Прикладная физика, 2015, № 1 УДК 517.983:519.2:519.6 О возможности использования тригонометрических выражений в виде рекурсивных функций для решения диффузионного уравнения с разрывными коэффициентами Е. В. Серегина, М. А. Степович, А. М. Макаренков, М. Н. Филиппов, Е. В. Платошин Рассмотрены возможности использования нового метода непрерывной аппроксимации ступенчатых функций, основанного на использовании тригонометрических выражений в виде рекурсивных функций. <...> Расчеты проведены для классической модели диффузии неосновных носителей заряда, генерированных широким электронным пучком в двухслойном полупроводниковом материале. <...> Ключевые слова: двухслойный полупроводник, электронный пучок, концентрация, неосновные носители заряда, диффузия, рекурсивные функции. <...> Введение Для количественного описания явления диффузии неравновесных неосновных носителей заряда (ННЗ), генерированных в полупроводнике внешним энергетическим воздействием, обычно используются следующие два подхода: 1) модель коллективного движения ННЗ [1, 2], согласно которой на диффузию неравновесных ННЗ из любого микрообъема полупроводника оказывают влияние другие электроны или дырки из других микрообластей материала. <...> Математически это выражается в том, что в дифференциальное уравнение диффузии в качестве функции генерации ННЗ (обычно записывается в правой части дифференциального уравнения) входит функция, описывающая зависимость от координат плотности ННЗ, генерируемых в единицу времени в миСерегина Елена Владимировна1,2, ст. преподаватель. <...> Эта модель успешно используется для количественного описания процессов диффузии ННЗ, генерированных широким электронным пучком в однородных полупроводниках, для которых правая часть дифференциального уравнения является непрерывной функцией от координат. <...> Использование широкого электронного пучка позволяет пренебречь краевыми эффектами и решать одномерную задачу тепломассопереноса <...>