Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 634558)
Контекстум
.

Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Ч. 3 (200,00 руб.)

0   0
Первый авторДанилов В. С.
ИздательствоИзд-во НГТУ
Страниц80
ID206089
АннотацияВ третьей части учебного пособия рассмотрены наиболее важные процессы, происходящие в МОП-транзисторах. Адресовано студентам, специализирующимся в области создания полупроводниковых устройств.
Кому рекомендованоДля студентов V курса РЭФ всех форм обучения (специальность 210404 – Проектирование и технология радиоэлектронных средств).
ISBN978-5-7782-1284-8
УДК621.382:53(075.8)
ББК32.85
Данилов, В.С. Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Ч. 3 : учеб. пособие / В.С. Данилов .— Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2009 .— 80 с. — ISBN 978-5-7782-1284-8 .— URL: https://rucont.ru/efd/206089 (дата обращения: 18.04.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

Д 183 Анализ процессов в полупроводниковых устройствах : учеб. пособие / В.С. Данилов. <...> Основная структура инверсного МОП-транзистора (металл—окисел—полупроводник) Основная структура МОИ-транзистора включает два п+—р-перехода, созданных на кремниевой подложке р-типа, И поверхностную область пространственного заряда между ними (рис. <...> Между затвором и поверхностью полупроводника помещается пленка из окисла кремния 5102. <...> Эта гетероструктура формирует поперечное граничное поле ЕХ(О)‚ которое может быть управляемым у поверхности полупроводника. <...> Два п+—р-перехода‚ находящиеся В несмещенном СОСТОЯНИИ, электрически не взаимосвязаны, если поле не стимулирует Достаточно большую насыщенность электронов в поверхностной области пространственного заряда. <...> Структура МОП—транзистора с каналом п-типа Напряжение смещения между Двумя И—р-Переходами создает в канале ток 1. <...> 3.1, названа МОИ-транзистором с каналом п-типа, потому что носителями заряда у поверхности полупроводника являются электроны. <...> МОП-транзистор с каналом р-типа может быть получен формированием Двух рЁИ-переходов на подложке п-типа. <...> В МОИ-транзисторе с каналом п-типа на сток подается более положительное напряжение, чем на исток, а с каналом р-типа — наоборот. <...> МОЛ-транзистор под напряжением смещения Произведем анализ транзистора с каналом п-типа при подаче напряжений на сток, исток и затвор при заземленной подложке. <...> Установив основные положения для анализа, сначала подробно исследуем физические процессы, происходящие на поверхности полупроводника, а затем перейдем непосредственно к анализу [2]. <...> 312111 Основные полов/сения неравновесного анализа МОЛ-транзистора Если на электроды стока и истока не подается напряжение, то при неизменном напряжении на затворе 0H находится В СОСТОЯНИИ теплового равновесия, поскольку ток по затворной цепи не идет, так как между затвором и полупроводником лежит слой изолятора 5102. <...> Положим, что на транзистор с каналом <...>
Анализ_процессов_в_полупроводниковых_устройствах._Ч._3.pdf
        ffffffffffffffffffffffffffffffffffffffffffffffffffffffffffffffffffffffffff              "                  ! (            
Стр.1
%! "'!)$" &$ '   '"   )       '"          " '   DT7I(&' $ &&'!      !'# '               %! "'!)$" &$ '  DT7I(&' $ &&'! !'# '       ! (  ! (       )    ) !   (                       W    ! # #          
Стр.2
    " "    " !  " !  " ! !  " ! "  " ! #  " ! $  " "  " " " #  " #  " # !  " # "  " # #  " # $  " $   " " !                                                           " " # # ' !& "% "( #! #" #' $  $  $! $$ %  %$ %& &'
Стр.79