ЖУРНАЛ В ЖУРНАЛЕ Главный pедактоp — д-p техн. наук, пpофессор В. Ю. Кнеллеp УДК 681.586'36:048.8 К содержанию СОВРЕМЕННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ ДАТЧИКИ ТЕМПЕРАТУРЫ В. С. <...> Громов, С. М. Шестимеров, С. У. Увайсов Представлен обзор интегральных датчиков температуры, основанных на использовании в качестве первичных преобразователей температуры в электрический сигнал кремниевых резисторов, диодов, транзисторов. <...> Рассмотрены вопросы построения измерительных схем с использованием указанных преобразователей и механизмы преобразования температуры. <...> Даны примеры практической реализации кремниевых интегральных датчиков температуры отечественными и зарубежными фирмами. <...> Ключевые слова: датчик температуры, транзисторный датчик, термопреобразователь, абсолютный термометр, кремниевый интегральный датчик, кремниевый резистор, кремниевый диод, кремниевый транзистор, многоэмиттерная транзисторная структура. <...> Все известные полупроводниковые датчики температуры основаны на применении в качестве первичных преобразователей температуры в электрический сигнал либо полупроводниковых резисторов, либо полупроводниковых диодов или транзисторных структур. <...> Полупроводниковый интегральный датчик температуры представляет собой интегральную микросхему, элементы которой выполнены в объеме или на поверхности полупроводникового материала. <...> Структуру любого вида датчиков, включая и температурные, можно представить состоящей из чувствительного элемента (первичного преобразователя), устройства нормализации выходного сигнала и вторичного преобразователя измерительной информации. <...> Основным элементом структуры датчика является первичный преобразователь, который определяет важнейшие эксплуатационные и метрологические параметры датчика, такие как линейность выходной характеристики, диапазон измерений, погрешность и т. д. <...> Наиболее интенсивное развитие полупроводниковые интегральные датчики температуры <...>