Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 686204)
Контекстум
  Расширенный поиск
539.2

Свойства и структура молекулярных систем


← назад
Результаты поиска

Нашлось результатов: 29 (1,26 сек)

Свободный доступ
Ограниченный доступ
Уточняется продление лицензии
1

№1 [Российский технологический журнал, 2022]

Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.

В работе исследуется влияние топологии сети на надежность ССС. Методы. <...> Преимущество радиальной топологии сети возрастает по мере увеличения числа узлов. <...> В ССС используются следующие топологии сети [13]. <...> Поэтому наиболее часто применяют кольцевую и радиальную топологии. <...> ССС С КОЛЬЦЕВОЙ ТОПОЛОГИЕЙ ССС с кольцевой топологией работоспособна, если исправны все узлы, что соответствует

Предпросмотр: Российский технологический журнал №1 2022.pdf (1,0 Мб)
2

№2 [Российский технологический журнал, 2021]

Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.

Топология безындуктивных DC/DC преобразователей с гальваническим разделением цепей. <...> Битюков Топология безындуктивных DC/DC преобразователей с гальваническим разделением цепей В таком DC <...> Фактически рассматриваемая топология DC/DC преобразователя реализует повторитель напряжения (рис. 1). <...> Битюков Топология безындуктивных DC/DC преобразователей с гальваническим разделением цепей РЕЗУЛЬТАТЫ <...> В рассмотренной топологии удвоителя гальваническая развязка не выполняется.

Предпросмотр: Российский технологический журнал №2 2021.pdf (1,0 Мб)
3

№4 [Российский технологический журнал, 2021]

Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.

Приведены примеры практической реализации преобразователей, построенных по топологии SEPIC. <...> Разработка импульсного преобразователя напряжения с топологией SEPIC. <...> Улучшенная топология для формирования биполярного питания из одного входного напряжения. <...> Преимущества DC/DC-преобразователей топологии SEPIC со связанными индуктивностями. <...> Топология сети зависит от силы, с которой она реагирует на входные данные.

Предпросмотр: Российский технологический журнал №4 2021.pdf (0,9 Мб)
4

№3 [Российский технологический журнал, 2019]

Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.

В частности, для топологии сети «звезда» член, учитывающий убыль (заражение) уязвимых объектов, умножался <...> В частности, указывается на необходимость разработки стратегий защиты, не уязвимых к изменениям в топологии <...> SI-модель, независимая каскадная модель, динамическая модель распространения и модель, учитывающая топологию <...> Во втором случае топология развития вирусной эпидемии имеет вид дерева (сети) Кэйли со случайным числом <...> Если реализовывать топологии, в которых среднее число связей на один узел будет составлять около 2.5–

Предпросмотр: Российский технологический журнал №3 2019.pdf (1,4 Мб)
5

№2 [Российский технологический журнал, 2018]

Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.

Структурный синтез промышленной сети выполняется путем выбора топологии среди множества базовых. <...> При этом базовая топология представляет собой правило, по которому строится топология реальной сети. <...> Для каждой базовой топологии будет решена задача выбора оборудования и соединительных линий. <...> Для каждой топологии из множества базовых топологий выполнить шаги 2–4. Шаг 2. <...> Создать реальную топологию на основании базовой. Шаг 3. Рассчитать максимальную загрузку сети.

Предпросмотр: Российский технологический журнал №2 2018.pdf (0,9 Мб)
6

Булярский, С.В. Особенности управляемой технологии углеродных нанотрубок / С.В. Булярский, А.С. Басаев // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Технические науки .— 2011 .— №2 .— С. 141-152 .— URL: https://rucont.ru/efd/269940 (дата обращения: 24.12.2025)

Автор: Булярский
М.: ПРОМЕДИА

Исследовано влияние различных факторов на рост углеродных нанотрубок (УНТ). Показано, что скорость роста массива на катализаторе FeNiCo20/Al толщиной менее 10 мкм замедляется. Концентрация ферроцена в газовой смеси оказывает существенное влияние на рост УНТ. Снижение концентрации ферроцена увеличивает свободную энергию расплава и приводит к росту нанотрубок меньшего диаметра и меньшее число стенок - 2 или 3. Повышение концентрации ферроцена выше 1% приводит к снижению качества растущих нанотрубок. Проанализированы технологические возможности формирования отдельно стоящих УНТ.

Влияние подслоя катализатора Были изготовлены образцы массивов УНТ, топология которых представляла ступенчатую <...> Таким образом, при формировании топологии методами фотолитографии следует учитывать толщину каталитического

7

№2 [Российский технологический журнал, 2022]

Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.

на распределение доменов в единице объема оказывают существенное влияние дефекты различной природы, топология <...> информационных моделей, визуальные информационные модели должны иметь три характеристики: морфологию, топологию <...> Semantics of visual models in space research Russian Technological Journal. 2022;10(2):51–58 топология <...> Топология и пространственная логика чаще всего присутствуют в визуальных моделях первого типа. <...> составление технического задания (ТЗ); (2) проработка архитектуры; (3) разработка логики ИС; (4) разработка топологии

Предпросмотр: Российский технологический журнал №2 2022.pdf (1,0 Мб)
8

№1 [Российский технологический журнал, 2019]

Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.

получить данные топологии по двум угловым проекциям (рис. 3а, б). <...> платы необходимо, чтобы исследуемый участок топологии выделялся на контрастном фоне диэлектрика. <...> оригинала печатного изделия; г) неоднозначно структуризированная топология; д) структуризированная топология <...> Анализ и обработка отсканированной топологии МПП требует послойной геометрической векторизации. <...> Анализ кристальной топологии микросхем Неотъемлемым инструментом для изучения и анализа топологии ИМС

Предпросмотр: Российский технологический журнал №1 2019.pdf (0,9 Мб)
9

№5 [Российский технологический журнал, 2022]

Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.

основе адаптивных веб-интерфейсов с интерактивной возможностью прямого редактирования архитектуры и топологии <...> основе адаптивных веб-интерфейсов с интерактивной возможностью прямого редактирования архитектуры и топологии <...> Топология нейросетевой модели MODELi может быть описана в виде граф-схемы GRAPHi и структурированного <...> ориентированный граф, в котором множество вершин LAYERSi определяет набор слоев модели, а множество дуг LINKSi – топологию <...> Топология ИНС D.M. Метаописание данных D.S. Пространственные данные D.S.R. Матричные данные Т.M.

Предпросмотр: Российский технологический журнал №5 2022.pdf (1,1 Мб)
10

№6 [Российский технологический журнал, 2021]

Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.

Однако в диапазоне частот выше 10 МГц неидеальность компонентов и влияние топологии оказывают существенное <...> пытается полностью автоматизировать процесс проектирования фильтров с учетом паразитных параметров и топологии <...> Далее была составлена схема для моделирования в среде Keysight Genesys с топологией. <...> Топология входной цепи В качестве моделей катушек индуктивности и конденсаторов изначально были выбраны <...> Топология, представленная на рис. 3, была выполнена на верхнем слое, на ближайшем внутреннем слое присутствовал

Предпросмотр: Российский технологический журнал №6 2021.pdf (0,9 Мб)
11

Наноструктуры: физика, технология, применение учеб. пособие

Автор: Драгунов В. П.
Изд-во НГТУ

Рассматриваются вопросы, связанные с новыми тенденциями развития кремниевой наноэлектроники, увеличением чувствительности нанопроволочных химических и биологических сенсоров, созданием ПЗС-фотоматриц высокой плотности и чувствительности и их применение в цифровой фото- и видеоаппаратуре. Приведены основные сведения об особенностях энергетического спектра и транспорта носителей заряда в одномерных системах (квантовых проводниках) и углеродных нанотрубках. Кратко изложены термины, принципы, достижения и перспективы в таких быстро развивающихся областях, как магнитоэлектроника (спинтроника) и фотонные кристаллы.

Топология ячейки ЖКД: а – схема расположения элементов пикселя; б – фотография фрагмента матрицы ЖКД <...> Топология и размеры проволоки показаны на рис. 4.16 (металлический затвор не показан). <...> В настоящее время эффективным методом создания заданного периодического нанорельефа и топологии наноструктур

Предпросмотр: Наноструктуры физика, технология, применение.pdf (0,6 Мб)
12

Наноструктуры: физика, технология, применение учеб. пособие

Автор: Драгунов В. П.
Изд-во НГТУ

Рассматриваются вопросы, связанные с новыми тенденциями развития кремниевой наноэлектроники, увеличением чувствительности нанопроволочных химических и биологических сенсоров, созданием ПЗС-фотоматриц высокой плотности и чувствительности и их применение в цифровой фото- и видеоаппаратуре. Приведены основные сведения об особенностях энергетического спектра и транспорта носителей заряда в одномерных системах (квантовых проводниках) и углеродных нанотрубках. Кратко изложены термины, принципы, достижения и перспективы в таких быстро развивающихся областях, как магнитоэлектроника (спинтроника) и фотонные кристаллы.

Топология ячейки ЖКД: а – схема расположения элементов пикселя; б – фотография фрагмента матрицы ЖКД <...> Топология и размеры проволоки показаны на рис. 4.16 (металлический затвор не показан). <...> В настоящее время эффективным методом создания заданного периодического нанорельефа и топологии наноструктур

Предпросмотр: Наноструктуры. Физика, технология, применение.pdf (0,6 Мб)
13

Методы и возможности in-line контроля тонкопленочных материалов в производстве субмикронных интегральных микросхем учеб. пособие

Автор: Васильев В. Ю.
Изд-во НГТУ

Пособие составлено на базе 40-летнего личного опыта работы автора на отечественных и зарубежных предприятиях микроэлектронной отрасли. Рассмотрена совокупность вопросов организации и использования в серийном производстве субмикронных интегральных микросхем (ИМС) методов непосредственного производственного (in-line) контроля тонкопленочных материалов – основы современных ИМС. Приведены примеры приборов контроля и возможностей их применения для характеризации процессов получения и свойств тонких пленок. Рассмотрены решения технологических задач с помощью in-line методов на примере важнейшего узла ИМС – диэлектрической планаризируемой изоляции между транзисторным уровнем (FEOL) и первым уровнем металлизации (BEOL) микросхем. Проанализирован подход к квалификации технологических процессов/оборудования для создания тонких пленок в производстве, изложены примеры проведения исследований технологической направленности. Показаны необходимость и возможности использования вместе с in-line методами также методов контроля at-line (в лабораториях вне производства) и off-line (в специализированных аналитических организациях). В пособии использованы и пояснены многочисленные англоязычные термины, принятые в технологиях и производстве интегральных микросхем.

На врезке справа вверху укрупненно показана топология ИМС; б – кристалла ИМС Intel Pentium 4, размер

Предпросмотр: Методы и возможности in-line контроля тонкопленочных материалов в производстве субмикронных интегральных микросхем.pdf (0,7 Мб)
14

Кристаллизация двухкомпонентных металлических расплавов в диффузионно-релаксационном режиме [монография]

Автор: Байков Ю. А.
М.: Лаборатория знаний

В данной монографии впервые создана новая аналитическая теория кристаллизации двухкомпонентных равномолярных металлических расплавов в диффузионно-релаксационном режиме. Эта аналитическая теория является естественным продолжением рассмотренной авторами проблемы роста кристаллов с простой кубической ячейкой и стехиометрического состава в кинетическом режиме кристаллизации аналогичных металлических расплавов. В основе представленной аналитической теории кристаллизации выше упомянутых расплавов лежит модель так называемой виртуальной переходной двухфазной зоны (ПДЗ), отделяющей собой две соприкасающиеся фазы — двухкомпонентный расплав металлических сплавов и растущий из него кристалл.

пропорциональный величине 2 Очевидно, что подобный закон разупорядочения является следствием влияния топологии <...> В данном случае «ступенчатая» форма границы раздела фаз расплав-кристалл, т. е. ее топология не оказывает

Предпросмотр: Кристаллизация двухкомпонентных металлических расплавов в диффузионно-релаксационном режиме.pdf (0,4 Мб)
15

№4 [Российский технологический журнал, 2019]

Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.

Топология сумматора 2-го типа на основе несимметричных микрополосковых линий приведена на рис. 4.

Предпросмотр: Российский технологический журнал №4 2019.pdf (1,5 Мб)
16

Нанотехнологии и микромеханика. Ч. 6. Базовые технологические процессы микросистемной техники учеб. пособие

Автор: Потловский К. Г.
М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана

Рассмотрены основные технологические процессы производства элементов микросистемной техники с точки зрения физических явлений. Обобщены результаты, полученные при выращивании монокристаллов, а также в процессах диффузии, имплантации, литографии и др.

Если фотолитография проводится на подложках с развитой топологией, то ее предварительно выравнивают, <...> слоя (на фотошаблоне) занимают положение относительно элементов предыдущего слоя (в пластине) согласно топологии <...> Поэтому практически не происходит искажения рисунка топологии при увеличении глубины рельефа и неплоскостности <...> изображение формируется непосредственной микрогравировкой, т. е. вычерчиванием ионным лучом рисунка топологии <...> вместе с сфокусированным лазерным лучом позволяет выращивать сложные трехмерные детали практически любой топологии

Предпросмотр: Нанотехнологии и микромеханика. Часть 6. «Базовые технологические процессы микросистемной техники». Гриф УМО. .pdf (0,5 Мб)
17

№1 [Российский технологический журнал, 2021]

Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.

Переход в область верхних частот СВЧ позволит сократить размеры топологии микрополоскового резонатора <...> геометрии в резонаторе образуются стоячие волны, удовлетворяющие граничным условиям микрополосковой топологии <...> Так, при напылении газочувствительного слоя диэлектрика на топологию, открытый микрополосковый резонатор <...> С целью оценки влияния конструктивных параметров топологии резонатора на его радиофизические характеристики <...> Зависимость S-параметров от частоты для различных значений величины зазора в топологии газосенсорного

Предпросмотр: Российский технологический журнал №1 2021.pdf (1,5 Мб)
18

Вычислительный практикум по моделированию наноструктур и устройств на их основе

Автор: Глухова Ольга Евгеньевна
М.: «Центральный коллектор библиотек «БИБКОМ»

В учебно-методическом пособии изложены лабораторные работы по механическим и электронным свойствам наноструктур, а также методы позволяющие исследовать свойства углеродных наноструктур. Произведено описание программного пакета Ring, который поможет студентам в выполнении лабораторных работ.

средство с удобным интерфейсом и визуализацией, позволяющее моделировать углеродные нанокластеры любой топологии <...> Лабораторные работы Лабораторная работа № 1 "Изучение топологии построения углеродных наноструктур" Цель <...> Лабораторная работа № 3 "Изучение топологии наноструктуры полуэмпирическими квантовохимическими методами

Предпросмотр: Вычислительный практикум по моделированию наноструктур и устройств на их основе.pdf (0,3 Мб)
19

Особенности двумерных туннельных бифуркаций в условиях внешнего электрического поля // Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки .— 2009 .— №2 .— С. 123-135 .— URL: https://rucont.ru/efd/269828 (дата обращения: 24.12.2025)

М.: ПРОМЕДИА

Исследуется проблема управляемости двумерного диссипативного туннелирования в системе "игла кантилевера ACM/CTM - квантовая точка", моделируемой 2D-осцилляторным потенциалом, взаимодействующим с термостатом, во внешнем электрическом поле. Методом инстантонов рассчитана вероятность 2D-туннельного переноса и исследована ее зависимость от величины внешнего электрического поля. Полученные зависимости качественно соответствуют отдельным экспериментальным ВАХ для системы "платинированная игла кантилевера ACM/CTM - квантовая точка из золота", полученным в НИФТИ при ННГУ им. Н. И. Лобачевского. Экспериментально наблюдаемыми и устойчивыми оказываются предсказанные ранее 2D-туннельные бифуркации с диссипацией для случая параллельно туннелирующих взаимодействующих частиц.

Кац и соавторы [4] исследовали конкурирующие туннельные траектории в 2D-потенциале с варьируемой топологией

20

Моделирование образования химических связей при адсорбции / М.Б. Логинова [и др.] // Инженерный журнал: наука и инновации .— 2015 .— №4 .— URL: https://rucont.ru/efd/316255 (дата обращения: 24.12.2025)

Автор: Логинова
М.: Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана

Перечислены основные математические методы, используемые при описании межатомарных взаимодействий: квантово-механические методы, методы молекулярной динамики на основе эмпирических потенциалов и молекулярно динамические методы на основе аппроксимации сильных связей. Приведены их достоинства и недостатки. Рассмотрен математический аппарат для приближенного расчета волнового уравнения атома на основе гамильтониана и теории сильных связей. Для моделирования перемещений взаимодействующих атомов использован корректирующий алгоритм расчета кинематических характеристик. Представлены два методологических этапа: расчетный, на котором задают начальные условия и определяют уровни энергетических барьеров возможных химических реакций, и модельный, на котором выполняют оценку сил межатомарного взаимодействия. Особенностью моделирования является комбинация методов молекулярной динамики и аппроксимации сильной связи. Преимущество такого подхода — существенное увеличение размеров системы без значительной потери точности при расчетах. Методология продемонстрирована на примере образования химических связей при адсорбции.

недиагональные элементы матрицы , ˆ Hi ij    H j (ij   ) соответствуют устойчивым электронным топологиям

21

№6 [Российский технологический журнал, 2019]

Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.

С позиций топологии (рис. 1) тринитарную систему можно считать простейшим мультиграфом. <...> В топологии и управлении тринитарную систему применяют для отображения цикла. <...> С позиций топологии тринитарная система является простейшим мультиграфом, что делает ее не эквивалентной

Предпросмотр: Российский технологический журнал №6 2019.pdf (2,1 Мб)
22

Плазменное напыление аморфных и нанокристаллических материалов монография

Автор: Лепешев А. А.
Сиб. федер. ун-т

Рассмотрена физикохимия процессов формирования аморфных и нанокристаллических материалов при плазменном напылении. Описаны теплофизические особенности высокоскоростной закалки расплава при формировании материалов с неравновесной структурой. Предложена критериальная оценка структурного состояния напыляемых слоев. Особое внимание уделено комплексным исследованиям структурного состояния и физико-химических свойств широкого спектра соединений металлов (Fe–B, Co–Fe–Ni–B–Si, Al–Fe–Cu) и керамик (ферритов и композиций на их основе, высокотемпературных сверхпроводников). Приведены примеры практического применения напыленных аморфных и нанокристаллических материалов.

БИБКОМ» & ООО «Aгентство Kнига-Cервис» 75 дить перестройка аморфной структуры, приводящая к изменению топологии <...> в результате изменения углов связи и межионных расстояний; ● возникновение обменных связей с новой топологией

Предпросмотр: Плазменное напыление аморфных и нанокристаллических материалов.pdf (0,6 Мб)
23

№6 [Российский технологический журнал, 2020]

Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.

Однако до сих пор нет разработанной топологии, которую можно было бы использовать для передачи сигнала <...> дальнейшем планируется проведение дополнительного моделирования наноантенн с другими параметрами, разработка топологии

Предпросмотр: Российский технологический журнал №6 2020.pdf (2,1 Мб)
24

Электронная структура, физические свойства и корреляционные эффекты в d- и f-металлах и их соединениях [монография]

Автор: Ирхин В. Ю.
М.: Институт компьютерных исследований

Монография включает рассмотрение всех основных физических свойств d- и f-переходных металлов и изложение соответствующих теоретических концепций. Подробно обсуждаются некоторые нетрадиционные вопросы: влияние особенностей плотности состояний на электронные свойства; многоэлектронное описание сильного коллективизированного магнетизма; механизмы магнитной анизотропии; микроскопическая теория аномальных кинетических явлений в ферромагнетиках. Помимо классических проблем физики твердого тела в применении к переходным металлам, рассмотрены современные достижения в теории электронных корреляций d- и f -систем в рамках многоэлектронных моделей.

атомного числа Z возрастает роль спинорбитальных взаимодействий, что может качественно изменить форму и топологию <...> Помимо топологии и формы поверхности Ферми, в магнитных фазах важная роль принадлежит энергетическим <...> выполнен ряд вычислений аномального эффекта Холла с учетом реалистической зонной структуры (например топологии

Предпросмотр: Электронная структура, физические свойства и корреляционные эффекты в d- и f -металлах и их соединениях.pdf (0,3 Мб)
25

Наноструктурированные халькогениды свинца монография

Автор: Зимин С. П.
ЯрГУ

В монографии излагается современное состояние науки о формировании, исследовании и свойствах наноструктурированных полупроводников халькогенидов свинца PbX (X = Те, Se, S). Рассмотрены размерные эффекты в изучаемых материалах, подробно обсуждены новые подходы создания низкоразмерных систем на основе электрохимических и плазменных процессов.

целенаправленного локального выращивания нанонитей халькогенидов свинца на подложках Si с заданной топологией

Предпросмотр: Наноструктурированные халькогениды свинца монография.pdf (1,1 Мб)
26

№3 [Российский технологический журнал, 2022]

Издаётся с декабря 2013 года (прежнее название [2013–2015] "Вестник МГТУ МИРЭА"). Международный журнал, призванный освещать результаты фундаментальных и прикладных междисциплинарных исследований, технологических и организационно-экономических разработок, направленных на развитие и совершенствование современной технологической базы, публикует оригинальные экспериментальные и теоретические работы в виде полных статей, кратких сообщений, а также авторские обзоры и прогнозно-аналитические статьи по актуальным вопросам сферы высоких технологий.

с широко распространенными процессорными ядрами, для которых была реализована оптимизация на уровне топологии

Предпросмотр: Российский технологический журнал №3 2022.pdf (1,1 Мб)
27

Наноматериалы учеб. пособие

Автор: Рыжонков Д. И.
М.: Лаборатория знаний

Рассмотрены различные методы получения ультрадисперсных (нано-) материалов — механические, физические, химические, биологические. Обобщены современные представления об электрических, магнитных, тепловых, оптических, диффузионных, химических и механических свойствах наноматериалов. Подчеркнута и продемонстрирована зависимость этих свойств от структуры материала и геометрических размеров наночастиц. Значительное внимание уделено вопросам хранения и транспортировки наноматериалов.

трехмерное измерение частиц порошка или элементов поверхностных образований, получать информацию о топологии <...> трехмерное измерение частиц порошка или элементов поверхностных образований, получать информацию о топологии <...> трехмерное измерение частиц порошка или элементов поверхностных образований, получать информацию о топологии

Предпросмотр: Наноматериалы (2).pdf (0,2 Мб)
28

Физика твердого тела учеб. пособие

ЯрГУ

"Физика твердого тела представляет собой стремительно развивающуюся область, имеющую широкий спектр практических приложений. В последние годы эта область привлекает к себе пристальное внимание благодаря ярким результатам, отмеченным Нобелевскими премиями. В настоящей работе коллективом ученых ЯрГУ им. П. Г. Демидова представлены разделы современной физики конденсированного состояния, включающие как традиционное изложение, так и описание явлений в низкоразмерных структурах. Работа предназначена для студентов, обучающихся по специальности 010803 Микроэлектроника и полупроводниковые приборы (дисциплина ""Физика твердого тела"", блок ОПД), очной формы обучения, а также для аспирантов, специализирующихся в областях микрои наноэлектроники и физики твердого тела."

асимптотическое поведение компонент гальваномагнитного тензора в сильных магнитных полях существенно зависит от топологии

Предпросмотр: Физика твердого тела Учебное пособие.pdf (1,1 Мб)
29

Электронная структура соединений с сильными корреляциями [монография]

Автор: Изюмов Ю. А.
Регулярная и хаотическая динамика

Анализируется электронная структура и физические свойства сильно коррелированных систем (содержащих элементы с незаполненными 3d, 4d, 4f и 5f оболочками) на основе теории динамического среднего поля (DMFT). В настоящее время DMFT является универсальным и наиболее эффективным методом исследования состояний с сильными электронными корреляциями. В книге детально излагаются основы метода и даются его применения к различным классам таких систем.

Поверхность Ферми изменяет топологию при изменении допинга.

Предпросмотр: Электронная структура соединений с сильными корреляциями.pdf (0,3 Мб)