307–314 УДК 537.226 ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ КЕРАМИЧЕСКИХ ОБРАЗЦОВ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ (1 – x)Ba(Ti1 – yZry)O3 ⋅ xPbTiO3 *, К. <...> 13 *e-mail: aabush@yandex.ru Поступила в редакцию 23.05.2016 г. На синтезированных образцах керамики сегнетоэлектрических твердых растворов со структурой перовскита (1 – x)Ba(Ti1– yZry)O3 ⋅ xPbTiO3, у = 0–0.10, x = 0–0.67 проведены рентгенографические, диэлектрические и пироэлектрические исследования. <...> Определены концентрационные зависимости параметров элементарной ячейки твердых растворов, их точки Кюри TC, значений диэлектрических проницаемости ε и потерь tgδ (в области температур 100–700 K и частот 25–106 Гц), характеристик петель диэлектрического гистерезиса и пироэлектрического эффекта. <...> Найдено, что рост содержания PbTiO3 в образцах вызывает повышение TC от 400 (х = 0) до 670 K (х = 0.67), понижение температур низкотемпературных фазовых переходов и их исчезновение при x > 0.15, уменьшение величины ε(T = 296 K) при x > 0.1. <...> Ключевые слова: сегнетокерамика, твердые растворы со структурой перовскита, диэлектрические свойства DOI: 10.7868/S0002337X17030022 ВВЕДЕНИЕ Твердые растворы Ba(Ti1 – уZrу)O3, 0 ≤ y ≤ 1 (BZT) со структурой перовскита обладают интересными с научной и прикладной точек зрения свойствами, поэтому являются объектами интенсивных исследований [1–10]. <...> При изменении состава твердых растворов в них реализуются различные диэлектрические состояния [4, 5]. <...> В области 0 ≤ y < 0.15 твердые растворы характеризуются обычными сегнетоэлектрическими свойствами, подобными свойствам BaTiO3, с температурой сегнетоэлектрического фазового перехода первого рода ТC между кубической и тетрагональной фазами, понижающейся от 405 K при y = 0 до 350 K при y = 0.15 [4, 5]. <...> Температуры фазовых переходов между тетрагональной и ромбической фазами (TT-O) и между ромбической и ромбоэдрической фазами (TO-R) повышаются и при достижении y ≈ 0.15 температуры трех фазовых переходов (TO-R, TT-O и TC) сливаются вблизи комнатной температуры, что уширяет и понижает максимум диэлектрической проницаемости на ее <...>