Физические основы электроники. Контакты металл-полупроводник (200,00 руб.)

Стр.2

Стр.3

УДК 621.382:53(075.8) Д 691 Рецензенты: канд. техн. наук, доц. Н.И. Филимонова канд. техн. наук, доц. В.М. Меренков Дорогой С.В. Д 691 Физические основы электроники. Контакты металл–полупроводник: учебно-методическое пособие / С.В. Дорогой. – Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2019. – 50 с. ISBN 978-5-7782-3994-4 Учебно-методическое пособие предназначено для проведения аудиторных практических занятий и самостоятельной работы по дисциплине «Физические основы электроники» для студентов II курса по направлениям 11.03.03 «Конструирование и технология электронных средств» и 11.03.02 «Инфокоммуникационные технологии и системы связи». Работа подготовлена на кафедре конструирования и технологии радиоэлектронных средств и утверждена Редакционно-издательским советом университета в качестве учебно-методического пособия УДК 621.382:53(075.8) ISBN 978-5-7782-3994-4 © Дорогой С.В., 2019 © Hовосибиpский госудаpственный технический унивеpситет, 2019 2

Стр.2

ОГЛАВЛЕНИЕ Введение ................................................................................................................... 4 1. Контакты (барьеры, переходы) металл–полупроводник .................................. 5 2. Свойства, структура и зонные энергетические диаграммы контактов металл–полупроводник ....................................................................................... 7 3. Выпрямляющий контакт металл–полупроводник n-типа .............................. 10 4. Выпрямляющий контакт металл–полупроводник p-типа .............................. 14 5. Омический контакт металл–полупроводник n-типа ....................................... 16 6. Омический контакт металл–полупроводник p-типа ....................................... 18 7. Напряженность электрического поля, потенциал на контакте металл–полупроводник, ширина ОПЗ ............................................................. 21 8. Вольт-амперная характеристика контакта Шоттки ........................................ 29 9. Эффект Шоттки (уменьшение барьера) ........................................................... 36 10. Механизмы переноса заряда через контакт металл–полупроводник .......... 39 11. Сравнение барьеров Шоттки и p–n-переходов .............................................. 41 12. Задачи и решения ............................................................................................. 43 Библиографический список .................................................................................. 49 3

Стр.3