.В., Суханов В.С. Особенности построения многоканальных силовых интеллектуальных модулей. № 5(103), с. 35. Лосев В.В., Крупкина Т.Ю., Чаплыгин Ю.А. Схемотехнические способы реализации метода импульсной подкачки мощности в многофазных адиабатических драйверах резонансного типа. № 6(104), с. 24. Риттер А.В., Чебышов С.Б. Метод расчета источника тока промышленной частоты, выполненного с применением электромеханических реле. № 5(103), с. 27. Романюк В.А., Аунг Бо Бо Хейн. Применение удвоителя частоты на двух транзисторах для гетеродина смесителя. № 4(102), с. 28. Стенин В.Я. Моделирование переходных характеристик суб-100-нм КМОП двухфазных инверторов при локальном воздействии ядерной частицы. № 2(100), с. 23. Тарасов С.А., Александрова О.А., Максимов А.И., Мараева Е.В., Матюшкин Л.Б., Менькович Е.А., Мошников В.А., Мусихин С.Ф. Исследование процессов самоорганизации квантовых точек сульфида свинца. № 3(101), с. 28. Тимошенков С.П., Нальский А.А., Касатов Д.А., Водопьянов В.А. Разработка конструкции источника тока на термоэлектрическом эффекте с повышенными показателями эффективности. № 5(103), с. 20. Штерн Ю.И., Кожевников Я.С., Рыков В.М., Миронов Р.Е. Математические модели и аппаратно-программные средства для высокоточных электронных измерителей температуры. № 1(99), с. 10. Нанотехнология Белов А.Н., Гаврилин И.М., Гаврилов С.А., Дронов А.А., Лабунов В.А. Влияние активности фторсодержащих электролитов на достижение максимальной толщины пористого анодного оксида титана. № 2(100), с. 49. Бобринецкий И.И., Емельянов А.В., Неволин В.К., Ромашкин А.В. Влияние покрытия молекулами органических соединений на управление проводимостью канала из углеродных нанотрубок. № 4(102), с. 51. Бобринецкий И.И., Комаров И.А., Лаврентьев K.К., Левин Д.Д., Симунин М.М., Неволин В.К., Квачева Л.Д., Червонобродов С.П., Буриан А., Хавелек Л., Возница Н. Особенности интеграции графенов в технологические процессы микроэлектроники. № 3(101), с. 33. Бобринецкий И.И., Морозов Р.А., Трошин В.В., Чаплыгин Е.Ю. Атомно-силовая микроскопия биологических наночастиц на воздухе. № 2(100), с. 36. Булярский С.В., Лакалин А.В., Басаев А.С. Методика расчета тока автоэмиссии из одиночной углеродной нанотрубки. № 1(99), с. 18. Гаврилов С.А., Громов Д.Г., Дубков С.В., Назаркин М.Ю., Силибин М.В., Тимошенков С.П., Козьмин А.М., Шулятьев А.С. Исследование колебаний пьезоэлектрического элемента на основе нанопроволок ZnO и пористого электрода. № 4(102), с. 44. Галперин В.А., Жуков А.А, Павлов А.А., Скорик С.Н., Шаман Ю.П., Шаманаев А.А. Влияние морфологии массивов УНТ на плотность тока матриц автоэлектронных эмиттеров. № 5(103), с. 58. Галперин В.А., Кицюк Е.П., Скундин А.М., Тусеева Е.К., Кулова Т.Л., Шаман Ю.П., Скорик С.Н. Разработка электродов на основе композита кремний  углеродные нанотрубки для литиевых аккумуляторов повышенной емкости. № 4(102), с. 38. Герасименко Н.Н., Смирнов Д.И., Медетов Н.А., Запорожан О.А. Влияние размерных эффектов на радиационную стойкость нанокристаллических материалов. № 6(104), с. 31. Громов Д.Г., Боргардт Н.И., Волков Р.Л., Галперин В.А., Гришина Я.С., Дубков С.В. Особенности структуры и свойств углеродных наностолбиков, сформированных низкотемпературным осаждением из газовой фазы. № 2(100), с. 42. 100 Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА № 6(104) 2013
Стр.101
Тематический указатель… Громов Д.Г., Галперин В.А., Миронов А.Е., Кицюк Е.П., Дубков С.В., Лебедев Е.А., Смирнов В.В. Емкостные свойства конденсаторной структуры с двойным электрическим слоем на основе углеродных нанотрубок и ортофосфорной кислоты. № 6(104), с. 39. Громов Д.Г., Лебедев Е.А., Смирнов В.В., Шулятьев А.С. Конденсатор с электродом на основе наноструктурированного золота. № 5(103), с. 52. Громов Д.Г., Шулятьев А.С., Егоркин В.И., Зайцев А.А., Скорик С.Н., Галперин В.А., Павлов А.А., Шаманаев А.А. Формирование массива упорядоченных нанокатодов на основе углеродных нанотрубок методом наноимпринт литографии и процессов ПСХПО. № 3(101), с. 43. Егоркин В.И., Зайцев А.А., Неволин В.К., Симунин М.М. Формирование кластеров никеля для роста углеродных нанотрубок. № 2(100), с. 33. Егоркин В.И., Ильичев Э.А., Журавлёв М.Н., Бурзин С.Б., Шмелев С.С. Туннелирование через двухбарьерную туннельно-резонансную гетероструктуру на основе GaN/AlN. № 5(103), с. 65. Схемотехника и проектирование Гаврилов В.С., Казённов Г.Г. Метод моделирования асимметричного доступа к памяти при решении задач синхронизации многопроцессорных систем. № 2(100), с. 59. Заикин А.В. Метод размещения стандартных ячеек СБИС на основе сочетания результатов работы итерационных алгоритмов. № 4(102), с. 32. Ильин С.А. Тестирование библиотек цифровых ячеек. № 3(101), с. 48. Кононов А.Н., Миндеева А.А., Петросян В.С. Структурная оптимизация схем микроконвейерной архитектуры, спроектированных в базисе стандартных ячеек. № 5(103), с. 41. Лифшиц В.Б., Агрич Ю.В. Методы и средства отладки динамических параметров быстродействующих АЦП. № 1(99), с. 25. Старков А.В. Метод оценки искажений топологии для детальной трассировки нанометровых СБИС. № 2(100), с. 54. Фролов Д.П. Применение метода морфологического синтеза для проектирования реконфигурируемой аналоговой ячейки полузаказных аналого-цифровых СБИС с матричной структурой. № 5(103), с. 45. Чураев С.О. Использование эффекта накопления фазовой ошибки в кольцевых генераторах для оценки временных параметров цифровых элементов интегральных схем. № 1(99), с. 34. Микро- и наносистемная техника Беспалов В.А., Ильичев Э.А., Кулешов А.Е., Набиев Р.М., Петрухин Г.Н., Рычков Г.С. МЭМС-переключатели в радиочастотной электронике. I. Актуальность, проблемы реализации, предварительные оценки. Обзор. № 3(101), с. 64. Беспалов В.А., Ильичев Э.А., Кулешов А.Е., Набиев Р.М., Петрухин Г.Н., Рычков Г.С. МЭМСпереключатели в радиочастотной электронике. II. Состояние разработок и перспективы. Обзор. № 4(102), с. 61. Кузнецов Е.В., Чуйко О.В. Исследование чувствительности pH-сенсоров на основе кремниевых МДП-нанотранзисторов. № 3(101), с. 53. Рыгалин Д.Б., Фетисов Е.А., Хафизов Р.З., Золотарев В.И., Решетников И.А., Рудаков Г.А., Лапшин Р.В., Кириленко Е.П. Перспективные интегральные матричные приемники теплового излучения с оптическим считыванием. № 3(101), с. 60. Информационные технологии Амербаев В.М., Тельпухов Д.В. Обратный преобразователь модулярной арифметики с использованием неточного ранга для задач ЦОС. № 1(99), с. 41. Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА № 6(104) 2013 101
Стр.102
Тематический указатель… Куденко И.В., Скляров С.В., Шишкевич А.А. Синтез структурной схемы территориальнораспределенной информационно-управляющей вычислительной системы реального времени на базе ЛВС Ethernet и EtherCAT. № 6(104), с. 52. Матвеев В.А. Методы и алгоритмы оптимизации оперативного и календарного планирования производственного процесса сборки и испытаний микросхем. № 6(104), с. 62. Назаров Л.Е., Зудилин А.С. Алгоритмы компенсации сосредоточенных по спектру помех для сигналов с ортогональным частотным мультиплексированием. № 6(104), с. 45. Песикова О.В. Необходимые условия системного самодиагностирования многомашинных вычислительных систем. № 1(99), с. 53. Рыбаков А.А. Анализ алгоритмов оптимизации расположения в памяти линейных участков программы. № 1(99), с. 47. Соловьев Р.А., Тельпухов Д.В. Аппаратная реализация операции нахождения остатка целочисленного деления для входных данных большой разрядности в модулярной арифметике. № 4(102), с. 75. Шишкевич А.А. Оценка показателей надежности вычислительных устройств с трехкратным мажорированием при отказах и сбоях. № 4(102), с. 84. Интегральные радиоэлектронные устройства Балабанов А.А., Кузнецов С.Н. Анализ импульсных генераторов с одним реактивным элементом. № 6(104), с. 76. Горохов С.В., Пименов А.В., Шарамок А.В. Выбор параметров синхронизации системы связи с псевдослучайной перестройкой рабочей частоты. № 6(104), с. . Гурарий М.М., Жаров М.М., Русаков С.Г., Ульянов С.Л. Метод анализа режимов синхронизации и биений автогенератора при паразитном возбуждении сигналом произвольной формы и частоты. № 3(101), с. 73. Ле Тхай Шон, Алексеев Ю.И., Орда-Жигулина М.В. Чувствительность системы автодинного детектирования СВЧ-амплитудно-модулированных оптических сигналов. № 1(99), с. 68. Пименов А.В. Имитационная модель синхронизации средств связи с псевдослучайной перестройкой рабочей частоты. № 2(100), с. 66. Фролов А.В. Анализ параметрической чувствительности схем электрических активных фильтров с положительной обратной связью. № 1(99), с. 60. Щагин А.В., Чжо Ту, Йе Тун Тэйн. Коррекция коэффициента мощности на IGBT-транзисторах в системе управления трехфазным выпрямителем. № 3(101), с. 82. Методы и техника измерений Барабан А.П., Дмитриев В.А., Петров Ю.В., Тимофеева К.А. Диагностика γ-облученных структур Si–SiO2 методом катодолюминесценции. № 2(100), с. 71. Печерская Е.А., Соловьёв В.А., Метальников А.М., Вареник Ю.А., Гладков И.М., Рябов Д.В. Контроль временной нестабильности диэлектрических параметров сегнетоэлектриков. № 2(100), с. 84. Усанов Д.А., Горбатов С.С., Кваско В.Ю. Измерение подвижности и концентрации носителей заряда в арсенид-галлиевом диоде Ганна с помощью ближнеполевого СВЧ-микроскопа. № 2(100), с. 77. Биомедицинская электроника Аюпов И.Р., Гончаров В.А., Лукьянов И.В. Нейросетевой метод для прогнозирования состояния больного. № 5(103), с. 75. Терещенко С.А., Федоров Г.А., Антаков М.А., Бурнаевский И.С. Семейства аппаратных функций гексагональных кодирующих коллиматоров. № 5(103), с. 70. 102 Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА № 6(104) 2013
Стр.103
Тематический указатель… Проблемы высшего образования Балабанов А.А., Балабанова Д.А. Генерация и проверка тестовых заданий в приложении MS Excel. № 1(99), с. 73. Воробьев Н.В. Методика классификации триггеров по функциональному назначению. № 5(103), с. 81. Краткие сообщения Алексеев В.Е., Соловьёв А.Н. Определение координат мобильного устройства с помощью сотовой сети. № 1(99), с. 82. Антаков М.А., Пьянов И.В. Влияние эффекта поляризации света на качество оптических томограмм. № 1(99), с. 81. Бешенков В.Г., Вяткин А.Ф., Амеличев В.В., Костюк Д.В. Анализ многослойных тонкопленочных структур методом электронной оже-спектроскопии в условиях перекрывания ожепиков элементов. № 4(102), с. 89. Гуляев А.В., Турканов Г.И., Сакилов С.Б., Балашов А.Г. Построение высоконагруженной информационной системы c облачным хранилищем данных. № 6(104), с. 92. Гусев Д.В., Суханов В.С., Землянников Н.С., Суханова Е.В. Тактильный датчик для эндоскопии на основе матрицы чувствительных элементов давления. № 1(99), с. 88. Данилов А.А., Корнюхин А.В. Влияние радиуса приемной катушки индуктивности на нагрев биологической ткани при беспроводной передаче энергии с помощью индуктивной связи. № 4(102), с. 92. Куксов П.А. Влияние фазовой флуктуации сигнала на качество передачи информации. № 5(103), с. 91. Куксов П.А. Оценка отношения сигнал/шум при разбросе параметров приемопередающих трактов радиосистем. № 3(101), с. 88. Лавренов В.А., Разживалов П.Н. Влияние термических факторов на точностные характеристики датчика астроориентации. № 2(100), с. 91. Лосев В.В. Измерение параметров энергопотребления адиабатической логики. № 5(103), с. 89. Малашевич Н.И. Реализация ячейки ОЗУ в составе КМОП БМК. № 2(100), с. 89. Неустроев С.А. Определение межатомных расстояний в кристаллах кубического углерода. № 6(104), с. 82. Неустроев С.А. Электрическая составляющая энергии связи молекулярных орбиталей в тетраэдрах кубического углерода. № 1(99), с. 91. Петросянц К.О., Попов Д.А. Учет влияния температуры на радиационный сдвиг порогового напряжения МОП-транзистора в системе TCAD. № 4(102), с. 96. Петросянц К.О., Кожухов М.В., Смирнов Д.С. Влияние изохронного и изотермического отжига на процесс восстановления коэффициента усиления по току кремниевого биполярного транзистора, подвергнутого воздействию радиации. № 6(104), с. 85. Сергеев В.А. Анализ тепловых режимов мощных светодиодов в составе светодиодных излучателей. № 1(99), с. 85. Терещенко С.А., Титенок С.А. Определение фактора анизотропии рассеивающей среды с помощью метода Монте-Карло. № 2(100), с. 93. Тин Чжо, В.М.Трояновский, Ян Лин Аунг. Программа верификации данных компьютерного эксперимента. № 6(104), с. 90. Тихомиров А.А., Краснобородько С.Ю., Шевяков В.И. Методика проведения измерений в полуконтактной моде атомно-силовой микроскопии. № 4(102), с. 94. Фёдоров Р.А., Росляков А.С. Контрольно-диагностический стенд для проверки функционирования имитаторов БИС на БМК. № 3(101), с. 90. Щагин А.В., Йе Тун Тэйн. Оптимальное управление нагревом диффузионной установки. № 6(104), с. 87. Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА № 6(104) 2013 103
Стр.104
Тематический указатель… Конференции 8 февраля – День российской науки. Миэтовские научные чтения. № 2(100), 3 стр. обложки. 11th IEEE East-West Design & Test Symposium (EWDTS 2013) (Ростов-на-Дону, Россия, 2730 сентября 2013 г.). № 1(99), 4 стр. обложки. 20-я Всероссийская межвузовская научно-техническая конференция студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика-2013» (Москва, апрель 2013 г.). № 1(99), с. 94. Об итогах 20-й Всероссийской межвузовской научно-технической конференции студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика – 2013». № 3(101), с. 93. Юбилеи Бархоткину Вячеславу Александровичу – 75 лет. № 1(99), с. 95. Королёву Михаилу Александровичу – 80 лет. № 2(100), с. 96. Орликовскому Александру Александровичу – 75 лет. № 4(102), с. 98. Соколову Евгению Борисовичу – 80 лет. № 3(101), с. 92. Усанову Дмитрию Александровичу – 70 лет. № 4(102), с. 100. 104 Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА № 6(104) 2013
Стр.105