Исследованы изменения спектров низкотемпературной (Т=77К) краевой фотопроводимости кристаллов CdS, вызванные действием на поверхность образца внешнего поперечного электрического поля. В ряде кристаллов обнаружен "аномальный" характер этих изменений, анализ которого позволил установить существенную роль приповерхностных эффектов экранирования электрон-дырочного взаимодействия в формировании спектров краевой фотопроводимости кристаллов CdS с технологическим избытком кадмия вблизи поверхности // Физика твердого тела. - 2013. - Т. 55, Вып. 4. - С. 639-644.