Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 636760)
Контекстум
Электро-2024
Микроэлектроника (РАН)

Микроэлектроника (РАН) №1 2018 (1209,60 руб.)

0   0
Страниц90
ID628239
АннотацияОснован в 1972 г. Публикуются статьи, посвященные технологическим, физическим и схемотехническим аспектам микро- и наноэлектроники. Особое внимание уделяется новым тенденциям в литографии, травлению, легированию, осаждению и планаризации на субмикронном и нанометровом уровнях, плазменным технологиям, молекулярно-пучковой эпитаксии и сухому травлению, а также методам исследования и контроля поверхностей и многослойных структур. Обсуждаются вопросы приборно-технологического моделирования и диагностики технологических процессов в реальном времени. Публикуются статьи о полупроводниковых приборах на базе новых физических явлений, таких как квантовые размерные эффекты и сверхпроводимость.
Микроэлектроника (РАН) .— Москва : НАУКА .— 2018 .— №1 .— 90 с. — URL: https://rucont.ru/efd/628239 (дата обращения: 24.05.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

Основан в 1972 г. Публикуются статьи, посвященные технологическим, физическим и схемотехническим аспектам микро- и наноэлектроники. <...> Особое внимание уделяется новым тенденциям в литографии, травлению, легированию, осаждению и планаризации на субмикронном и нанометровом уровнях, плазменным технологиям, молекулярно-пучковой эпитаксии и сухому травлению, а также методам исследования и контроля поверхностей и многослойных структур. <...> Обсуждаются вопросы приборно-технологического моделирования и диагностики технологических процессов в реальном времени. <...> Публикуются статьи о полупроводниковых приборах на базе новых физических явлений, таких как квантовые размерные эффекты и сверхпроводимость. <...>
Микроэлектроника_№1_2018.pdf
СОДЕРЖАНИЕ Том 47, номер 1, 2018 ТЕХНОЛОГИЯ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ с мПроцессы атомно-слоевого осаждения для формирования структуры затворного HkMG-стека К. В. Руденко, А. В. Мяконьких, А. Е. Рогожин, О. П. Гущин, В. А. Гвоздев инимальным топологическим размером 32 нм МОДЕЛИРОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ Моделирование эффектов воздействия внутренних механических напряжений на кинетику распада пересыщенного раствора кислорода в кремнии Т. М. Махвиладзе, М. Е. Сарычев TCADмоделирование эффектов воздействия одиночных ядерных частиц на ячейки памятиSTGDICE Ю. В. Катунин, В. Я. Стенин ДИАГНОСТИКА МАТЕРИАЛОВ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ Обнаружение дефектов на поверхности полупроводниковых материалов с использованием диэлектрического барьерного разряда Д. В. Ситанов, С. А. Пивоваренок Исследование термодинамических характеристик анодного оксида алюминия А. И. Воробьева, Д. Л. Шиманович, О. А. Сычева ФОТОЛИТОГРАФИЯ Основные приемы увеличения разрешающей способности фотополимеризующихся композиций В. М. Треушников, С. П. Молодняков, В. В. Семенов СХЕМОТЕХНИКА с поСистема логического проектирования функциональных блоков заказных КМОП СБИС П. Н. Бибило, Н. А. Авдеев, С. Н. Кардаш, Н. А. Кириенко, Ю. Ю. Ланкевич, И. П. Логинова, В. И. Романов, Д. И. Черемисинов, Л. Д. Черемисинова ниженным энергопотреблением Вниманию авторов 72 89 56 38 45 14 23 3
Стр.1