Фотонно-стимулированные технологические процессы микро- и нанотехнологии (125,00 руб.)

Стр.3

Стр.4

Стр.5

УДК 621.373.826(075.8) + 621.785.37(075.8) ББК 32.847я73+34.65я73 С243 Печатается по решению кафедры нанотехнологий и микросистемной техники Института нанотехнологий, электроники и приборостроения Южного федерального университета (протокол № 6 от 31 января 2017 г.) Рецензенты: зам. директора по инновациям и науке ООО «Саунд», доктор технических наук, профессор К. В. Филатов профессор кафедры конструирования электронных средств Института нанотехнологий, электроники и приборостроения ЮФУ, доктор технических наук С. П. Малюков Светличный, А. М. С243 Фотонно-стимулированные технологические процессы микро- и нанотехнологии : учебное пособие / А. М. Светличный, И. Л. Житяев ; Южный федеральный университет. – Ростов-на-Дону ; Таганрог : Издательство Южного федерального университета, 2017. – 104 с. ISBN 978-5-9275-2395-5 В пособии рассмотрены взаимодействие световых потоков с полупроводниковой структурой, режимы обработки, процессы отжига и рекристаллизации поликремниевых и аморфных слоев, отжига и легирования полупроводниковых структур, формирование контактнометаллизационной системы, планаризация, а также получение диэлектрических пленок. Учебное пособие может быть использовано при подготовке магистров по направлениям 28.04.01 – Нанотехнологии и микросистемная техника, 11.04.03 –Конструирование и технология электронных средств, 11.04.04 – Электроника и наноэлектроника в курсе «Лучевые процессы нанотехнологии». УДК 621.373.826(075.8) + 621.785.37(075.8) ББК 32.847я73+34.65я73 ISBN 978-5-9275-2395-5 © Южный федеральный университет, 2017 © Светличный А. М., Житяев И. Л., 2017 © Оформление. Макет. Издательство Южного федерального университета, 2017

Стр.3

СОДЕРЖАНИЕ Введение................................................................................................................. 5 1. Взаимодействие фотонного излучения с полупроводниковой поверхностью ...................................................................................................... 10 1.1. Оптические свойства полупроводниковой структуры ......................... 10 1.2. Распределение температурных полей в кремниевой подложке при сканировании лазерным лучом ...................................................................... 15 1.3. Классификация режимов фотонной обработки .................................... 20 2. Рекристаллизация аморфных и поликристаллических кремниевых слоев лазерным излучением ............................................................................ 22 2.1. Лазерная рекристаллизация полупроводников ..................................... 22 2.2. Импульсная лазерная кристаллизация аморфных слоев ..................... 27 2.3. Лазерная кристаллизация поликремниевых лент ................................. 32 2.4. Лазерный отжиг структур ....................................................................... 34 2.5. Механизмы отжига имплантированных полупроводниковых структур............................................................................................................ 38 3. Лазерное легирование ................................................................................... 44 4. Лазерно-стимулированное формирование контактов ........................... 49 4.1. Формирование контактных областей с использованием эвтектических сплавов.................................................................................... 49 4.2. Формирование силицидов в контактных областях .............................. 53 5. Лазерно-стимулированное осаждение диэлектрических пленок ........ 56 5.1. Фотостимулированное осаждение диэлектрических пленок SiO2 и Si3N4 с применением моно- и дисилана ........................................................ 56 5.2. Осаждение пленок оксида кремния из кремнийсодержащих органических соединений .............................................................................. 62 5.2.1. Модель процесса фотоосаждения .................................................... 66 6. Лазерное осаждение металлов .................................................................... 72 6.1. Вакуумное лазерное осаждение металлов ............................................. 72 6.2. Лазерное локальное осаждение металлических пленок ...................... 76 6.3. Импульсное осаждение пленок алюминия из газовой фазы ............... 77 3

Стр.4

6.4. Осаждение пленок вольфрама ................................................................ 78 6.5. Осаждение вольфрамовых контактов на сложные полупроводники . 80 7. Лазерно-стимулированные эпитаксиальные процессы осаждения кремниевых слоев .............................................................................................. 82 7.1. Лазерно-стимулированные эпитаксиальные процессы ........................ 82 7.2. Лазерно-стимулированное эпитаксиальное осаждение пленок кремния ............................................................................................................. 84 8. Лазерно-стимулированное осаждение эпитаксиальных слоев соединений АIIIВV и АIIВVI ................................................................................ 87 8.1. Лазерно-стимулированная эпитаксия соединений АIIIВV .................... 87 8.2. Лазерно-стимулированная эпитаксия соединений АIIВVI .................... 89 9. Лазерная технология создания перспективной элементной базы СБИС. Планаризация микроструктур .......................................................... 92 9.1. Особенности конструкции и технология изготовления перспективных элементов СБИС с использованием лазерного излучения ......................................................................................................... 92 9.2. Лазерная планаризация структур БИС ................................................... 95 Заключение ......................................................................................................... 98 Список литературы ......................................................................................... 100 4

Стр.5