При Fsw более 20 кГц мощность SiC-инвертора почти вдвое выше, чем у аналогичного IGBT. <...> Кроме того, отметим, что максимальный ток SiC-модулей с ростом частоты спадает в гораздо меньшей степени, чем у кремниевых компонентов. <...> Например, при увеличении Fsw от 10 до 40 кГц, величина Pout снижается только на 28%. <...> В таблице 3 приведено сравнение уровня статических и динамических потерь 25-А трехфазного модуля IGBT с рабочим напряжением 1200 В и аналогичного 100% SiC-модуля. <...> Его напряжение насыщения VCE(sat) на 17% больше, чем у кремниевых ключей, но потери включения и выключения при этом заметно меньше: Eon — примерно втрое, Eoff — более, чем в шесть раз. <...> В отличие от IGBT, SiC-транзисторы имеют относительно высокое внутреннее сопротивление затвора (несколько Ом). <...> Благодаря этому приемлемое распределение токов управления параллельных чипов может обеспечиваться без дополнительных резисторов Rg. <...> Данное свойство SiC-MOSFET упрощает их соединение, снижает небаланс токов затвора и опасность возникновения теплового пробоя или паразитных резонансных колебаний. <...> Широкому применению SiC-компонентов на сегодня препятствует ограниченная нагрузочная способность и высокая цена. <...> Основным путем расширения токового диапазона является увеличение размера чипов, однако это не лучший способ в отношении SiC-структур, поскольку он ведет к росту процента дефектных кристаллов и дальнейшему повышению стоимости готовых изделий. <...> Цена таких компонентов (как гибридных, так и 100%-ных) по-прежнему остается очень высокой в сравнении с кремниевыми аналогами. <...> Экономические расчеты показывают, что для достижения конкурентоспособных показателей стоимость SiC-модулей должна быть снижена в среднем в два–три раза. <...> 20-A 100% SiC Силовая элементная база Совершенствование технологии 4H SiC-подложек и эпитаксии позволяет создавать силовые модули, предназначенные для применения в перспективных энергоэффективных приложениях. <...> Текущий уровень плотности дефектов пластин обеспечивает приемлемые <...>