Представляет Научно-исследовательский институт физических измерений1 ТЕХНОЛОГИЯ КОНСТРУИРОВАНИЯ И ПРОИЗВОДСТВА ДАТЧИКОПРЕОБРАЗУЮЩЕЙ АППАРАТУРЫ К содержанию УДК 621.3.032 ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЕ ДАТЧИКИ АБСОЛЮТНОГО ДАВЛЕНИЯ НА СТРУКТУРЕ “ПОЛИКРЕМНИЙ—ДИЭЛЕКТРИК” С УЛУЧШЕННЫМИ МЕТРОЛОГИЧЕСКИМИ ХАРАКТЕРИСТИКАМИ И. Н. <...> Баринов, А. В. Федулов, В. С. Волков Описано применение структуры “поликремний—диэлектрик” для создания высокотемпературных датчиков абсолютного давления. <...> Предложены конструктивно-технологические решения для снижения температурной зависимости и устранения дрейфа выходного сигнала благодаря использованию многоэлементной мостовой схемы и усовершенствованной технологии диффузионной сварки. <...> Ключевые слова: структура “поликремний—диэлектрик”, высокотемпературный полупроводниковый датчик абсолютного давления, многоэлементная мостовая схема, полость опорного давления, диффузионная сварка. <...> Датчики давления, работающие в современных информационно-измерительных и управляющих системах, должны отвечать комплексу требований со стороны метрологических и эксплуатационных характеристик, а также ряду технико-экономических показателей. <...> Значительная часть измерений давления проводится в условиях высоких температур, что требует разработки высокотемпературных датчиков давления с использованием передовых технологий, к которым относятся микроэлектронные и микромеханические технологии создания интегральных полупроводниковых датчиков. <...> Начиная с середины 1970-х годов 20 века, внимание разработчиков датчиковой аппаратуры привлекает поликристаллический кремний как материал для изготовления полупроводниковых тензорезисторов. <...> Поликремний осаждается обычно на пленку двуокиси кремния, которая предварительно создается на поверхности кремниевой пластины, поэтому поликремниевые тензорезисторы работоспособны при значительно более высоких температурах, чем тензорезисторы <...>