ЖУРНАЛ В ЖУРНАЛЕ Главный pедактоp — д-p техн. наук, пpофессор В. Ю. Кнеллеp УДК 53.082.743 СПИН-ВЕНТИЛЬНЫЕ И СПИН-ТУННЕЛЬНЫЕ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЕ НАНОЭЛЕМЕНТЫ И УСТРОЙСТВА НА ИХ ОСНОВЕ С. И. <...> Касаткин, Н. П. Васильева, А. М. Муравьев Рассмотрены разрабатываемые и выпускаемые в мире магниточувствительные наноэлементы на основе спин-вентильных и спин-туннельных магниторезистивных металлических наноструктур и устройства на базе этих наноэлементов. <...> Ключевые слова: спин-вентильный и спин-туннельный магниторезистивный эффект, металлические наноструктуры, наноэлементы. <...> ВВЕДЕНИЕ Целью данного обзора является рассмотрение современного состояния и тенденций развития разработок спин-вентильных (СВМР) и спин-туннельных магниторезистивных (СТМР) наноэлементов и устройств на их основе с учетом предыдущих публикаций [1—3]. <...> СВМР и СТМР металлические наноструктуры — это наноструктуры с гигантским магниторезистивным (МР) эффектом, достигающим десятков процентов в СВМР и сотен процентов в СТМР-наноструктурах при комнатной температуре. <...> Эти наноструктуры в простейшем случае содержат две магнитные пленки, разделенные низкорезистивным слоем меди (СВМР-наноструктуры) или слоем диэлектрика (СТМР-наноструктуры) и обладают одинаковой зависимостью изменения магнитосопротивления ∆R от магнитного поля ∆R = 0,5(∆ρ/ρ)R(1 – cosϕ), где (∆ρ/ρ) — величина МР-эффекта, R — магнитосопротивление наноэлемента, ϕ — угол между векторами намагниченности ферромагнитных пленок. <...> В настоящее время на основе СВМР и СТМР наноструктур в мире ведутся разработки и выпускаются преобразователи магнитного поля и тока, головки считывания для магнитных дисков и лент, МР-биосенсоры, гальванические развязки, устройства контроля микрочипов, запоминающие элементы (ЗЭ) и однокристальные запоминающие устройства с произвольной выборкой (ЗУПВ или MRAM) на их основе. <...> ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ МАГНИТНОГО ПОЛЯ И ТОКА Выпускаемые преобразователи Nonvolatile Electronics (NVE) — небольшая <...>