Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 635213)
Контекстум
Руконтекст антиплагиат система

Проектирование микроволновых функциональных узлов (200,00 руб.)

0   0
Первый авторДевятков Г. Н.
ИздательствоИзд-во НГТУ
Страниц87
ID774769
АннотацияИзложены методы автоматизированного проектирования СВЧ-фильтров, дискретных фазовращателей и линейных транзисторных усилителей, работающих в полосе частот, в сосредоточенном и распределенном (сосредоточенно-распределенном) геометрическом элементном базисе. Рассмотрены примеры проектирования топологий СВЧ-фильтра, дискретного фазовращателя и линейного транзисторного усилителя на полевом транзисторе. Предназначено для закрепления знаний по соответствующим дисциплинам и получения практических навыков проектирования микроволновых функциональных узлов с использованием современных профессиональных программных продуктов для студентов радиотехнических специальностей.
Кому рекомендованоДля магистрантов, направления подготовки 11.04.02 – Инфокоммуникационные технологии и системы связи и 11.04.03 – Конструирование и технология электронных средств.
ISBN978-5-7782-3942-5
УДК621.372.542.2(075)
ББК32.844-02я7
Девятков, Г.Н. Проектирование микроволновых функциональных узлов : учеб.-метод. пособие / Г.Н. Девятков .— Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2019 .— 87 с. — ISBN 978-5-7782-3942-5 .— URL: https://rucont.ru/efd/774769 (дата обращения: 09.05.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

Проектирование_микроволновых_функциональных_узлов.pdf
УДК 621.372.542.2(075.8) Д 259 Рецензенты: д-р техн. наук, профессор А.П. Горбачев канд. техн. наук, доцент К.А. Лайко Работа выполнена на кафедре конструирования и технологии радиоэлектронных средств для магистрантов, направления подготовки 11.04.02 – Инфокоммуникационные технологии и системы связи и 11.04.03 – Конструирование и технология электронных средств Д 259 Девятков Г.Н. Проектирование микроволновых функциональных узлов: учебно-методическое пособие / Г.Н. Девятков. – Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2019. – 87 с. ISBN 978-5-7782-3942-5 Изложены методы автоматизированного проектирования СВЧфильтров, дискретных фазовращателей и линейных транзисторных усилителей, работающих в полосе частот, в сосредоточенном и распределенном (сосредоточенно-распределенном) геометрическом элементном базисе. Рассмотрены примеры проектирования топологий СВЧ-фильтра, дискретного фазовращателя и линейного транзисторного усилителя на полевом транзисторе. Предназначено для закрепления знаний по соответствующим дисциплинам и получения практических навыков проектирования микроволновых функциональных узлов с использованием современных профессиональных программных продуктов для студентов радиотехнических специальностей. УДК 621.372.542.2(075.8) ISBN 978-5-7782-3942-5 © Девятков Г.Н., 2019 © Новосибирский государственный технический университет, 2019
Стр.2
ОГЛАВЛЕНИЕ 1. Проектирование фильтра нижних частот на распределенных элементах ........ 3 Задание. ....................................................................................................... 3 Исходные данные. ...................................................................................... 3 Методические указания. ............................................................................ 4 1.1. Синтез низкочастотного фильтра в сосредоточенном электрическом элементном базисе ............................................................................ 4 Определение числа элементов и их значений низкочастотного фильтра-прототипа .................................................................................... 5 1.2. Преобразование низкочастотного фильтра прототипа в распределенный электрический элементный базис с учетом возможности планарной реализации ...................................................................... 10 1.3. Проектирование топологии фильтра нижних частот в распределенном геометрическом элементном базисе ......................................... 14 Выбор материала и определение геометрических параметров микрополосковых линий передачи ........................................................ 16 Укладка микрополосковых линий на подложке ................................... 17 Моделирование широкополосного фильтра нижних частот в распределенном геометрическом элементном базисе ....................... 17 1.4. Пример проектирования топологии широкополосного фильтра нижних частот .......................................................................................... 18 2. Проектирование дискретно-коммутационного полупроводникового фазовращателя ................................................................................................... 29 Задание. ..................................................................................................... 29 Исходные данные. .................................................................................... 29 Методические указания ........................................................................... 30 2.1. Проектирование фазовращателя в сосредоточенно-распределенном электрическом элементном базисе ................................................. 31 2.2. Переход в сосредоточенно-распределенный геометрический элементный базис ..................................................................................... 32 84
Стр.84
2.3. Проектирование топологии фазовращателя в сосредоточеннораспределенном геометрическом элементном базисе .......................... 32 2.4. Пример проектирования топологии дискретно-коммутационного полупроводникового фазовращателя ............................................ 33 3. Проектирование широкополосного линейного транзисторного усилителя ..................................................................................................................... 39 Задание. ..................................................................................................... 39 Исходные данные. .................................................................................... 39 Методические указания. .......................................................................... 40 3.1. Проектирование усилителя в сосредоточенном электрическом элементном базисе ................................................................................... 41 3.1.1. Выбор транзистора, обеспечение его устойчивости ................... 41 3.1.2. Определение импедансов и построение эквивалентных схем по входу и выходу транзистора в сосредоточенном элементном базисе ........................................................................ 42 3.1.3. Синтез согласующих цепей по входу и выходу транзистора в сосредоточенном элементном базисе .................................. 42 3.1.4. Пример проектирования широкополосного линейного усилителя в сосредоточенном электрическом элементном базисе ............................................................................................. 46 3.2. Проектирование усилителя в сосредоточенно-распределенном электрическом элементном базисе ......................................................... 57 3.2.1. Переход в сосредоточенно-распределенный электрический элементный базис ................................................................ 57 3.2.2. Пример проектирования усилителя в сосредоточеннораспределенном электрическом элементном базисе ................. 58 3.3. Проектирование топологии усилителя в сосредоточенно-распределенном геометрическом элементном базисе ..................................... 60 Пример проектирования топологии микрополосковых плат усилителя ........................................................................................................ 61 Библиографический список ................................................................................. 65 Приложения ........................................................................................................... 66 Приложение 1. Справочные материалы .............................................................. 66 Приложение 2. Чертеж топологии фильтра ........................................................ 73 Приложение 3. Таблица координат 1 .................................................................. 74 85
Стр.85
Приложение 4. Чертеж топологии дискретно-коммутационного фазовращателя ............................................................................ 75 Приложение 5. Таблица координат 2 .................................................................. 76 Приложение 6. Чертеж топологии входной согласующей цепи ....................... 80 Приложение 7. Таблица координат 3 .................................................................. 81 Приложение 8. Чертеж топологии выходной согласующей цепи .................... 82 Приложение 9. Таблица координат 4 .................................................................. 83 86
Стр.86

Облако ключевых слов *


* - вычисляется автоматически
Антиплагиат система на базе ИИ