539.1Ядерная, атомная, молекулярная физика
← назад

Свободный доступ

Ограниченный доступ
Автор: Багуля
Измерены выходы ядерных реакций в образцах текстурированного CVD-алмаза при их облучении пучком ионов дейтерия. Показано, что ориентация образца в пучке дейтронов оказывает влияние на величину выхода DD-реакции. Исследованы рентгеновские спектры флуоресценции поверхности дейтерированных мишеней при облучении их пучком ионов. Анализ спектров флуоресценции позволил обнаружить “дополнительные” пики, появление которых нельзя ассоциировать ни с одним из известных элементов и требует отдельных исследований
Автор: Фишкова
Предложена электростатическая система, предназначенная для получения моноэнер-гетичного электронного пучка. Она состоит из основного фильтра по энергии в виде плоского зеркала с закрытыми торцами и дополнительного плоского конденсатора, компенсирующего начальный разброс по энергии. Получена аналитическая формула связи напряжен-ностей этих полей. Проведены численные расчеты системы, которые показали, что энергетический разброс в электронном пучке на линии фокусов уменьшился на порядок по сравнению с начальным тепловым разбросом
Автор: Фишкова
Проведено компьютерное моделирование электростатического спектрографа, предложенного автором ранее, в режимах с вынесенным за пределы поля источником заряженных частиц. При линейном возрастании потенциала на дискретном электроде диапазон одновременно регистрируемых энергий Emax/Emin= 50. При этом разрешение по энергии лежит в пределах 0,2—0,6 %.
Автор: Фетисов И. Н.
Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана: М.
Рассмотрены радиоактивные превращения, закон распада и его статистические закономерности (распределение Пуассона). Дано описание методик проверки распределения Пуассона и радиометрического определения содержания калия в веществе.
Предпросмотр: Статистика радиоактивного распада.pdf (0,3 Мб)
Автор: Смирнов
Изд-во МГТУ им. Н.Э. Баумана: М.
Статья посвящена анализу приборов нанотехнологий и тех физических явлений, которые лежат в их основе. Подробно рассмотрены сканирующий туннельный, атомно-силовой и магнитно-силовой микроскопы, указаны возможности этих приборов в развитии технологий атомного уровня — атомного дизайна, спинтроники и т. д. В основе действия приборов нанотехнологии лежат квантовые явления, что предъявляет более высокие, чем прежде, требования к уровню подготовки инженерного персонала и, соответственно, к уровню овладения студентами технических университетов современной, в первую очередь, квантовой, физикой. Подчеркивается важность фундаментальной подготовки студентов технических вузов для успешного развития нанотехнологий в нашей стране.
Автор: Апухтин
ПРОМЕДИА: М.
Способы устранения электростатического влияния Земли.