Схемотехника аналоговых электронных устройств. Общие вопросы проектирования импульсных усилителей (300,00 руб.)

Стр.2

Стр.65

Стр.66

УДК 621.375.018.756(075.8) Д841 Рецензенты: канд. техн. наук Ю. С. Никулина канд. техн. наук, доцент А. М. Сажнев Работа подготовлена кафедрой радиоприемных и радиопередающих устройств и утверждена редакционно-издательским советом университета в качестве учебно-методического пособия Д841 Дуркин В. В. Схемотехника аналоговых электронных устройств. Общие вопросы проектирования импульсных усилителей : учебно-методическое пособие / В. В. Дуркин, С. В. Тырыкин. – Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2023. – 67 с. ISBN 978-5-7782-4952-3 Рассмотрены общие вопросы проектирования импульсных усилителей на транзисторах: перечень требований к оформлению проекта, содержанию его отдельных частей, последовательности выполнения, выбор активных элементов и их режимов работы, определение параметров транзисторов, расчет необходимого количество каскадов. УДК 621.375.018.756(075.8) ISBN 978-5-7782-4952-3 © Дуркин В. В., Тырыкин С. В., 2023 © Новосибирский государственный технический университет, 2023

Стр.2

ОГЛАВЛЕНИЕ Введение ................................................................................................................... 3 1. Исходные данные ................................................................................................. 4 2. Содержание пояснительной записки.................................................................. 5 3. Общие вопросы проектирования ........................................................................ 7 4. Основные этапы проектирования ..................................................................... 12 5. Выбор транзисторов для усилительных каскадов........................................... 15 6. Особенности выбора режима работы транзисторов при усилении однополярных импульсов ................................................................................. 22 7. Расчет элементов задания и стабилизации режима работы транзисторов ...................................................................................................... 27 8. Определение низкочастотных и высокочастотных параметров транзисторов ...................................................................................................... 32 9. Определение числа предварительных каскадов .............................................. 37 Библиографический список .................................................................................. 42 Приложения ............................................................................................................ 43 Приложение 1. Построение статических вольт-амперных характеристик (ВАХ) полевого транзистора с управляющим p–n-переходом и каналом n-типа .................................................................................... 43 Приложение 2. Построение статических ВАХ полевого транзистора с управляющим p–n-переходом и каналом p-типа .............................. 46 Приложение 3. Построение статических ВАХ полевого транзистора с изолированным затвором и каналом n-типа ..................................... 49 65

Стр.65

Приложение 4. Построение статических ВАХ биполярного транзистора n–p–n-типа .............................................................................................. 52 Приложение 5. Построение статических ВАХ биполярного транзистора p–n–p-типа .............................................................................................. 55 Приложение 6. Построение нагрузочных прямых для постоянного и переменного тока ................................................................................ 57 Приложение 7. Измерение малосигнальных g-параметров биполярного транзистора в схеме включения ОЭ. Исходные данные ..................... 61 Приложение 8. Измерение крутизны S полевого транзистора в схеме включения ОИ ........................................................................................ 63 66

Стр.66