Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 610832)
Контекстум
Силовая электроника  / №1(58) 2016

Повышающий DC/DC-конвертер в чередования фаз на основе нового поколения карбидокремниевых MOSFET режиме (50,00 руб.)

0   0
Первый авторЛю Джимми
АвторыВонг Кин, Аллен Скотт, Моокен Джон, Карташов Евгений, Лебедев Андрей
Страниц6
ID388789
АннотацияПоявление фотоэлектрических (PV) инверторов и электрических транспортных средств (EV) требует повышения плотности мощности и эффективности преобразователей. Карбид кремния (SiC) является одним из кандидатов, способных удовлетворить эту потребность, поэтому интерес к SiC-технологии в последнее десятилетие непрерывно растет. Повышающий преобразователь является неотъемлемой частью большинства PV-инверторов и конвертеров, используемых в электромобилях. В статье представлено новое поколение SiC MOSFET с напряжением 1200 В и током 20 А, используемых в 10-кВт повышающем преобразователе, работающем в режиме жесткого переключения с чередованием фаз на частоте до 100 кГц. Проведено сравнение по тепловым характеристикам и эффективности с высокоскоростными кремниевыми Н3 IGBT. В обоих случаях результаты показывают явное преимущество нового поколения SiC MOSFET.
Повышающий DC/DC-конвертер в чередования фаз на основе нового поколения карбидокремниевых MOSFET режиме / Д. Лю [и др.] // Силовая электроника .— 2016 .— №1(58) .— С. 66-71 .— URL: https://rucont.ru/efd/388789 (дата обращения: 27.04.2025)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

Силовая электроника, № 1’2016 Источники питания Повышающий DC/DC-конвертер в режиме чередования фаз на основе нового поколения карбидокремниевых MOSFET Появление фотоэлектрических (PV) инверторов и электрических транспортных средств (EV) требует повышения плотности мощности и эффективности преобразователей. <...> Карбид кремния (SiC) является одним из кандидатов, способных удовлетворить эту потребность, поэтому интерес к SiCтехнологии в последнее десятилетие непрерывно растет. <...> Повышающий преобразователь является неотъемлемой частью большинства PVинверторов и конвертеров, используемых в электромобилях. <...> В статье представлено новое поколение SiC MOSFET с напряжением 1200 В и током 20 А, используемых в 10кВт повышающем преобразователе, работающем в режиме жесткого переключения с чередованием фаз на частоте до 100 кГц. <...> Проведено сравнение по тепловым характеристикам и эффективности с высокоскоростными кремниевыми Н3 IGBT. <...> В обоих случаях результаты показывают явное преимущество нового поколения SiC MOSFET. <...> Джимми Лю (Jimmy Liu) jimmy_liu@cree.com Кин Лап Вонг (Kin Lap Wong) Скотт Аллен (Scott Allen) Джон Моокен (John Mookken) Перевод Евгений Карташов Андрей Лебедев cree@macrogroup.ru С иловые преобразователи на основе карбидокремниевых приборов обеспечивают увеличение плотности мощности за счет более высокого блокирующего напряжения, меньшего сопротивления открытого канала и лучшей теплопроводности по сравнению с их кремниевыми аналогами. <...> Среди доступных типов SiC-устройств, SiC JFET или SiC-транзисторов N-канальные усовершенствованные SiC MOSFET предлагают самую лучшую альтернативу для замены обычных кремниевых MOSFET или IGBT благодаря несложной структуре, простоте разработки и меньшим потерям управления. <...> Компания Cree в марте 2013 г. выпустила в продажу следующее поколение SiC MOSFET — C2M0080120D. <...> Инверторы для PV и EV относятся к тем приложениям, где характеристики SiC являются особенно привлекательными, поскольку высокая плотность мощности и большая частота коммутации <...>