Силовая электроника, № 6’2016 Источники питания Высокоэффективный, компактный резонансный ZVS мостовой конвертер на основе 1200 В SiC-MOSFET В статье рассматриваются преимущества использования SiC MOSFET компании Cree в целях повышения производительности резонансных DC/DCпреобразователей. <...> Валерия Смирнова cree@macrogroup.ru оследнее поколение (C2M) карбидокремниевых (SiC) приборов использовано в конвертере с коммутацией при нулевом напряжении (ZVS). <...> Разработанный компанией Cree SiC MOSFET (1200 В, 160 мОм) применен при проектировании высокочастотного мостового ZVS LLC резонансного DC/DC-преобразователя. <...> Благодаря очевидным преимуществам SiC MOSFET, имеющим меньшую емкость перехода и низкое сопротивление открытого канала по сравнению с кремниевыми (Si) приборами, резонансный преобразователь может работать на более высокой частоте с большей эффективностью, что позволяет увеличить плотность мощности при использовании меньшего количества компонентов и снижении общей стоимости изделия. <...> Прототип конвертера мощностью 8 кВт разработан для демонстрации возможностей SiC MOSFET по повышению производительности DC/DC-преобразователя, работающего в режиме мягкой коммутации при максимальном измеренном значении КПД 98,3%. <...> Мощные изолированные DC/DCпреобразователи В настоящее время в трехфазных устройствах промышленной электроники средней и высокой мощности, таких как AC/DC ИП телекоммуникационных систем, в HVDC-системах, зарядных устройствах EV и т. д., используются, в основном, две топологии схем на основе кремниевых ключей с «мягкой» коммутацией. <...> Трехуровневый (TL) DC/DCконвертер на базе 600В Si MOSFETтранзисторов 54 www.powere.ru Силовая электроника, № 6’2016 щего выходное напряжение постоянного тока в диапазоне 600–800 В. <...> Такая схема, применяемая для построения DC/DC-преобразователей с 1992 г. [1], позволяет уменьшить уровень перенапряжения на силовых ключах. <...> Главное преимущество ТL DC/DC-конвертера состоит в том, что в нем можно использовать последовательно соединенные <...>