Отказоустойчивая статическая оперативная память на основе ячеек БМК (90,00 руб.)

Первый автор	Тюрин
Страниц	6

ID	455871
Аннотация	Предлагается отказоустойчивая ячейка памяти SRAM с учетверением транзисторов-QSRAM. Показывается предпочтительность такого технического решения по ряду показателей - в сравнении с троированием - известным вариантом TMR (Triple Modular Redundancy). Выполняется моделирование в системе схемотехнического моделирования N1 Multisim
УДК	681.32

Тюрин, С.Ф. Отказоустойчивая статическая оперативная память на основе ячеек БМК / С.Ф. Тюрин // Вестник Пермского университета. Математика. Механика. Информатика .— 2016 .— №1 .— С. 39-44 .— URL: https://rucont.ru/efd/455871 (дата обращения: 19.04.2025)