Анализ и исследование полупроводниковых материалов (90,00 руб.)

Стр.1

Стр.2

Стр.3

В.А. ФЕДОРОВ, Н.Т. КУЗНЕЦОВ АНАЛИЗ И ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ 2008 САМАРА

Стр.1

ФЕДЕРАЛЬНОЕ АГЕНТСТВО ПО ОБРАЗОВАНИЮ ГОСУДАРСТВЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ «САМАРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АЭРОКОСМИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ имени академика С.П. КОРОЛЕВА» УДК 621.315(075) ББК 31.233 Ф 333 Инновационная образовательная программа «Развитие центра компетенции и подготовка специалистов мирового уровня в области аэрокосмических и геоинформационных технологий» Рецензенты: кафедра полупроводниковой электроники и нанотехнологий Самарского государственного университета (зав. кафедрой д-р техн. наук, проф. А. Н. К о м о в), д-р физ.-мат. наук, проф. В. А. Н е г а н о в В.А. ФЕДОРОВ, Н.Т. КУЗНЕЦОВ Федоров В.А. АНАЛИЗ И ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ Утверждено Редакционно-издательским советом университета в качестве учебного пособия Ф 333 Анализ и исследование полупроводниковых материалов: учеб. пособие / В.А. Федоров, Н.Т. Кузнецов. – Самара: Изд-во Самар. гос. аэрокосм. ун-та. - 2008. 84 с.: ил. ISBN 978-5-7883-0697-1 Изложены теоретические основы процессов, используемых в исследовании полупроводниковых материалов и их технологии и базирующихся на гетерогенном равновесии системы конденсированная фаза - газ. Рассмотрены особенности тензиметрических методов исследования материалов электронной техники. Описаны физико-химические основы исследования веществ и полупроводниковых материалов на их основе. Предназначено для студентов специальности 210201 – Проектирование и технология радиоэлектронных средств. УДК 621.315(075) ББК 31.233 С А М А Р А Издательство СГАУ 2008 ISBN 978-5-7883-0697-1 2 © Самарский государственный аэрокосмический университет, 2008 П Р И О Р И Ы Т Е Т Н Е Н А Ц И О Н А Л Ь Н Ы Е Ы П Т Р О Е К

Стр.2

ОГЛАВЛЕНИЕ ВВЕДЕНИЕ……………………………………..………….…………… 1. ТЕОРЕТИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ ПРОЦЕССОВ, ИСПОЛЬЗУЕМЫХ В ИССЛЕДОВАНИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ МАТЕРИАЛОВ И ИХ ТЕХНОЛОГИИ…… 1.1. Роль процессов испарения и конденсации в технологии микроэлектроники……………………………………………………… 1.2. Классификация процессов испарения…………………………… 1.3. Уравнение Клаузиуса-Клапейрона………………...…………….. 1.4. Общий подход к равновесию системы конденсированная фаза – газ……………………………………………………………….. 1.5. Различные формы уравнений температурной зависимости давления насыщенного пара и константы равновесия……………… 1.6. Вычисление термодинамических величин по данным равновесия……………………………………………………………… 2. ТЕНЗИМЕТРИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ………………………… 2.1. Статические методы …….…………………..……………………. 2.2. Квазистатические методы.………………………..………………. 2.3. Динамические методы…………………………………………….. 3. МЕТОД ЭЛЕКТРОДВИЖУЩИХ СИЛ…………………………… 4. ТЕРМОХИМИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДИЭЛЕКТРИКОВ………………………. 4.1. Определение стандартных теплот образовния…………………… 4.2. Определение теплоемкости…………………….………………… 5. МАСС-СПЕКТРОМЕТРИЧЕСКИЙ МЕТОД……………………… 6. ГАЗОХРОМАТОГРАФИЧЕСКИЙ МЕТОД………………………… СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ…………………………………………….. 4 5 5 10 12 17 20 22 26 26 31 37 51 59 59 62 69 76 84 ВВЕДЕНИЕ Настоящее пособие написано на основе курса лекций "Методы исследования полупроводников". Ограниченный объем пособия не позволил включить материалы всего курса лекций. В частности, авторы были вынуждены исключить ряд численных примеров, иллюстрирующих некоторые особенности термодинамики гетерогенных равновесий. Данное пособие состоит по существу из шести частей. Первая часть посвящена рассмотрению роли методов исследования полупроводников и различных материалов в технологии микроэлектроники. Во второй части излагаются принципы термодинамических методов исследования материалов электронной техники, рассматриваются теоретические основы этих методов, некоторые особенности постановки эксперимента, а также обработка результатов экспериментов и подход к их трактовке. Эта часть представляет особый интерес в связи с развитием методов компьютерного расчета сложных гетерогенных и гомогенных равновесий с целью создания новых технологических путей синтеза материалов микроэлектроники, эпитаксиальных структур и оптимизации и совершенствования существующих. Следует отметить, что в части пособия, касающейся термодинамических методов исследования, авторы специально не придерживались принятой в настоящее время системы единиц СИ, так как в термодинамике она создает ничем не оправданные затруднения в расчете равновесий на основе уравнения изотермы Вант-Гоффа. Этот расчет основан на использовании величин стандартной Гибса GΔ . Эта величина может быть легко получена из уравнения изотермы Вант-Гоффа только в том случае, если давление будет измерено в атмосферах, что позволит выразить давление при стандартных условиях в простом единичном виде (любое P 1атмi = . ). Авторы используют в пособии как равноправные тепловые единицы калорию и джоуль, поскольку современная справочная литература и текущая периодика используют обе эти тепловые единицы. 3 4

Стр.3