Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 610073)
Контекстум
Силовая электроника  / №1(58) 2016

Все, что надо знать про SOA (50,00 руб.)

0   0
Первый авторКолпаков Андрей
Страниц8
ID388780
АннотацияПри выборе силового ключа для конкретного применения мы анализируем массу различных факторов, но очень редко задумываемся о таком важном показателе, как область безопасной работы (Safe Operating Area, SOA). Во многом это связано с тем, что появление современных MOSFET- и IGBT-модулей, допускающих коммутацию при номинальных значениях токов и напряжений, несколько снизило актуальность SOA для обеспечения надежной работы изделия.
Колпаков, А. Все, что надо знать про SOA / А. Колпаков // Силовая электроника .— 2016 .— №1(58) .— С. 20-27 .— URL: https://rucont.ru/efd/388780 (дата обращения: 13.04.2025)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

Силовая электроника, № 1’2016 Силовая элементная база Все, что надо знать про SOA При выборе силового ключа для конкретного применения мы анализируем массу различных факторов, но очень редко задумываемся о таком важном показателе, как область безопасной работы (Safe Operating Area, SOA). <...> Во многом это связано с тем, что появление современных MOSFET и IGBTмодулей, допускающих коммутацию при номинальных значениях токов и напряжений, несколько снизило актуальность SOA для обеспечения надежной работы изделия. <...> Напомним, что в отношении биполярных транзисторов (BJT) данная характеристика имела исключительно важное значение в динамических режимах работы, где ограничения по максимальному коммутируемому току и напряжению зависели от длительности импульса. <...> Поэтому применение биполярных ключей в мощных преобразователях класса D было невозможно без использования снабберов — цепей формирования траектории переключения. <...> Андрей Колпаков Andrey.Kolpakov@semikron.com С оздание «идеального» ключа, к которому стремятся производители силовых кристаллов, подразумевает реализацию трех основных требований, показанных в виде «триады компромиссов» на рис. <...> Чтобы электронный релейный элемент мог считаться «почти идеальным», он должен иметь близкие к нулевым потери проводимости, которые определяются сопротивлением открытого канала Rdson для MOSFET или напряжением насыщения VCEsat для IGBT. <...> В то же время транзистор должен выдерживать высокое обратное напряжение VCE в заблокированном состоянии и генерировать минимальные потери выключения Eoff. <...> Совокупность характеристик VCEsat, VCEbr и Eoff определяет свойства IGBT как биполярного силового ключа. <...> Эта характеристика должна обеспечиваться в трех основных режимах (включение, выключение и короткое замыкание), соответственно она имеет три составляющие: FBSOA — Forward Biased SOA, RBSOA — Reverse Biased SOA и SCSOA — Short Circuit SOA [1, 2]. <...> 2 показан процесс «жесткой» коммутации IGBT на резистивно-индуктивную нагрузку, обеспечивающую непрерывность <...>